Проект «НЦ Зеленоград»1962-1990

Центр микроэлектроники в Зеленограде

 

К начале 60-х годов прошлого столетия технология сборки радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) из дискретных элементов исчерпала свои возможности. Мир пришел к острейшему кризису РЭА, требовались радикальные меры. В СССР в этот момент (март 1961г) электронная промышленность выделяется в самостоятельную отрасль (Госкомитет по электронной технике — ГКЭТ, преобразованный затем Министерство электронной промышленности), министр А. И. Шокин.

К этому времени и в СССР, и за рубежом уже созрели предпосылки для создания полупроводниковых и гибридных интегральных схем (ИС) — были промышленно освоены планарные технологии производства как полупроводниковых транзисторов, так и толстопленочных и тонкопленочных керамических печатных плат. Вопрос был лишь в том, кого первым озарит счастливая идея ИС. Первыми оказались Jack Kilby из Texas Instruments (TI) и Robert Noyce из Fairchild Semiconductor в США. В 1958 г. они изготовили первые ИС: J. Kilby на германии, R. Noyce на кремнии. Третьим в 1959 г. был Б. В. Малин из НИИ «Пульсар», работавший на германии. Это были полупроводниковые ИС. Одновременно с ними появились и гибридные ИС. Причем и американские, и наши специалисты наиболее интенсивное развитие предрекали гибридным ИС, считая, что полупроводниковые ИС станут доминирующими только к 1980 г.

К 1959-1960 гг. относится начало работ в Пульсаре по созданию планарной технологии кремниевых приборов. В конце 1961 г. в Пульсаре сформирован отдел микроэлектроники, начальник Б. В. Малин.

Первопроходцы

Еще с начале пятидесятых годов главный инженер Ф. В. Лукин КБ-1 организовал активные работы по микроминиатюризации РЭА на имевшейся тогда элементной базе. (Напомним, что КБ-1, созданный и ориентировванный для разработки систем противо-воздушной и противоракетной обороны особенно остро нуждался в компактной и надежной электронике) Но к концу 50-х годов стало ясно, что требуются более радикальные методы. Вот тогда-то Ф. В. Лукин и поручил А. А. Колосову, одному из наиболее активных, грамотных и заинтересованных в решении этой проблемы специалистов, досконально изучить подходы к микроминиатюризации по иностранным и отечественным источникам. Результаты этой работы были обобщены в 1960 г. в небольшой монографии А. А. Колосова «Вопросы микроэлектроники», которая стала учебником для многих специалистов. В ней автор прекрасно обосновал необходимость и своевременность начала широкомасштабных работ по исследованию проблем, связанных с созданием интегральных схем, и изложил новые принципы создания РЭА. В 1960 г. Ф.В. Лукин поручил А. А. Колосову создание в КБ-1 лаборатории по микроэлектронике. Лаборатория приступает к активной работе, привлекая к ней многочисленные НИИ и ВУЗы в качестве контрагентов. Идеи микроэлектроники начали распространяться по стране. Так Ф. В. Лукин, сам того не подозревая, начал готовить теоретический задел и кадры для Центра микроэлектроники в Зеленограде, который через три года ему предстояло создавать.

В это же время А. И. Шокин с группой специалистов из аппарата ГКЭТ пришел к выводу о необходимости создания и развития принципиально новой подотрасли — микроэлектроники. Именно подотрасли, т.е. системы научно-исследовательских институтов (НИИ), конструкторских бюро (КБ), опытных и серийных заводов, распределенных по всей стране и решающих все специальные проблемы по освоению и тиражированию изделий микроэлектроники. С 1959 г. он направлял группу специалистов в США на стажировку и изучение планарной кремниевой технологии. И когда А. А. Колосов обратился к К.И. Мартющову (заместителю А. И. Шокина) с результатами своих работ и усилий по координации,, он встретил полное понимание.

К.И. Мартющов предложил организовать конференцию, куда собрать нужных руководителей и специалистов из разных ведомств Такая конференция состоялась в конце 1961 г. С основным докладом выступил А. А. Колосов, с содокладом о системах памяти — Ф. Г. Старос, директор СКБ-2 в Ленинграде. Затем А. А. Колосова и К.И. Мартюшова пригласили к А.И. Шокину, обсудили проблему и пришли к выводу о необходимости создания единого Центра микроэлектроники (ЦМ).

Идея ЦМ состояла в образовании инновационного центра микроэлектроники — локально размещенного функционально полного комплекса НИИ с опытными заводами, решающего все специфичные проблемы создания и применения ИС. В ЦМ должны разрабатываться специальные материалы, технологическое и контрольно-измерительное оборудование, непосредственно ИС, РЭА на их основе. Все это должно отрабатываться на опытных заводах и передаваться для массового тиражирования на серийные заводы. В СССР уже умели создавать научно-производственные центры (Фрязино) и А.И. Шокин имел соответствующий опыт.

 

Для создания подобного ЦМ было необходимо выделение небольшого автономно, но близко от Москвы расположенного города и создание в нем НИИ и опытных заводов. Место для такого города было найдено. С 1958 г. у станции Крюково вблизи от Москвы для легкой промышленности уже велось строительство города-спутника (название «Зеленоград» он получил в 1963 г.). Но для развертывания работ по созданию ЦМ требовалось постановление партии и правительства, а для его выхода было нужно согласие первого секретаря ЦК КПСС и Н. С. Хрущева. А.И. Шокин начал подготовку.

Постановление

Главной базой для подготовки постановления о создании ЦМ и всех сопутствующих документов, плакатов и экспонатов стал НИИ «Пульсар». Курировали подготовку В. Н. Малин (зав. Общего отдела ЦК КПСС), И. Д. Сербин (зав. Оборонного отдела ЦК КПСС) и Л.В. Смирнов (Председатель Военно-промышленной комиссии). В начале 1962 года А. И. Шокин добился согласия Н. С. Хрущева на проведение небольшой выставки с докладом в перерыве заседания Президиума ЦК КПСС. Здесь важно,что Н. С. Хрущев идею уже воспринял и с ходу не отверг. Мероприятие состоялось, и Н.С. Хрущев согласился на дальнейшее рассмотрение предложения. Он не просто согласился, но, похоже, выделил для себя проблему микроэлектроники, как важную: вскоре, в марте 1962 когда ему доложили о проблемах стоительства города –спутника, Н. С. Хрущев сказал: «Надо переговорить насчет микроэлектроники». И, по-видимому, переговорил с А.И. Шoкиным — вскоре в «Спутник» на рекогносцировку приехал Ф. Г. Старос.

Параллельно с подготовкой постановления планомерно разворачивались работы по созданию технологии производства гибридных (в СКБ-2) и планарных (в Пульсаре) интегральных схем.

Для окончательного решения нужна была ситуация, в которой сошлись бы Н. С. Хрущев, микроэлектроника и демонстрация ее преимуществ на понятном ему примере. А. И. Шокин такую ситуацию создал. 4 мая 1962 года в Ленинграде планировалось совещание с участием Н. С. Хрущева по проблемам судостроения, а одной из важнейших проблем была бортовая электроника. А. И. Шокин применил весь свой организационный опыт и аппаратное искусство, и совмещение нужных событий во времени и пространстве наконец состоялось. Устроив посещение КБ Староса Хрущевым перед совещанием, Александр Иванович удачно использовал козыри, которые в данной ситуации были у Ф.Г. Староса: его КБ было в Ленинграде; у него было чем удивить; к показу была подготовлены компактная ЭВМ УМ-1 для оснащения подводных лодок и бытовой приемник «Микро»

. Они были изготовлены на основе миниатюрных и бескорпусных дискретных элементов, т.е формально еще не были изделиями микроэлектроники, но поражали малыми размерами, а это понятно большим начальникам. И визит хорошо удался: «УМ-1» и радиоприемник произвели на Н.С. Хрущева необходимое впечатление. Там же А. И. Шокин доложил проект Постановления о создании ЦМ в «Спутнике», в целом одобренный Хрущевым. После интенсивных согласований, 8 августа 1962 года Постановление ЦК КПСС и СМ СССР было подписано.

Как обычно в подобных случаях, это было концептуальное постановление, первое в череде за ним последовавших. В нем узаконивалось, что ЦМ быть, что быть ему в городе-«Спутнике» и что отныне проблема создания и развития отечественной микроэлектроники обрела характер национальной задачи.

Были определены самые общие положения концепции построения ЦМ, в т.ч.:

1) Определен комплексный характер ЦМ с организацией всех основных необходимых НИИ и опытных заводов для разработки и производства интегральных схем(ИС);

2) ЦМ придан статус головной организации в стране по микроэлектронике с задачами:

а) Обеспечение разработок и опытного производства ИС на мировом техническом уровне в интересах обороны страны и народного хозяйства;

б) Обеспечение перспективного научного задела;

в) Разработка принципов конструирования радиоэлектронной аппаратуры и ЭВМ на основе микроэлектроники, организация их производства, передача этого опыта соответствующим организациям страны;

г) Унификация ИС, условий их применения в аппаратуре на предприятиях страны;

д) Подготовка кадров, в том числе специалистов высшей квалификации.

3) Определено локальное размещение ЦМ в «Спутнике», где ЦМ становится градообразующей системой.

Постановлением был определен первоначальный вариант состава предприятий ЦМ — пять новых НИИ с тремя опытными заводами: НИИ теоретических основ микроэлектроники, НИИ микросхемотехники, НИИ технологии микроэлектроники, НИИ машиностроения, НИИ специальных материалов, и даны соответствующие задания по их созданию.

Необходимо еще раз отметить, что создание ЦМ не было обособленной акцией, это была часть более крупной программы создания новой подотрасли — микроэлектроники, инициатором и организатором реализации которой был А. И. Шокин. В различных регионах страны: в Москве, Ленинграде, Киеве, Минске, Воронеже, Риге, Вильнюсе, Новосибирске, Баку и других местах начиналось перепрофилирование имеющихся предприятий ГКЭТ или создание новых НИИ с опытными заводами и серийных заводов с КБ для разработки и массового производства интегральных схем, специальных материалов, технологического и контрольно-измерительного оборудования. Таким образом, ЦМ был всего лишь частью огромного проекта.

Следует учитывать так же особые условия создания и развития отечественной микроэлектроники. Электронная промышленность стран Европы, США, Японии, какой бы жесткой ни была конкуренция между фирмами, были участниками широкой международной кооперации. Наша микроэлектроника была полностью исключена из нее. США создали специальный международный (17 стран) комитет (КОКОМ — «Координационный комитет по экспорту стратегических товаров в социалистические страны» —контролирующий все научно-технические и торгово-экономические взаимоотношения западного мира сс СССР. КОКОМ разработал положение и огромный — в 250 страниц — свод правил, по которым СССР нельзя было продавать не только передовые технологии и изделия, принадлежавшие к области любой высокой технологии, и в первую очередь к микроэлектронике и вычислительной технике, но технологическое и измерительное оборудование, материалы, прецизионное станочное оборудование и т.д. Иными словами в нашей электронной промышленности все приходилось делать самим. Конечно, спецслужбам частично удавалось пробивать окружающую нас стену КОКОМ и через третьи страны добывать кое-какие изделия, документацию, материалы и оборудование. Но добывалось далеко не все и в мизерных количествах, только посмотреть и пощупать. Разрабатывать все это и тиражировать в нужных объемах приходилось самим. Иногда полученные образцы копировались, но точную копию сделать было невозможно из-за отличий материалов, технологий, оборудования и т.п. Иногда делали функциональные аналоги. Иногда делали полностью собственные разработки. Но всегда разрабатывали и тиражировали сами. Сразу же после выхода Постановления команда А. И. Шокина приступила к созданию ЦМ (позже Научный центр — НЦ). Постановлением ЦМ было дано право принимать на работу специалистов из любой точки СССР, привлекательны были возможности семейного устройства и гарантии быстрого решения жилищных вопросов А профессионалы и научный задел в микроэлектронике, благодаря предварительным действиям А. И. Шокина, Ф. В. Лукина и А.А. Колосова, к моменту подписания Постановления в стране уже имелись. Началось образование НИИ с опытными заводами: 1962 г. — НИИ Микроприборов (НИИ МП) с заводом «Компонент» и НИИ Точного машиностроения (НИИ ТМ) с «Элионом»; 1963 г. — НИИ Точных технологий (НИИ ТТ) с «Ангстремом» и НИИ Материаловедения (НИИ МВ) с «Элмой»; 1964 г. — НИИ Молекулярной электроники (НИИ МЭ) с «Микроном» и НИИ Физических проблем (НИИ ФП); 1965 г. Московский институт электронной техники (МИЭТ) с «Протоном» (в 1972 г.); 1968 г. — Центральное бюро по применению интегральных микросхем (ЦБ ПИМС): 1969 г. — Специализированный вычислительный центр (СВЦ) с «Логикой» (в 1975 г.). К началу 1971 г. в НЦ, в Зеленограде работало 12,8 тыс. человек. В 1976 г. на базе НЦ было создано НПО «Научный Центр» — 39 предприятий в разных городах страны, на них работало около 80 тыс. человек.

Единой организации в ЦМ сначала не было, его предприятия подчинялись 4-му Главку ГКЭТ. Первыми были образованы НИИ МП и НИИ ТМ. Назначенные директора И. Н. Букреев и Е.Х. Иванов набирали специалистов и организовывали работу НИИ пока на временных площадях. Им помогали работники Главка и ГКЭТ. Принимал участие и Ф.Г. Старос. Вот как об этом вспоминает И. Н. Букреев: «Старос активно помогал мне. Специалисты НИИ МП стажировались у него в Ленинграде. Кроме того, в 1963 г. он передал нам 4 спроектированные его КБ вакуумные установки для напыления тонких пленок (первые в стране). Мы сразу же стали осваивать технологию и благодаря этому к 1964 г. появились первые микроэлектронные изделия. А если бы ждали, пока построят наш институт машиностроения, потеряли бы года 2-3.» Делился Ф. Г. Старос с ЦМ и своими идеями и заделом: в НИИ МП была заново реализована идея микроприемника, уже на основе микроэлектронной технологии. Ангстрем выпускал разработанный ленинградцами блок памяти на многоотверстных ферритовых пластинах «Куб-2», а в НИИ ТТ его идея была творчески переработана и разработан более технологичный и надежный вариант «Куб-3». Наверное, имеются и другие примеры. Ф. Г. Старос действительно внес определенный вклад в подготовку создания НЦ. Он был одним из активных членов большой команды, и в этой команде он стоял в первых рядах

В 1963 г. Ф.В. Лукин был назначен заместителем Председателя ГКЭТ, а позже. — директором ЦМ. Его заместителем по науке был назначен Ф. Г. Старос, оставаясь начальником ленинградского КБ. Но Ф.Г. Старос имел амбиционные планы на пост директора ЦМ. Не получив ожидаемого — обиделся и фактически самоустранился от выполнения функций заместителя директора. Во вред себе и тому делу, на организацию которого положил немало сил. … После назначения Лукина он больше в Зеленограде не появлялся».

Руководители создаваемого ЦМ пропадали на работе только что не круглыми сутками,. В это по-настоящему горячее время Ф. Г. Старос бывает в Зеленограде только наездами, игнорируя еженедельные планерки. То есть в тяжелой повседневной работе по созданию электронной промышленности, которая требовала не только знаний, но и самоотверженности, он практически не участвует. В результате в 1964 году появляется приказ об освобождении Ф. Г. Староса от должности зам. директора ЦМ.

 

Первые результаты

ЦМ сразу приступил к созданию принципиально новой продукции. Уже в мае 1963 г. в НИИ ТМ были созданы первые образцы вакуумного напылительного оборудования. Во второй половине 1963 г., когда в НИИ МП уже были получены первые результаты по тонкопленочной технологии, был разработан радиоприемник «Микро». Первая его модель была приемником прямого усиления, а вторая, чуть больше по размерам, уже супергетеродинный. Когда в 1964 году И. Н. Букреев привез этот приемник в США на съезд радиоинженеров, он произвел там мировую сенсацию! Статьи в газетах, фотографии: как СССР смог нас обогнать? «Микро» продавали потом за валюту во Францию и Англию. Хрущев брал их с собой за границу как сувениры, дарил Г. Насеру, королеве Елизавете.

Радиоприемник «Микро», выполненный по тонкопленочной технологии, был первым в стране изделием микроэлектроники, поступившим в серийное производство. Разработан приемник был во второй половине 1963 г. в НИИ МП, а его серийное производство в 1964 г. было освоено Ангстремом, который выпустил их около 80 тыс. шт., после чего передал серийному заводу Минрадиопрома в Минске. До середины семидесятых годов этот микроприемник можно было купить в магазинах СССР и Франции.

Уже в 1964 г. НИИ ТТ приступил к созданию серии толстопленочных ГИС «Тропа» (ГК — А. К. Катман). Никаких технических материалов и литературы по этому направлению не было, были только фотографии микросхем, выпускаемых фирмой IBM. Всю работу начали с нуля: разработку схемотехники, конструкции, материалов, технологии и оборудования, все делали сами.

В 1965 г. Микрон начал выпуск первой в Зеленограде полупроводниковой ИС «Иртыш» (ГК — А. П. Голубев), разработанной в НИИ МЭ на основе планарной технологии, созданной в «Пульсаре» и поставленной на «Микроне».

В 1966 г. Элма уже выпускает 15 видов разработанных в НИИ МВ специальных материалов, а Элион — 20 типов созданного в НИИ ТМ технологического и контрольно-измерительного оборудования. В 1969 г. Ангстрем и Микрон выпускают уже более 200 типов ИС, а к 1975 г. в НЦ были разработаны 1020 типов ИС. Все это передавалось на серийные заводы. И это было только начало.

Результаты работы НЦ многие годы неплохо смотрелись на уровне мировой микроэлектроники. Уже первое его изделие — радиоприемник «Микро», не имел равных в мире. Первые гибридные ИС соответствовали мировому уровню. Кстати, первыми в мире ИС, облетевшими Луну (в 1969 г.) и вернувшимися на Землю, были ангстремовские «Тропы». В полупроводниковых ИС мы сначала заметно отставали, но вскоре догнали мировых лидеров. В семидесятые годы наиболее преуспевающей полупроводниковой компанией в мире была фирма Intel. Динамическое ОЗУ емкостью 4К бит Intel выпустила в 1974 г. — Ангстрем в 1975, 16К бит соответственно в 1977 и начале 1978 г., а 64К бит обе фирмы выпустили на рынок в 1979 г., практически одновременно. Аналогичная ситуация была и у НИИ МЭ. В начале семидесятых годов директор НИИ МЭ К.А. Валиев ездил в США на ф. Motorola и показал там ИС серии 500 (аналог МС10000). Исследовав образцы, специалисты фирмы констатировали, что при идентичности топологии, ИС серии 500 имеют более высокое быстродействие, чем их схемы, и были вынуждены констатировать, что наша технология лучше. Имеется ряд других подобных примеров.

Кульминацией этого соревнования стал 1979 г., когда в НИИ ТТ была разработана однокристальная 16-разрядная ЭВМ К1801ВЕ1 с архитектурой «Электроника НЦ» (в нынешней терминологии — микроконтроллер). Такой ЭВМ за рубежом тогда еще не было. В целом в период с 1964 по 1980 гг. отставание разработок в НЦ по различным типам ИС по сравнению с высшими мировыми достижениями колебалось в пределах от 0 до 3 лет. Иногда вырывались вперед. Но примерно такая же динамика была и у ведущих зарубежных фирм — они то немного отставали от конкурентов, то опережали их. Т.е. можно утверждать, что разработки Зеленоградского НЦ в те годы в целом соответствовали мировому уровню. Однако по объемам выпуска интегральных схем отрасль в целом значительно отставала от зарубежного уровня — средств для развития производственных мощностей серийных заводов (а они в микроэлектронике очень дороги) в стране не хватало. В результате резко возросла нагрузка на опытные заводы НЦ, они, в основном, оказались загруженными серийным производством интегральных схем. Это начало пагубным образом сказываться на дальнейших перспективах развития микроэлектроники. Возможности отработки на опытных заводах новых материалов, процессов, технологических маршрутов, оборудования и изделий оказались резко ограничены. В связи с этим и по ряду других причин примерно с 1980 г. началось прогрессирующее отставание советской микроэлектроники от зарубежного уровня. Но это уже другая история.

 

 

6.4 ПРОЕКТ Центр электронного материаловедения - Калуга
По многим причинам интересна история этого проекта, одного из последних доперестроечных проектов Минэлектронпрома. Он показывает тесную связь науки и наукоемкого производства, динамику развития научно-промышленного комплекса практически с нулевой отметки, весьма характерную для российской электроники в целом. Проект интересен и тем, что на протяжении нескольких десятилетий в нем участвовали сотрудники кафедры Технологии материалов электроники МиСиС. Поэтому история проекта будет изложена его непосредственным участником и исполнителе, организатором и многолетним директором ВНИИМЭТ-Ф.И.Бусолом. Статья, написанная им ориентировочно в 2000-2002г, применительно к задачам учебного пособия существенно сокращена, главным образом в части сведений о персоналиях того этапа истории проекта, о котором рассказывает автор. Публикация согласована с автором

Калужские вехи временных лет (Феликс Иосифович Бусол)

«Хотелось бы поделиться своими личными воспоминаниями о событиях, связанных с созданием, становлением и развитием ВНИИ материалов электронной техники, ставшего признанным флагманом электронного материаловедения страны. Автору посчастливилось пройти с этим институтом многие годы, начиная от момента его основания.

Характерной особенностью деятельности наших земляков — выдающихся российских ученых является то, что абсолютное большинство из них проводило исследования вне Калужского края. И это не удивительно, так как вплоть до середины XX века вся наука в России развивалась в основном в Московском и Петербургском университетах. В Калужской же губернии, как и во многих других, не было ни одного научного учреждения.

Калужская область к началу 1980-х годов по своему научно-техническому потенциалу вошла в число лидеров не только Центрального региона, но и страны в целом. И, что не менее важно, она остается в их числе даже в постперестроечный период, когда финансирование науки уменьшилось в разы и везде произошел значительный отток кадров.

Близость к Москве с ее огромным научно-техническим потенциалом, славное историческое прошлое, быстро развивающаяся промышленность, предопределили уже в первые послевоенные годы стремительное развитие в регионе научных учреждений по самым актуальным для страны направлениям деятельности

Следует отметить, что многим вновь создаваемым институтам устанавливался статус «всесоюзных НИИ», определявших их роль как головных в отдельных отраслях промышленности. Это привело к появлению целой плеяды талантливых руководителей научных коллективов, а также молодых ученых, конструкторов, инженеров.

Таким центром на территории региона стал ВНИИМЭТ — Всесоюзный научно-исследовательский институт материалов электронной техники Министерства электронной промышленности СССР.

Его начало относится к далекому 1962 году, когда Советом Министров СССР было принято постановление о создании в Государственном комитете по электронной технике целого ряда новых институтов по различным направлениям приборостроения и материаловедения, в том числе ВНИИ материалов электронной техники, в Калуге. Оно было продиктовано необходимостью резкого ускорения развития электронной промышленности как базы для создания изделий радиопромышленности, систем управления в оборонных и других отраслях промышленности.

По мере ввода новых институтов в число действующих Госкомитет по электронной технике в 1965 году был преобразован в Министерство электронной промышленности СССР. Министром был назначен А. И. Шокин, который в итоге создал эту «невероятную промышленность». Добавлю от себя: он создал и ее электронное материаловедение, развитие которого на протяжении более двух десятков лет нашей совместной работы относил к числу наиболее приоритетных задач МЭП.

Главными разработчиками структуры и задания на проектирование ВНИИМЭТа были главный инженер, а затем начальник Главного управления МЭП по направлению «Специальные материалы» Авенир Сергеевич Гладков и начальник отдела Анатолий Иванович Калмыков. это были настоящие руководители, которые постоянно оказывали огромную помощь институту во всех вопросах, связанных с его строительством и развитием.

На начальном этапе главной задачей был выбор и согласование с городскими организациями площадки для строительства здания ВНИИМЭТа. Местом для строительства выбрали жилой квартал практически в центральной зоне Калуги. Одновременно было согласовано и строительство пятиэтажного учебного корпуса на улице Гагарина для филиала МВТУ им. Н. Э. Баумана, открытого в Калуге в 1959 году.

Первым введенным в эксплуатацию объектом (октябрь 1964 года) был корпус временного размещения, построенный на базе бывшего детского сада. В связи с этим в ноябре 1964 года приказом Государственного комитета по электронной технике ВНИИМЭТ был введен в число действующих предприятий — этот день и считается датой его создания.

Были установлены основные задачи института: определение направлений создания новых материалов для электронной техники; разработка и внедрение прогрессивных технологий и оборудования для их серийного производства; исследование свойств, испытание в изделиях и внедрение новых материалов, обеспечивающих увеличение надежности, долговечности и мощности электронных приборов;

С этого момента начато формирование структуры и кадрового потенциала института. Уже в начале 1965 года были организованы лаборатории вакуумной плавки металлов, обработки металлов давлением, оксидных катодов, отдел научно-технической информации.

В начале научной деятельности ВНИИМЭТом планировались и выполнялись работы по получению и внедрению в производство новых материалов лишь на основе металлов и сплавов — это видно и из названий первых лабораторий.

Может показаться странным: как же так, а полупроводники? Ведь в этот период времени в США и других странах на основе изобретенного в 1948 году транзистора и создания в 1960 — 1961 годах первых интегральных схем стремительно развивалась полупроводниковая электроника.

Ответ прост. Во-первых, буквально за три дня до выхода упомянутого выше правительственного постановления было принято Совмина СССР о создании под Москвой в районе станции Крюково (будущий город-спутник Зеленоград) мощного Научного центра микроэлектроники в составе пяти новых НИИ и трех опытных заводов. Одним из этих институтов должен был стать Научно-исследовательский институт материаловедения, на который и возлагались задачи по исследованиям полупроводниковых материалов. Поэтому о дублировании этих работ в Калуге в тот период времени не могло быть и речи.

Во-вторых, специальные металлические материалы и изделия из них были и остаются в настоящее время важнейшими структурными элементами практически всех изделий электронной техники — от резисторов и конденсаторов до мощных магнетронов и других электровакуумных приборов, газовых лазеров и источников высокоинтенсивного света.

Однако, как будет видно из дальнейшего, насущные потребности электроники во все новых и новых материалах привели к быстрому росту их номенклатуры и в тематике ВНИИМЭТа (полупроводники, диэлектрики, магнитные материалы и т. д.). Но при этом направление, связанное с металлами и их сплавами, всегда оставалось лидирующим в институте по важнейшим технико-экономическим показателям.

Главной кузницей кадров для ВНИИМЭТа на первом этапе его развития стал Харьковский физико-технический институт Академии наук УССР. Когда мы с Андреем Михайловичем Гончаренко, приглашенным на должность главного инженера, ознакомились с проектом ВНИИМЭТа, почувствовали перспективы его развития и значимость для отрасли, когда побывали в Калуге и были очарованы ее милой провинциальностью и прекрасной природой вокруг, когда директор ХФТИ В.Е Иванов заявил нам, что мы можем отбирать для работы в Калугу любого сотрудника — наш выбор был предопределен. Ведь молодость — это риск, это стремление в неизведанное, это, наконец, желание проявить себя как личность.

К тому же нам было известно, что именно таким путем, то есть путем деления, по инициативе нашего крупнейшего ученого, директора Ленинградского физтеха, академика Абрама Федоровича Иоффе был создан в 1928 году сам Харьковский физтех и еще ряд других подобных институтов. Более того, на базе ХФТИ уже тогда были созданы в Харькове два новых института — Физико - технический институт низких температур и Институт радиоэлектроники с переводом в них двух крупных соответствующих лабора­торий. Так что все развитие действительно идет по спирали: придет время, и на базе ВНИИМЭТа также будут созданы новые предприятия как научного, так и производственного профилей.

Это позволило заложить в основу научной деятельности нашего института лучшие традиции Харьковского физтеха, которые, в свою очередь, были позаимствованы у Ленинградского физтеха. Замечательные ученые, создатели харьковских научных школ- академики Л. Д. Ландау и И. М. Лифшиц, К. Д. Синельников и A. К. Вальтер, А. И. Ахиезер и Я. Б. Файнберг, Б. Г. Лазарев и Б. И.Веркин — это они были нашими учителями.

В январе 1966 года на работу в Калугу была направлена группа выпускников-физиков и несколько молодых ученых Харьковского университета: Станислав Сергеевич Стрельченко, Слава Андреевич Бондарь и другие — все они стали ведущими специалистами института, известными учеными. Один из них — кандидат наук Александр Андреевич Матяш, нынешний генеральный директор ОАО «НИИМЭТ».

Статус калужского института как Всесоюзного НИИ, перспективы научного роста, решение социальных вопросов способствовали привлечению в институт ученых из Москвы, Ленинграда, Киева, Новосибирска, Томска, Рязани.

В подготовке молодых специалистов для ВНИИМЭТа огромную роль сыграл Московский институт стали и сплавов. Огромная благодарность его коллективу. Особенно следует выделить профессора этого института, доктора технических наук Всеволода Валерьевича Крапухина. Калужанин, учившийся в нашем городе и лично знавший К. Э. Циолковского, Всеволод Валерьевич относился к ВНИИМЭТу как к своему детищу. Он не только организовал в МИСиСе кафедру ТЕХНОЛОГИИ полупроводниковых материалов, но и добился того, что приемные экзамены проводились несколько лет прямо в Калуге для выпускников нескольких наших школ. А ВНИИМЭТ гарантировал им в будущем — в случае успешной учебы — прием на работу.

Это дает возможность студентам уже на стадии обучения более глубоко вникать в сущность научных проблем своих будущих исследований. Таким образом, строительство ВНИИМЭТом учебного корпуса для филиала МГТУ оправдало себя во всех отношениях.

Все это обеспечило быстрый рост численности института, как того требовало решение все новых и новых задач. И уже к началу 1970-х годов она превысила тысячу человек — ученых и инженеров, рабочих и служащих. Создавались новые отделы, лаборатории, производственные участки для развития новых направлений исследований и организации производства разработанных материалов.

Одновременно продолжалось строительство научных и производственных корпусов института. были приняты в эксплуатацию корпус вакуумной плавки металлов и станция для производства газообразных водорода и кислорода, энергетический корпус с установками для получения жидкого азота (1967),. И, наконец, в 1972 году строительство ВНИИМЭТа было полностью завершено: его производственные площади в итоге составили около сорока тысяч квадратных метров.

Однако скоро самой жизнью перед институтом был поставлен вопрос о необходимости продолжения строительства и создания специализированного завода по серийному про­изводству новых материалов, потребность в которых быстро нарастала. По темпам роста объемов производства МЭП СССР опережало все другие отрасли отечественной промышленности. Но прежде чем рассказать об этом, приведем примеры хотя бы нескольких наиболее важных разработок ВНИИМЭТа.

Первым испытанием института на прочность, то есть способность быстро решать сложные научно-технические проблемы, стала задача по разработке технологии и организации производства платинита (Платинит — двухслойная проволока с сердечником из сплава железо — никель, покрытого тонким слоем меди.) для токовводов, впаиваемых в стеклянную оболочку электронных ламп. Он имеет примерно такой же температурный коэффициент расширения, как у платины и стекла, и поэтому замена им обычно используемой дорогостоящей платины должна была обеспечить ее значительную экономию (потребность в материале составляла несколько тонн).

В итоге технология производства платинита с требуемыми свойствами была разработана в нашем институте и уже в 1966 году внедрена на заводе «Кристалл» в Орджоникидзе (ныне Владикавказ).

В 1966 году ВНИИМЭТу была поручена разработка позолоченной плющенки (Плющенка — лента, изготавливаемая из проволоки методом прокатки; ковар — специальный сплав для спая металла со стеклом с низким коэффициентом термического расширения.) из ковара для организации производства кремниевых транзисторов по методу американской фирмы «Дженерал электрик». Однако первые же опыты в электрохимической лаборатории института показали, что обычно применяемый процесс гальванического золочения является низкопроизводительным, а расход золота при планируемых масштабах выпуска транзисторов — слишком большим.

Выход был найден в том, что нашими учеными (И. С. Болгов, В. С. Хозиков, Л. Е. Гришмановский и др.) впервые в мире был создан более перспективный материал для поточно-механизированного производства транзисторов в пластмассовом корпусе: многослойная лента никель — ковар — никель с узкой полосой золота, изготавливаемая методом прокатки. Каждый слой этой ленты имеет свое назначение: золото служит для напайки кристаллов кремния, ковар обеспечивает согласование теплового расширения кремния и ленты, никель — защиту выводов от коррозии. Предложенные нашими специалистами технологии создания многослойных лент с многорядным полосчатым плакированием значительно повысило производительность труда.

Работа в этом направлении получила очень широкое развитие: в Калуге была разработана базовая технологическая линия по производству ленточных многослойных материалов холодным плакированием. На основе таких лент, в том числе с заменой золота на алюминий, электронной промышленностью СССР ежегодно выпускались многие миллионы полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: уже к началу 1980-х годов экономия за счет их использования составила пятьдесят пять тонн золота!

В 1967 году перед институтом были поставлены новые, не предусмотренные проектом задачи по выращиванию полупроводниковых монокристаллов и эпитаксиальных структур. Решение этих задач было поручено физическому отделу Виктора Владимировича Лебедева, преобразованному в отдел полупроводниковых материалов. Несмотря на огромные трудности становления нового направления (отсутствие опыта, оборудования и т. д.), именно тогда начала формироваться замечательная в скором будущем калужская школа специалистов полупроводникового материаловедения, Уже первые работы по получению германиевых эпитаксиальных слоев на подложках из кремния позволили создать ряд первых отечественных электронных приборов нового типа — лавино-пролетных и параметрических диодов, быстродействующих транзисторов.

Необходимо отметить, что в дальнейшем главные задачи ВНИИМЭТа в области полупроводниковых материалов были связаны уже не с «классическими» элементарными полупроводниками — германием и кремнием, а с более сложными монокристаллическими структурами на основе бинарных полупроводников. Первые успехи в технологии получения бинарных полупроводников привели к созданию новых уникальных приборов — полупроводниковых лазеров, светоизлучающих диодов, фотоэлементов, приборов ночного видения. Однако эффективность этих приборов была еще недостаточной для широкого использования.

Именно поэтому основным вектором развития в институте полупроводникового ма<