Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом — КиберПедия


Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...

Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...

Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом



В качестве статических характеристик ПТ представляются функциональные зависимости между токами и напряжениями, прикладываемыми к их электродам: входная характеристика IЗ = f(UЗИ) при UСИ = const; характеристикаобратной связи I3=f(UСИ) при UЗИ = const; характеристика прямой передачи IС=f(UЗИ) при UСИ = const; выходнаяхарактеристика IС = f(UСИ) при UЗИ = const.

На практике широко используются лишь две последние характеристики, причем первую из них часто называют передаточной характеристикой.

Входная характеристика и характеристика обратной связи применяется редко, так как в абсолютном большинстве случаев входные токи ПТ пренебрежимо малы (от 10-8 до 10-12 А) по сравнению с токами, протекающими через элементы, подключенные ко входу.

На рисунке 4.2, а изображена характеристика прямой передачи IС =f(UЗИ).

а) б)
Рис. 4.2. Характеристики прямой передачи (а) и выходные (б) ПТ с управляющим p-n переходом.

При напряжениях на стоке UСИ > UЗИ0 характеристика прямой передачи хорошо описывается формулой

, (4.1)

где IС0 – ток стока при UЗИ=0.

На рисунке 4.2, б изображено семейство статических выходных характеристик IС =f(UСИ) при различных значениях напряжения затвора UЗИ. Каждая характеристика имеет три участка - омический (для UСИ < UЗИ0- UЗИ), насыщения (для UСИ > UЗИ0 - UЗИ) и пробоя. При UЗИ = 0 с увеличением напряже­ния UС ток IС вначале нарастает почти линейно, однако далее характеристика перестает подчиняться линейному закону; ток IС начинает расти медленнее, ибо его увеличение приводит к повышению падения напряжения в канале и потенциала вдоль канала. Вследствие этого увеличиваются толщина запирающего слоя и сопротивление канала в области, прилегающей к стоку, это приводит к замедлению возрастания самого тока IС. При напряжении насыщения UСИ = UЗИ0 сечение канала вблизи стока приближается к нулю и рост IС прекращается.

В омической области U < |UЗИ0 - UЗИ| ток стока определяется формулой

, (4.2)

где КПТ – постоянный коэффициент, зависящий от конструкции транзистора и свойства материала, из которого он изготовлен.

Значение КПТ можно выразить через параметры ПТ. Например, в случае ПТ с p-n переходом

(4.3)

Следующая характеристика, снятая при некотором обратном напряжении затвора UЗИ1, когда запирающий слой имеет большую толщину при тех же значениях UСИ, будет более пологой на начальном участке и насыщение наступит при меньших значениях UСИ1=UЗИ0 -UЗИ1.

При больших напряжениях на стоке наблюдается резкое увеличение IС, и, если мощность рассеивания на стоке превышает допустимую, то происходит необратимый пробой участка затвор-сток. При увеличении запирающего напряжения до UЗИ2 увеличивается разность потенциалов между затвором и стоком. В этом случае пробой наблюдается при меньшем напряжении UСИ на величину напряжения UЗИ2, т.е. UСИ2 = UСИ1- UЗИ2.



Если к p-n переходу затвор-канал прикладывать прямое напряжение, то обедненный слой уменьшается, и эффективная толщина проводящего канала увеличивается. Выходной ток в данном случае возрастает. Однако при определенных значениях отпирающего напряжения (превышающих 0,5 В для кремниевых приборов) возникают существенные прямые токи перехода затвор-канал, ток стока и входное сопротивление прибора в этом случае резко падают. Из-за этого в большинстве случаев применения ПТ работа с прямыми токами затвора нежелательна. Поэтому обычно транзисторы с p-n переходом используют при запирающих входных напряжениях.

Температурная зависимость тока стока связана с изменением подвижности основных носителей заряда в материале канала и изменением толщины p-n перехода. С повышением температуры увели­чивается собственная проводимость полупроводника, возрастает входной ток IЗ черед переход и, следовательно, уменьшается RВХ. У полевых кремниевых транзисторов с p-n переходом при комнатной температуре ток затвора порядка 1 нА. При увеличении температуры ток удваивается на каждые 10°С.

Особенность полевых транзисторов заключается в наличии у них термостабильной точки (ТСТ), т. е. точки, в которой ток стока прак­тически постоянен при различных температурах (рисунок 4.3). Это объясняется следующим образом. При повышении температуры из-за уменьшения подвижности носителе удельная проводимость канала уменьшается, а, следовательно, уменьшается и ток стока. Одновременно сокращается ширина p-n перехода, расширяется проводящая часть канала и увеличивается ток. Первое сказывается при больших токах стока, второе при малых. Эти два противоположных процесса при определенном выборе рабочей точки мо­гут взаимно компенсироваться.

Полевые транзисторы с p-n переходом целесообразно приме­нять во входных устройствах усилителей при работе от высокоомного источника сигнала, в чувствительной по току измерительной аппаратуре, импульсных схемах, регуляторах уровня сигнала и т. п.








Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...

Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...

Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...

Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...





© cyberpedia.su 2017-2020 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!

0.006 с.