Историки об Елизавете Петровне: Елизавета попала между двумя встречными культурными течениями, воспитывалась среди новых европейских веяний и преданий...
Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...
Топ:
Определение места расположения распределительного центра: Фирма реализует продукцию на рынках сбыта и имеет постоянных поставщиков в разных регионах. Увеличение объема продаж...
Марксистская теория происхождения государства: По мнению Маркса и Энгельса, в основе развития общества, происходящих в нем изменений лежит...
Генеалогическое древо Султанов Османской империи: Османские правители, вначале, будучи еще бейлербеями Анатолии, женились на дочерях византийских императоров...
Интересное:
Аура как энергетическое поле: многослойную ауру человека можно представить себе подобным...
Влияние предпринимательской среды на эффективное функционирование предприятия: Предпринимательская среда – это совокупность внешних и внутренних факторов, оказывающих влияние на функционирование фирмы...
Отражение на счетах бухгалтерского учета процесса приобретения: Процесс заготовления представляет систему экономических событий, включающих приобретение организацией у поставщиков сырья...
Дисциплины:
2017-10-11 | 278 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Для генерации оптического излучения используются два механизма: либо тепловое излучение нагретых до высокой температуры (более 2000 К) тел, либо одна из разновидностей люминесценции. Под люминесценцией обычно понимают нетепловое электромагнитное излучение, которое сохраняется в течение некоторого времени после окончания возбуждения.
Приборы, основанные на превращении теплой энергии в энергию излучения, имеют очень широкий спектр, полное отсутствие направленности излучения, низкий КПД, высокую инерционность, низкую устойчивость к механическим воздействиям и небольшой срок службы. Кроме того, они не совместимы с интегральной технологией, поэтому применяются в оптоэлектронике ограничено.
Физические процессы, лежащие в основе люминесценции, предопределяют две важные особенности: узкий спектр излучения и возможность использования большого числа способов возбуждения. Наибольшее применение в оптоэлектронике нашли электролюминесценция, а также фото- и катодолюминесценция. Упрощенно механизм генерации электромагнитных волн может быть представлен следующим образом. В люминесцирующем веществе за счет энергии внешнего воздействия часть электронов с нижних равновесных уровней переходит на уровни с большей энергией , а затем в результате быстрых безизлучательных переходов оказывается на метастабильном уровне возбуждения (рис. 5.34 1 – быстрые безизлучательные переходы; 2 – рабочий переход). При возвращении этих электронов с уровня на уровень происходит испускание фотонов с длительной волны, определяемой соотношением
Если переход электронов с возбужденного уровня на равновесны происходит спонтанно, т.е. произвольно для каждого атома, то источник генерирует естественное излучение. Однако при воздействии на возбужденные атомы световой волны с частотой, соответствующей резонансной частоте перехода , может возникнуть такой процесс, при котором все возбужденные атомы практически одновременно испускают фотоны. В этом случае излучение всех осцилляторов согласовано по частоте, фазе и направлению поляризации. Подобный источник называют когерентным, а его излучение – вынужденным или индуцированным.
|
Рисунок 5.34. Механизм генерации электромагнитных волн
Широко распространенными источниками излучения в оптоэлектронике являются полупроводниковые светодиоды. К преимуществам этих приборов относятся большой КПД, относительно узкий спектр излучения и хорошая диаграмма направленности, высокое быстродействие и малое напряжение питания, что обеспечивает удобство согласования с интегральными микросхемами, высокую надежность, долговечность и технологичность.
Работа светодиодов основана на инжекционной электролюминесценции, т.е. генерации оптического излучения в pn-переходе, находящимся под прямым внешним напряжением. Обычно излучающей является область только по одну сторону pn-перехода, поэтому для увеличения количества инжектированных носителей в активной зоне в p-область вводится меньше акцепторной примеси, чем в n-область донорной. За счет этого в излучающей структуре инжекция протекает практически только в одну сторону.
|
|
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов (88‰)...
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
Историки об Елизавете Петровне: Елизавета попала между двумя встречными культурными течениями, воспитывалась среди новых европейских веяний и преданий...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!