Родословное древо НИТУ «МИСиС» — КиберПедия 

Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...

Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...

Родословное древо НИТУ «МИСиС»



 

 

Предшественником нашего университета был металлургический факультет основанной в 1918 году Московской горной академии (в 1928 году металлургический факультет разделяется на два факультета: металлургии черных металлов и металлургии цветных металлов).

17 апреля 1930 года вышел приказ Всесоюзного совета народного хозяйства (ВСНХ – высший орган управления государством) № 1238 о реорганизации Московской горной академии и создании на базе МГА шести самостоятельных институтов: горного, нефтяного, черной металлургии, цветных металлов и золота, торфяного и геологоразведочного.

Этим же приказом назначались директора вновь созданных вузов. Так, предписывалось «вступить в исполнение обязанностей» директора Института черной металлургии Авраамию Павловичу Завенягину, который до этого исполнял обязанности декана факультета черных металлов МГА. Таким образом, официальным днем рождения нашего университета можно считать 17 апреля 1930 года.

Но на самом деле, если бы мы захотели составить родословное древонашего университета, за точку отсчета следовало бы взять 8 июня 1898 года, когда по распоряжению Николая Второго в Варшаве (Царство Польское входило в состав Российской империи) был основан Политехнический институт .

Это был первый в России многопрофильный технический вуз в составе трех отделений: механического, химического и строительного, где готовили инженеров-практиков, способных работать на производстве. В 1902 году было открыто четвертое отделение – горное. Первым директором Варшавского политехнического института (ВПИ) стал крупный ученый в области петрографии и кристаллографии, доктор минералогии Александр Евгеньевич Лагорио.

В 1914 году началась первая мировая война. Немецкие войска наступали на Варшаву. Российское правительство приняло меры для срочной эвакуации ВПИ сначала в Москву, а затем в Нижний Новгород. Из Варшавы Политехнический институт привез с собой собрания научных трудов, мощную библиотеку по всем отраслям знаний и оборудование.

1 октября 1916 года в Нижнем Новгороде в здании Владимирского реального училища состоялось торжественное открытие Варшавского политехнического института. Из 66 числившихся в ВПИ преподавателей и сотрудников на новое место были эвакуированы 53 человека.

В марте 1917 года, когда в результате Февральской революции Российская империя прекратила свое существование, Ученый совет ВПИ обратился с ходатайством к Временному правительству о переименовании института в Нижегородский политехнический. Постановление, принятое 20 июня 1917 года гласило:



«Учредить с 1 октября 1917 года в Нижнем Новгороде Политехнический институт в составе четырех отделений: химического, механического, инженерно-строительного и горного. Варшавский политехнический институт упразднить. Всем студентам и вольнослушателям Варшавского политехнического института предоставляется право перейти на соответствующие отделения и курсы Нижегородского политехнического института. Весь личный состав Варшавского политехнического института как по учебной части, так и по административной и хозяйственной части переводится в Нижегородский политехнический институт».

Позднее группа преподавателей вместе с деканом горного факультета НПИ Д.Н. Артемьевым вольется в состав организуемой им в Москве Горной академии.

Московская горная академия

2-й Съезд углепромышленников Средней России, проходивший в Москве с 20 по 24 апреля 1917 года, принял решение об учреждении в Москве высшего горного учебного заведения в виде первой свободной горной академии. Эта инициатива была поддержана представителями Горного округа, Горного управления и рядом общественных организаций. Видя такое единодушие, Временное правительство также склонилось к необходимости открытия в Москве высшего горного учебного заведения. Учебный отдел Министерства торговли и промышленности уполномоченным по учреждению ВТУЗа назначил профессора Д.Н.Артемьева.

Реализация проекта стала возможной лишь после Октябрьской революции. В начале 1918 года было решено организовать здесь учебное заведение по типу академии».. Академия мыслилась как вуз технический, поэтому ее устройство было поручено Наркомпросу и Горному Отделу ВСНХ.

14 сентября постановлением Наркомпроса была учреждена организационная комиссия по устройству МГА: необходимо было найти подходящее помещение и подготовить его к началу занятий, организовать учебный процесс и хозяйственную жизнь академии. В комиссию вошли «варшавяне» Д.Н.Артемьев (председатель), Н.М.Федоровский, М.К.Циглер, Г.В.Ключанский, Я.Я.Энслен.



Горная академия была открыта в составе трех факультетов: горнорудничного, геологоразведочного и металлургического. Решался вопрос об учебном оборудовании. Н.М.Федоровскому было поручено получить из Румянцевского музея национализированную коллекцию минералов Н.П. Вишнякова (1844 – 1927). (Г.В. Ключанский должен был обеспечить приобретение коллекции углей Подмосковного бассейна. Я.Я. Энслен отвечал за металлургические коллекции московских заводов. Бывшее управление Съезда углепромышленников Средней России обещало обеспечить книгами и картами. Оборудование собиралось по крупицам из разных мест. Из имения «Отрада», принадлежащего графам Орловым – Давыдовым, была вывезена коллекция минералов, физические приборы и библиотека.

Из Нижнего Новгорода в МГА были переведены геологическое и горнотехническое отделения Нижегородского университета со всем составом студентов и инвентарем.

8 января 1919 года был принят план торжественного открытия МГА, в соответствии с которым первым должен был выступать Д.Н. Артемьев с докладом о задачах и целях Горной академии, за ним Н.М. Федоровский, Г.В. Ключанский и Я.Я. Энслен. Официальная часть должна была завершиться пением «Интернационала» и «Гаудеамуса». Открытие состоялось 12 января 1919 года и проходило при температуре около +5°.

С 1920 года руководящий орган МГА начинает функционировать в составе трех человек: директора Д.Н.Артемьева (отвечал за финансовый отдел), его помощника по хозяйственной части Н.М.Федоровского и ответственного за административную работу Д.М. Брылкина. В конце 20-х годов в академии были образованы три новых факультета: нефтяной, торфяной и цветных металлов.

За первые два-три года в Горную академию удалось привлечь многих выдающихся ученых, ставших основателями известных сегодня всему миру научных школ. Как правило, все преподаватели работали по совместительству специалистами и консультантами в главках, исследовательских институтах, на производстве. В 1929 году в Московской горной академии насчитывалось 46 профессоров, 70 доцентов, 81 ассистент и 15 аспирантов. В МГА работали: кристаллографы Д.Н.Артемьев, Н.М.Федоровский, Я.Я.Энслен (технология металлов), нефтяники И.М.Губкин, Д.В.Голубятников, В.В.Аршинов, геологи А.П.Павлов, В.А.Обручев, Г.В.Ключанский, А.А.Гапеев, горняки А.М.Терпигорев, А.П.Серебровский, Б.И.Бокий, металлурги М.А.Павлов, Б.В.Старк, К.П.Григорович, В.Е.Грум- Гржимайло, Н.П.Чижевский, А.М.Бочвар, Н.А.Изгарышев, А.Г.Разумников, В.А.Ванюков, И.Н.Плаксин, В.А.Пазухин, А.Н.Вольский, термисты Н.Т.Гудцов, Е.Г.Деречей, А.А.Спасский, прокатчики Н.С.Верещагин (первый декан металлургического факультета), К.Ф.Неймайер, математик М.К.Гребенча, физик Г.В.Потапенко, химик В.А.Наумов, физико-химик Н.А.Шилов, электрохимик П.С.Титов, теплотехник А.В.Рязанцев, электротехники супруги И.А. и З.В.Черданцевы и другие.

Московский институт стали

17 апреля 1930 года был издан приказ № 1238 по ВСНХ СССР о реорганизации Московской горной академии, согласно которому на базе МГА создавалось шесть самостоятельных вузов: Горный институт , Нефтяной институт, Институт черной металлургии, Институт цветных металлов и золота , Торфяной институт, Геологоразведочный институт Горный, Нефтяной и Институт черной металлургии (институт стали) должны были располагаться в здании МГА, Геологоразведочный переводился в помещение 1-го МГУ, Институт цветных металлов и золота разместился в специально построенном здании в стиле «под Корбюзье» на Крымском валу, Торфяной институт переводился в Ленинградский горный институт.

18 апреля был издан последний приказ по Московской горной академии, согласно которому академия считалась расформированной. С этого момента начиналась самостоятельная жизнь шести образованных в недрах академии институтов. Институт черной металлургии, благодаря стараниям своего первого директора, выпускника металлургического факультета МГА А.П. Завенягина, получил имя – Институт стали имени И.В.Сталина. В 1930 году на первый курс было принято 675 человек. Действовали два факультета-металлургический и технологический, в конце 40-х был организован специальный броневой, позже реорганизованный. В 1949 году создан физико-химический факультет.

С 1962 года, когда специальности и кафедры по редким и радиоактивным металлам Московского института цветных металлов и золота вошли в состав Московского института стали, он стал именоваться Московским институтом стали и сплавов (МИСиС). В нем было четыре факультета: автоматизации и технологии производства металлов и сплавов, физико-химический, редких и радиоактивных металлов и сплавов, полупроводниковых материалов и приборов.

В 1993 году МИСиС получил статус государственного технологического университета (ГТУ). В составе ГТУ МИСиС действовали десять факультетов: металлургических технологий, ресурсосбережения и экологии; цветных и драгоценных металлов; полупроводниковых материалов и приборов; физико-химический; технологический; информатики и экономики; энерго-экологический; гуманитарный; вечерний и дистанционного обучения.

В 2006 году МИСиС стал победителем конкурса инновационных образовательных программ Национального проекта «Образование». В целях подготовки специалистов, конкурентоспособных на мировом рынке труда, интеграции с европейскими стандартами высшего образования, в университете была проведена коренная модернизация организационной структуры. На базе 10 факультетов было образовано шесть институтов: металлургии, экологии и качества (ИМЭК), технологии материалов (ИТМ), физико-химии материалов (ИФХМ), экономики и информатики (ИЭИ), Гуманитарный институт и Институт базового образования.

7 октября 2008 года Президент Российской Федерации Дмитрий Медведев подписал Указ «О реализации пилотного проекта по созданию национальных исследовательских университетов». В соответствии с Указом на базе Московского инженерно-физического института был создан Национальный исследовательский ядерный университет, а на базе МИСиС – Национальный исследовательский технологический университет, который коротко стал именоваться НИТУ «МИСиС».

Премьер-министр РФ В.В. Путин подписал Распоряжение правительства № 1073-р, утверждающее Программу создания и развития федерального государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Национальный иследовательский технологический университет МИСиС" на 2009-2017 годы.

17 декабря 2009 года Ученый совет принял решение о дальнейшей модернизации структуры университета. Ректором Д.В. Ливановым 18 января 2010 года подписан приказ № 8 (о.в.), утверждающий новую структуру университета . В составе МИСиС ликвидированы Гуманитарный институт, Институт технологии материалов и Институт экономики и информатики и созданы два новых: Институт информационных технологий и автоматических систем управления (ИТАСУ) и Институт экономики и управления промышленными предприятиями (ЭУПП). Институт физико-химии материалов переименован в Институт новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН), Институт металлургии, экологии и качества преобразован в Институт экотехнологий и инжинирига (ЭкоТех).

Сегодня в составе университета – 5 учебных институтов: Институт базового образования, Институт экотехнологий и инжиниринга, Институт новых материалов и нанотехнологий, Институт экономики и управления промышленными предприятиями, Институт информационных технологий и АСУ, а также Факультет дистанционного обучения, Институт непрерывного образования и Институт информационных бизнес систем.

Они готовят высококвалифицированных специалистов более чем по 30 направлениям современной науки, техники и технологий.

4.2 Факультет Полупроводниковых материалов и приборов(ПМП)

Предисловие : Предлагаемая ниже статья написана реальными основателями факультета ПМП, просуществовавшего в МИСИС до 2006г,т.е 44года, и сохраняющего свой учебно-методический и научный потенциал в составе Института Новых Материалов и Нанотехнологий. Время написания статьи-ориентировочно 1997-1998г. К сожалению авторы ушли из жизни и многие реорганизационные события позднейшего времени не отражены в статье.

С.С. Горелик, А.А. Блистанов, В.В. Крапухин

В 1962 г. в МИСиС был создан единственный в стране факультет полупроводниковых материа­лов и приборов (ПМП). Разнообразие физических эффектов, используемых в электронной технике, непрерывно расширяет номенклатуру материалов, уже­сточает прецизионные требования к их составу и структуре. Высокая чув­ствительность функциональных свойств полупроводниковых матери­алов к структурным дефектам тре­бует глубокого понимания их пове­дения, усложняющегося по мере дальнейшей миниатюризации ком­понентов твердотельной электрони­ки.

Принципиальная особенность по­лупроводниковой электроники со­стоит в том, что производство мате­риалов и создаваемых на их основе приборов и схем все больше слива­ется в единый технологический про­цесс.

В отличие от металловедения, ко­торое как научная дисциплина фор­мировалось в течение длительного времени полупроводни­ковая электроника зародилась только в конце 40-х годов XX века как результат достижений в области теоретической и экспериментальной физики и ме­таллургии высоко чистых монокристаллов ,

До создания факультета ПМП инженеров-иссле­дователей в области физического металловедения и физико-химических основ металлургии с хорошими теоретическими знаниями готовили на физико-хи­мическом факультете Института стали и ряде подразделений Института цветных металлов и золота. Под руководством проф. Н.Н. Мурача в 1956 г. были начаты исследования поликристаллического кремния. В том же году в МИЦМиЗ была создана и хорошо оснащена проблемная лаборатория чистых металлов и полупроводников. Заведующим лабораторией был доцент В.В. Крапухин, научными руководителями - профессора Н.Н. Мурач и Н.Н. Сирота.

В 1959 г. началась подготовка дипломников из числа студентов старших курсов МИЦМиЗ, впоследствии ставших крупными специалистами в области технологии полупроводниковых материалов.

Основное ядро коллектива, которому была поручена организация нового факультета ПМП, составляли член-корр. АН СССР А.И. Беляев, заведовавший кафедрой легких металлов на факультете МЦМ, С.С. Горелик, ранее работавший на кафедре рентгенографии и физики металлов — первый декан факультета ПМП, профессора В.В. Крапухин, А.Н. Крестовников — крупный специалист в области термодинамики , заведовавший кафедрой физической химии MИЦМиЗ, А.П. Любимов, возглавлявший кафедру физики факультета ФХ , М.П. Шаскольская, доцент кафедры физики, до этого много лет работавшая в Институте кристаллографии АН СССР.

К организации факультета ПМП были также приглашены из других организаций Москвы специалисты в области полупроводниковой электроники: П.С. Киреев, Я.А. Федотов, М.М. Самохвалов, Г.А.Кубецкий, Ю.М. Попов, А.П. Ландсман, Л.А. Петров, Ю.С. Акимов.

К началу учебных занятий (1 октября 1962 г.) на факультете ПМП уже работали следующие профилирующие кафедры":

1) производства чистых металлов и полупроводни­ковых материалов (зав. кафедрой А.И. Беляев); 2) физико-химических исследований процессов полу­чения полупроводников (А.Н. Крестовников); 3) кри­сталлографии (М.П. Шаскольская); 4) эксперимен­тальной физики и физики твердого тела (ЭФиФТТ) (А.П. Любимов); 5) физики полупроводников (ФПП) (П.С. Киреев); 6) материаловедения полупроводников (МПП) (М.М. Самохвалов, с 1964 г. С.С.Горелик); 7) полупроводниковых приборов (ПП) (Я.А. Федотов); 8) проблемная ла­боратория (А.В. Ванюков). Инженеров электронной техники готовили по трем специальностям: технология материалов электронной техники(группыМЭТ), полупроводники и диэлектрики(группы ДИЭП, позже ПД), полупроводниковые приборы(ПП). В учебные планы были включены курсы физической химии, кристаллографии, квантовой и статистической физики, физики полупровод­ников, материаловедения полупроводников, технологии полупроводниковых материалов, физики и технологии полупроводниковых приборов.

 

" В 1970 г. кафедры 1 и 2 были объединены в кафедру "Физическая химия и технология полупроводниковых материалов зав. кафедрой проф. В.В. Крапухин, а с 1985 г. — проф.Л.М. Летюк. В 1969 г. кафедра 4 была объединена с кафедрой кристаллографии; с 1982 г. зав. кафедрой — проф. А.А. Блистанов. В 1968 г. кафедра 5 вошла в состав кафедры "Полупроводниковые приборы" с общим названием кафедра "Физика полупроводников и полупроводниковой электроники"; зав кафедрой — проф. С.А. Медведев, а с 1977 г. — проф.Е.А. Ладыгин.

Научные школы и направления исследований ка­федры формировали по-разному. На кафедрах, перешедших из МИЦМиЗ, в основном продолжались исследования в уже сложившихся направлениях. На остальных кафедрах в первые годы исследования охватили большое число конкретных проблем электронной техники. Это позволило специалистам в области металлов и сплавов быстро освоить особенности материалов и устройств электронной техники, явлений и процессов, протекающих в них, создать лекционные курсы, опирающиеся не только на литературные данные, но и на собственные экспериментальные результаты. Большую помощь в оснащении кафедр и лабораторий факультета оказали ведущие НИИ электронной промышленности Москвы. Массовое вовлечение студентов и аспирантов в научно-исследовательскую работу привело к тому, что число аспирантов на факультете уже в 1963 г. превысило 100 человек.

На основе оригинальных курсов лекций и лабораторных практикумов, были написаны новые учебники по специальным дисциплинам и монографии [1— 13] как правило, не имеющие аналогов в мировой литературе. По этим учебникам готовили специалистов электронной техники во многих вузах страны, Важную роль в формировании материаловедческой направленности при подготовке инженеров электронной техники сыграли созданный С.С. Гореликом совместно с М.Я. Дашевским курс "Материаловедение полупроводников и диэлектриков" и напи­санный ими учебник того же названия. В нем отра­жены физико-химические отличия полупроводников и диэлектриков от металлов: показаны влияния ха­рактера химических связей на структуру и свойства полупроводников и диэлектриков, особенности поведения в них при­месей и структурных дефектов, их электрическая активность.

Уже через несколько лет после со­здания факультета многие его пре­подаватели защитили докторские дис­сертации и получили звания профес­соров. Среди них П.С. Киреев, Я.А. Федотов, М.П. Шаскольская, В.В. Крапухин, Ю.Д. Чистяков, А.А. Блистанов, В.Т. Бублик, А.А. Галаев, М.Я. Дашевский, Л.М. Летюк.

Научная школа кафедры "Материаловедение по­лупроводников" сложилась под руководством проф. С.С. Горелика и при активном участии его учеников и ближайших сотрудников — В.Т. Бублика, А.А. Галаева, М.Я. Дашевского, Л.М. Летюка, каждый из которых со временем создал и возглавил свои на­правления в рамках этой школы.

Научная деятельность на кафедре велась в следу­ющих направлениях:

изучение механизма фазовых и структурных пре­вращений в важнейших полупроводниковых матери­алах и компонентах схем на разных стадиях их полу­чения;

исследование роли в этих превращениях структур­ных дефектов, прежде всего точечных (с учетом их особенностей в полупроводниковых материалах), и упругих напряжений в тонкопленочных композици­ях; разработка на этой базе принципиальных основ новых технологий получения материалов и компо­нентов с улучшенными рабочими характеристиками и технико-экономическими показателями.

Под руководством Е.А. Ладыгина развивалось научное направление "Физика и технология лучевых процес­сов микро и оптоэлектроники". Лучевые процессы, основанные на использовании высокоэнергетичных частиц (электронов, протонов и др.), ускоренных ионов, лазерных и фотонных пуч­ков, универсальны и эффективны в различных типах микроэлектронных структур на основе как простых , так и сложных полупроводников.

Использование процессов, прин­ципиально отличающихся от равно­весных, потребовало создания слож­ной экспериментальной и аналити­ческой базы. За короткий срок на кафедре были созданы новые лаборатории: быстрых электронов на базе линейного ускорителя ЭЛУ-6 (энергия электронов 6 МэВ), ионной имплантации на базе ускорителя НУЕ-350 (любые типы изотопно чистых ионов с энергией до 350 кэВ), гамма-обработки на базе установки МPX-Y-ЗО (энергия квантов 1,25 МэВ), электронной литографии, лазерной и фотонной обработки.

Коллектив кафедры разработал основы "радиационного" материаловедения различных полупроводнико­вых материалов и неоднородных структур, изучая кинетику накопления, физическую природу, энергетический спектр, рекомбинационные и фотоэлектрические параметры, термостабильность и другие характеристики глубоких центров для нескольких сотен полупроводниковых структур. На этой основе разработаны конкретные лучевые процессы, с применением которых отечественной промышленностью изготовлено не­сколько миллиардов приборов и микросхем.

При подготовке специалистов по технологии материалов твердотель­ной электроники фундаментальный характер в значительной степени сло­жился благодаря физико-химическим разработкам А.Н. Крестовникова. Учебники и несколько томов спра­вочника термодинамических свойств металлов, полупроводников и их со­единений, подготовленные АН. Крестовниковым, широко используют­ся в научных работах его учеников. Выделим наиболее важные науч­ные направления.

Очистка веществ методом хими­ческих транспортных реакций (ХТР). А.И. Беляев, Л.А. Фирсанова, С.А. Ершова изучали химический меха­низм реакций переноса, термодина­мику процесса на примере элемен­тов III и IV групп периодической таб­лицы Д.И. Менделеева. Предложена классификация процессов ХТР. Техно­логия получения высокочистого алюминия внедрена на Волховском алюминиевом заводе. Результаты ис­следований нашли широкое применение при разра­ботке процессов парофазной эпитаксии соединений AniBv при освоении технологии микроэлектроники.

Получение высокочистых веществ по "хлоридной" технологии. В.В. Крапухин, И.А. Соколов, В.Н. Чер­няев с сотрудниками изучали термодинамику и ки­нетику процессов глубокой очистки веществ ректи­фикацией и восстановление элементов из их соединений водородом. Исследования равновесия жидкость — пар , кине­тики процессов в колонных массообменных аппара­тах, термодинамики многоступенчатых процессов во­дородного восстановления элементов и их кинетики на базе термодинамики необратимых процессов обобщены в нескольких учебниках [5,6]. Разработка основ процесса эпитак­сии. В период становления техноло­гий микроэлектроники Ю.Д. Чистя­ков с сотрудниками предложил гипо­тезу механизма формирования эпитаксиального слоя через жидкую фазу, образующуюся на подложке вследствие взаимодействия оксидов примесей и основного материала. Термодинамичес­кие расчеты и ряд оригинальных экс­периментов подтвердили справедливость гипотезы в определенных случаях эпитаксии

. Фун­даментальные исследования этих процессов позво­лили установить механизмы процессов роста, влия­ние параметров процесса на свойства композиций, создать математические модели процессов. Получен­ные изопериодные гетерокомпозиции использованы для создания приборов с высокой обнаружительной способностью и высоким отношением сигнал/шум.

Л.В. Кожитов с сотрудниками исследовали физико-хи­мические основы процесса жидкофазной эпитаксии кремния. Данные о растворимости, вязкости, элект­ропроводности, плотности, диффузии в расплавах кремний — легирующий элемент — металл — ра­створитель, смачивании раствором — расплавом крем­ниевой подложки легли в основу разработанной тех­нологии. Низкие температуры процесса, высокая чи­стота и однородность по составу эпитаксиальных слоев выгодно отличают ее от парофазной эпитаксии с хи­мическим осаждением. Для реализации процесса в промышленности создана высокопроизводительная ус­тановка, получены авторские свидетельства.

В создании эффективных "термо-электрических" преобразовавателей уча-ствовал ряд кафедр. На кафедре ФХиТПП Ю.Г.Полистанский, с сотрудниками изучали условия синтеза соединений, их легирование различными элементами, кристаллизацию из жидкой и паровой фаз. Разработанная технология миниатюрных преобразователей позволила организовать серийный их выпуск в МИСиС и на других предприятиях. Годы, прошедшие со дня образования факультета ПМП, полностью подтвердили правильность выбора профиля выпускаемых специалистов. Они отличаются от выпускников других вузов, готовящих специалистов электронной техники, углубленной материаловедческой подготовкой. Это отвечает требованиям и тенденциям развития этой передовой отрасли техники.






Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...

Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...

Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...

Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...





© cyberpedia.su 2017 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав

0.013 с.