Подчеркните эти грамматические явления. Переведите предложения на русский язык.

 

5. Изложите основное содержание текста по-немецки в форме письменной аннотации, используя следующие выражения:

Der vorliegende Text heißt...? (Данный текст называется...)

Der Autor behandelt.... (Автор освещает...)

Eingangs wird/werden... beschrieben. (Вначале описывается...)

Weiter wird auf... eingegangen. (Затем останавливаются на...)

Anschließend wird... behandelt. (Вслед за этим освещается...)

Abschließend informiert der Text über.... (В заключение текст информирует о...)

ВАРИАНТ 5

Text А: AUS DER GESCHICHTE DER ELEKTRONIK

1. Geschichtlich wird die Entwicklung der Elektronik nach der Entwicklung der elektronischen Bauelemente eingeteilt. Die bisherigen Entwicklungsetappen lassen sich wie folgt zusammenfassen und als Generationen von Bauelementen erklären.

2. Die 1. Generation wurde durch die Entwicklung der steuerbaren Elektronenröhre eingeleitet. Mit ihrer Hilfe ließen sich erstmals schwache elektrische Signale stabil verstärken. Parallel zu Elektronenröhre erlangten weitere Bauelemente, z.B. Widerstände, Spulen, Kondensatoren, Schalter und später auch Spezialröhren (Mikrowellenröhren usw.) Bedeutung.

3. Die 2. Generation, Zeitalter der Halbleiterelemente, wurde durch die Erfindung des Transistors eingeleitet. Die wichtigsten Prinzipien Halbleiterelektronik waren bereits in den zwanziger und dreißiger Jahren bekannt. Die Bedarf an Halbleiterbauelemente stieg ungewöhnlich schnell. Und es wurden bereits damals polykristalline Halbleitergleichrichter hergestellt. Der Transistor verdrängte infolge vieler Vorteile die Elektronenröhre fast völlig. Die Schaltungen wurden zuverlässiger, kleiner, billiger. Ferner wurden Bauelemente für spezielle Anwendungen entwickelt, z.B. Tunneldioden, Thyristoren.

4. In der 3. Generation führte die weitere Entwicklung zu integrierten Festkörperschaltkreisen. In der 4. Generation führten die Forderungen nach größeren Bauelementendichten als Weiterentwicklung der 3. Generation zur Großintegration: ein Funktionsblock enthält meist 10 bis 100 einzelne Elemente, am meisten Transistoren. Mit der 5. Generation ist die Entwicklung der Integration der Bauelemente noch nicht abgeschlossen.

 

Пояснения к тексту:

1. Bedeutung erlangen - приобретать значение

2. für spezielle Anwendungen - зд.: для специальных целей

1. Прочитайте текст А и переведите его устно. Выпишите из текста предложения, подтверждающие следующие высказывания:

а) Транзистор почти полностью вытеснил электронные лампы.

б) Необходимость большей плотности конструктивных элементов привела к созданию функциональных блоков.

2. Выпишите из текста немецкие слова, являющиеся эквивалентами следующих слов и словосочетаний:

1. конструктивный элемент; 2. развитие; 3. сопротивление; 4. полупроводник; 5. полупроводниковый выпрямитель; 6. изготав­ливать; 7. схема;

8. преимущество; 9. управляемый; 10. переклю­чатель.

 

 

3. Выпишите из 3-го абзаца все сложное существительные, подчеркните в них основные слова, определите род этих существи­тельных, переведите их на русский язык.

 

4. Выпишите из 4-го абзаца один глагол слабого спряжения, один глагол сильного спряжения и один любой глагол с отделяемой приставкой. Проспрягайте эти глаголы в Präsens и Imperfekt Aktiv.

 

Выпишите из 3-го абзаца все прилагательные и наречия, укажите их степень сравнения и переведите на русский язык.

 

Text В: HALBLEITERDIODEN

 

1. Hableiterdioden besitzen gegenüber Röhrendioden beachtenswerte Vorteile. Bei einigen zehntel Volt haben sie einen höheren Leitwert als Röhrendioden; sie benötigen keine Heizung und verursachen deshalb keine Brummstörungen. Ihre geringe Eigenkapazität macht sie natürlich weitgehend frequenzunabhängig. Weitere Vorteile sind: kleine Abmessungen, geringes Gewicht, kein Vakuum. Sie ermöglichen einen sehr günstigen Einbau in den Stromkreis.

2. Nachteilig ist die verhältnismäßig große Temperaturabhängigkeit der Kennwerte.

3. Halbleiterdioden werden in Kleinleistungs- und Leistungsgleichrichtern, Detektoren, Mischern, Modulatoren, digitalen Schaltungen, Generatoren, Verstärkern, und anderen elektrotechnischen und elektronischen Schaltungen verwendet.

4. Die Klassifizierung der Dioden ist recht unterschiedlich. Man versuchte sie nach ihrer Herstellung zu klassifizieren und teilte die Dioden in Spitzen- und Flächendioden ein. Diese Ein­teilung ist unbefriedigend, da gleiche pn -Übergänge verschieden hergestellt werden können. Günstiger ist eine Einteilung nach den geforderten Eigenschaften und dem Verwendungszweck. Die Herstellungstechnologie wird in der Regel nach der vorgesehenen An­wendung der Dioden gewählt, deshalb können in einer Gruppe ver­schiedene Arten von pn -Übergängen auftreten.

5. Es erweist sich folgende Einteilung als vorteilhaft: Gleichrichterdioden, Universaldioden, Schaltdioden, Referenzdio­den, Varikapdioden, Tunneldioden, Mikrowellendioden (Detektor-, Mischer-, Generator-, Varaktordioden).

6. Der Hauptteil einer Halbleiterdiode ist der pn -Übergang. Die Strom-Spannungs-Kennlinie des pn -Überganges ist temperaturabhängig, der Sättigungsstrom steigt exponentiell mit der Temperatur. Der Durchlassstrom des pn -Überganges ist dagegen nur schwach temperaturabhängig. Temperaturabhängig ist hauptsächlich der Minoritätsträgerstrom. Der durch die Störungen des pn -Überganges und durch Oberflächenrekombination bedingte Reststrom ist nur gering temperaturabhängig. Werden die Temperaturen höher, so bildet er nur einen kleinen Teil des Gesamtsperrstromes. Die Temperaturabhängigkeit des Sperrstromes begrenzt die Anwendungsmöglichkeitdes pn -Überganges auf einen bestimmten Temperaturbereich. So liegt z.B. die obere Temperatur etwa 200°С. Die Temperatur des pn -Überganges ist von der Umgebungstemperatur und von der im pn -Übergang umgesetzten Leistung abhängig.

7. Bei höheren Umgebungstemperaturen ist deshalb die Belastung entsprechend zu reduzieren, damit im pn -Übergang die zulässige Temperatur nicht überschritten wird.

 

Пояснения к тексту

Brummstörungen pl - помехи, вызванные фоном (переменного тока)

digital -цифровой

Diode f -диод

Flächendiode f -плоскостной диод

Gleichrichterdiode f -выпрямительный диод

Halbleiterdiode f -полупроводниковый диод

Mikrowellendiode f -сверхвысокочастотный диод

Referenzdiode f -опорный диод

Schaltdiode f -переключающий диод

Spitzendiode f -точечный полупроводниковый диод

Kennwert m -параметр; показатель; характеристическая величина

pn -Übergang m - pn - переход; переход pn – типа; дырочноэлектроный переход

Strom m -ток

Durchlassstrom m -прямой ток

Minoritätsträgerstrom m -ток неосновных носителей заряда

Reststrom m - остаточный ток

Sättigungsstrom m -ток насыщения

Sperrstrom m -запирающий ток; блокирующий ток

Stromspannungskennlinie f -характеристика напряжения тока

in der Regel -как правило; обыкновенно

 

Задания к тексту В