Двойное оплодотворение у цветковых растений: Оплодотворение - это процесс слияния мужской и женской половых клеток с образованием зиготы...
Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
Топ:
Устройство и оснащение процедурного кабинета: Решающая роль в обеспечении правильного лечения пациентов отводится процедурной медсестре...
Техника безопасности при работе на пароконвектомате: К обслуживанию пароконвектомата допускаются лица, прошедшие технический минимум по эксплуатации оборудования...
Оценка эффективности инструментов коммуникационной политики: Внешние коммуникации - обмен информацией между организацией и её внешней средой...
Интересное:
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Средства для ингаляционного наркоза: Наркоз наступает в результате вдыхания (ингаляции) средств, которое осуществляют или с помощью маски...
Влияние предпринимательской среды на эффективное функционирование предприятия: Предпринимательская среда – это совокупность внешних и внутренних факторов, оказывающих влияние на функционирование фирмы...
Дисциплины:
2017-05-14 | 1501 |
5.00
из
|
Заказать работу |
Содержание книги
Поиск на нашем сайте
|
|
На рис. 1.16 и 1.17 приведены характеристики p-n переходов из германия и кремния при различных температурах. Из-за снижения контактной разности потенциалов (рис. 1.15) при прямом включении происходит увеличение тока для обоих типов p-n переходов.
а) б)
Рис. 1.15 Зависимость контактной разности потенциалов от температуры а), потенциальная диаграмма p-n перехода при различной температуре.
При обратном включении ток растет за счет увеличения числа неосновных носителей. Для германиевого p-n перехода напряжение теплового пробоя снижается, так как для требуемой мощности при увеличении тока необходимо подать меньшее напряжение.
Рис. 1.16 Зависимость ВАХ от температуры для p-n перехода из германия
Для кремниевого p-n перехода обратный ток так же растет, но напряжение лавинного (электрического) пробоя возрастает из-за снижения подвижности неосновных носителей.
Рис. 1.17 Зависимость ВАХ от температуры для p-n перехода из кремния
1.3.6 Емкости p-n перехода
Изменение внешнего напряжения dU на p-n переходе приводит к изменению накопленного в нем заряда dQ. Поэтому p-n переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого С = dQ/ dU.
В зависимости от физической природы изменяющегося заряда различают емкости барьерную (зарядную) и диффузионную.
Барьерная (зарядная) емкость определяется изменением нескомпенсированного заряда ионов при изменении ширины запирающего слоя под воздействием внешнего обратного напряжения. Поэтому идеальный электронно-дырочный переход можно рассматривать как плоский конденсатор, емкость которого определяется соотношением
, (1.41)
где П, d - соответственно площадь и толщина p-n перехода.
|
Из соотношений (1.41) и (1.31) следует
.
В общем случае зависимость зарядной емкости от приложенного к p-n переходу обратного напряжения выражается формулой
,
где C0 — емкость p-n перехода при UОБР = 0; g - коэффициент, зависящий от типа p-n перехода (для резких p-n переходов g = 1/2, а для плавных g = 1/3).
Барьерная емкость увеличивается с ростом NА и NД, а также с уменьшением обратного напряжения. Характер зависимости СБАР = f(UОБР) показан на рис. 1.18,а.
Рассмотрим диффузионную емкость. При увеличении внешнего напряжения, приложенного к p-n переходу в прямом направлении, растет концентрация инжектированных носителей вблизи границ перехода, что приводит к изменению количества заряда, обусловленного неосновными носителями в p- и n-областях. Это можно рассматривать как проявление некоторой емкости. Поскольку она зависит от изменения диффузионной составляющей тока, ее называют диффузионной. Диффузионная емкость представляет собой отношение приращения инжекционного заряда dQинж к вызвавшему его изменению напряжения dUпр, т. е. . Воспользовавшись уравнением (1.30), можно определить заряд инжектированных носителей, например дырок в n-области:
.
а) | б) |
Рис. 1.18 Зависимость барьерной (а) и диффузионной (б) емкостей p-n перехода от напряжения.
.
Тогда диффузионная емкость, обусловленная изменением общего заряда неравновесных дырок в n-области, определится по формуле
.
Аналогично для диффузионной емкости, обусловленной инжекцией электронов в p-область,
.
Рис. 1.19 Эквивалентная схема p-n перехода.
Общая диффузионная емкость
.
Зависимость ёмкости от прямого напряжения на p-n переходе показана на рисунке 1.19, б.
Полная емкость p-n перехода определяется суммой зарядной и диффузионной емкостей:
.
При включении p-n перехода в прямом направлении преобладает диффузионная емкость, а при включении в обратном направлении - зарядная.
На рис. 1.15 приведена эквивалентная схема p-n перехода по переменному току. Схема содержит дифференциальное сопротивление p-n перехода rД, диффузионную емкость СДИФ, барьерную емкость СБАР и сопротивление объема p- и n-областей r1. На основании уравнения (1.37) можно записать:
|
.
Если при прямом включении p-n перехода Uпр >> jт, то:
; .
При комнатной температуре ; (1.42)
(в соотношении (1.42) значение тока подставляется в амперах). Сопротивление утечки rУТ учитывает возможность прохождения тока по поверхности кристалла из-за несовершенства его структуры. При прямом включении p-n перехода СБАР << СДИФ, дифференциальное сопротивление rД ПР мало и соизмеримо с r1, поэтому эквивалентная схема принимает вид, показанный на рис. 1.20, а.
а) | б) |
Рис. 1.20 Упрощенные эквивалентные схемы p-n перехода.
При обратном смещении rД ОБР >> r1, СБАР >> СДИФ и эквивалентная схема имеет вид, показанный на рис. 1.20, б.
|
|
Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...
Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!