История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
Топ:
Теоретическая значимость работы: Описание теоретической значимости (ценности) результатов исследования должно присутствовать во введении...
Техника безопасности при работе на пароконвектомате: К обслуживанию пароконвектомата допускаются лица, прошедшие технический минимум по эксплуатации оборудования...
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного...
Интересное:
Искусственное повышение поверхности территории: Варианты искусственного повышения поверхности территории необходимо выбирать на основе анализа следующих характеристик защищаемой территории...
Аура как энергетическое поле: многослойную ауру человека можно представить себе подобным...
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Дисциплины:
2024-02-15 | 58 |
5.00
из
|
Заказать работу |
Содержание книги
Поиск на нашем сайте
|
|
Подключите сетевые шнуры осветителя и измерительного устройства установки к сети и включите измерительное устройство выключателем “СЕТЬ” на его задней панели. При этом должны загореться индикаторы “ОБРАТНАЯ”, показания напряжения (В) и тока (мкА). После 5 минутного прогрева ручкой установка нуля установите нулевое значение тока. Включите ртутную лампу выключателем СЕТЬ на его передней панели осветителя и дайте ей прогреться в течение 15 мин. Максимально откройте диафрагму для увеличения светового потока. Выполните следующие измерения.
1. Установите первый светофильтр. С помощью кнопки “ПРЯМАЯ-ОБРАТНАЯ” выберите режим измерения прямой ВАХ. Изменяйте значение напряжения с помощью кнопок “+” и “−“ и считывайте показания фототока с индикатора “мкА”. Увеличивайте значение до достижения режима насыщения, при котором фототок перестает возрастать (но не более 40 В). Вносите значения и в табл. 3.2.
2. Выберите режим обратной ВАХ. Уменьшайте напряжение на фотоэлементе от нуля вплоть до достижения запирающего напряжения , при котором ток станет равным нулю. Особенно подробно снимите ВАХ в диапазоне значений тока от 0.1 до 0.25 мкА. Ниже напряжение не устанавливать!
3. Установите диск со светофильтрами в положение “5”, при котором световой поток полностью перекрыт, и проверьте установку нуля.
4. Повторите измерения прямой и обратной ВАХ со вторым, третьим и четвертым фильтрами.
5. По окончании измерений отключите питание выключателями СЕТЬ осветителя и измерительного устройства и отключите сетевые вилки от сети.
Таблица 3.2.
Прямая ВАХ для U>0 | |||||||||||||||
1. Фиолетовый | 2. Синий | 3. Зеленый | 4. Желтый | ||||||||||||
, В | I, мкА | , В | I, мкА | , В | I, мкА | , В | I, мкА | ||||||||
0 |
| 0 |
| 0 |
| 0 |
| ||||||||
… |
| … |
| … |
| … |
| ||||||||
|
|
|
|
|
|
|
| ||||||||
Обратная ВАХ для U<0: | |||||||||||||||
Фиолетовый | Синий | Зеленый | Желтый | ||||||||||||
, В | I, мкА | , В | I, мкА | , В | I, мкА | , В | I, мкА | ||||||||
0 |
| 0 |
| 0 |
| 0 |
| ||||||||
… |
| … |
| … |
| … |
| ||||||||
|
|
|
|
|
|
|
| ||||||||
6. Постройте графики прямой ВАХ и обратной ВАХ.
7. Точки обратной ВАХ для фиолетового и синего светофильтров вблизи нуля фототока приближаются к оси напряжений очень плавно, что затрудняет точное определение задерживающего потенциала. По точкам обратной ВАХ для зеленого и желтого светофильтров задерживающий потенциал определяется достовернее. Для таких точек, соответствующих значениям тока от 0.1 до 0.25 мкА проведите сглаживающие прямые и найдите точки пересечения с осью абсцисс - значения внешнего запирающего потенциала , внесите их в табл. 3.1.
|
Определение постоянной Планка
Из формулы (3.8) следует
, (3.11)
1. Для данных, полученных с желтым и зеленым светофильтрами, постройте точки на плоскости переменных (в мкм–1), (в эВ). Проведите через точки прямую линию (можно использовать график линейную регрессию, см. Прил. 4), найдите угловой коэффициент прямой в единицах эВ×м×10–6.
2. Найдите значение постоянной Планка в единицах эВ×с
(3.12)
и в системе СИ. Сравните результаты с табличными значениями и оцените погрешность.
3. Найдите значение величины .
Контрольные вопросы
1. Опишите устройство и принцип работы вакуумного фотоэлемента.
2. Расскажите об особенностях сурьмяно-цезиевого фотокатода и проявлениях внутреннего и внешнего фотоэффекта.
3. Сформулируйте основные законы фотоэффекта и объясните их на основе квантовой теории.
4. Каков физический смысл тока насыщения и тока при напряжении равном нулю?
5. Каким образом можно определить значения постоянной Планка, контактной разности потенциалов и работы выхода при фотоэффекте?
6. Расскажите о применении вакуумных фотоэлементов и их полупроводниковых аналогов.
Лабораторная работа № 4.
Эффект Комптона и прохождение гамма-излучения через вещество
Цель работы: изучение эффекта Комптона, рассеяния гамма-излучения при прохождении через вещество и измерение сечения комптоновского рассеяния.
Приборы и принадлежности: индикаторы радиоактивности “Радекс” РД1706, кассеты со слаборадиоактивным источником гамма-излучения – хлористым калием (КCl).
Меры предосторожности: Оберегайте индикатор радиоактивности от ударов, пыли, сырости, прямого солнечного света, излучения ртутных ламп, не допускайте попадания посторонних предметов внутрь через отверстия в корпусе. После завершения измерений выключите индикатор радиоактивности и сдайте его лаборанту или преподавателю. Не нарушайте герметичности контейнеров с хлористым калием.
|
Эффект Комптона
Упругое рассеяние коротковолнового рентгеновского излучения на свободных (или слабо связанных с атомами) электронах вещества было исследовано А.Комптоном*. Им был открыт и объяснен эффект увеличения длины волны рассеянного излучения, названный впоследствии эффектом Комптона.
Схема опыта Комптона представлена на рис.4.1.
Рис. 4.1. Схема опыта Комптона |
Исходящее из рентгеновской трубки 1 монохроматическое (называемое характеристическим) рентгеновское излучение с длиной волны λ0, проходит через свинцовые диафрагмы 2 и в виде узкого пучка направляется на рассеивающее вещество – мишень 3. Излучение, рассеянное под некоторым углом θ, анализируется с помощью спектрографа рентгеновских лучей 4, в котором роль дифракционной решетки играет кристалл 5, закрепленный на поворотном столике. Опыт показал, что в рассеянном излучении наблюдается увеличение длины волны Δλ, зависящее от угла рассеяния θ:
, (4.1)
где Λ=2.43·10–3нм – так называемая комптоновская длина волны, не зависящая от свойств рассеивающего вещества. В рассеянном излучении наряду со спектральной линией с длиной волны λ наблюдается несмещенная линия с длиной волны λ0. Соотношение интенсивностей смещенной и несмещенной линий зависит от рода рассеивающего вещества. На рис.4.2 представлены кривые распределения интенсивности в спектре излучения, рассеянного под некоторыми углами.
Рис. 4.2. Спектры рассеянного рентгеновского излучения
Результаты опытов Комптона и наличие смещенной компоненты противоречили волновой теории электромагнитного излучения, согласно которой электрон под действием периодического поля световой волны совершает вынужденные колебания с частотой волны и излучает рассеянные волны той же частоты. Развитие квантовых представлений после объяснения М.Планком свойств теплового изучения (свет испускается квантами) и А.Эйнштейном фотоэффекта (свет поглощается квантами) позволило дать квантовое объяснение и эффекта Комптона (световые кванты рассеиваются при столкновении с электронами). Это было сделано в 1923году независимо друг от друга А.Комптоном и П.Дебаем. А.Комптон предложил для световых квантов термин “фотон”. Эффект Комптона есть результат упругого столкновения рентгеновских фотонов со свободными электронами вещества. У легких атомов рассеивающих веществ электроны слабо связаны с ядрами атомов, поэтому их можно считать свободными. В процессе столкновения фотон передает электрону часть своей энергии и импульса в соответствии с законами сохранения.
|
Рассмотрим упругое столкновение двух частиц – налетающего фотона, обладающего энергией E0=hν0 и импульсом p0=hν0/c, с покоящимся электроном, энергия покоя которого равна . Фотон, столкнувшись с электроном, изменяет направление движения (рассеивается). Импульс фотона после рассеяния становится равным p=hν/c, а его энергия . Уменьшение энергии фотона означает увеличение длины волны. Скорость электрона после столкновения нельзя считать пренебрежимо малой по сравнению со скоростью света и для его энергии необходимо использовать релятивистскую формулу , где pe – приобретенный импульс электрона. В силу закона сохранения энергии
. (4.2)
При возведении обеих частей равенства (4.2) в квадрат и упрощения получится соотношение
. (4.3)
По закону сохранения импульса импульс электрона равен разности импульсов первичного и рассеянного фотонов (см. диаграмму импульсов, рис.4.3):
. (4.4)
При возведении обеих частей равенства (4.4) в квадрат и умножении на получится соотношение
. (4.5)
Рис. 4.3. Диаграмма импульсов при упругом рассеянии фотона
на покоящемся электроне
Приравняв друг другу правые части выражений (4.3) и (4.5) можно получить
. (4.6)
Переход от частот к длинам волн , приводит к выражению, совпадающему с формулой Комптона (4.1):
. (4.7)
Таким образом, комптоновская длина волны Λ выражается через фундаментальные константы h, c и m:
нм. (4.8)
Наличие в рассеянном излучении наряду со смещенной линией с длиной волны λ несмещенной линии с первоначальной длиной волны λ0 (см. рис. 4.2) объясняется рассеянием части фотонов на электронах, сильно связанных с атомами. В этом случае фотон обменивается энергией и импульсом с атомом в целом. Из-за большой массы атома по сравнению с массой электрона атому передается лишь ничтожная часть энергии фотона
. (4.9)
Поэтому длина волны такого рассеянного излучения практически не отличается от длины волны λ0 падающего излучения.
. (4.10)
В опыте Комптона (см. рис. 4.1) наглядно проявляется корпускулярно-волновой дуализм света. Испускание рентгеновского излучения веществом анода рентгеновской трубки происходит квантами. На электроне также происходит рассеяние кванта излучения. При попадании рентгеновского излучения в кристалл (пространственную решетку) проявляются волновые свойства – происходит дифракция рентгеновского излучения на атомах кристалла и интерференция вторичных дифрагированных волн. Наконец, при фиксации излучения на фотоэмульсии рентгеновского спектрографа происходит поглощение кванта излучения ионом серебра.
|
|
|
Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!