История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...
Топ:
Оценка эффективности инструментов коммуникационной политики: Внешние коммуникации - обмен информацией между организацией и её внешней средой...
Генеалогическое древо Султанов Османской империи: Османские правители, вначале, будучи еще бейлербеями Анатолии, женились на дочерях византийских императоров...
Интересное:
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Распространение рака на другие отдаленные от желудка органы: Характерных симптомов рака желудка не существует. Выраженные симптомы появляются, когда опухоль...
Аура как энергетическое поле: многослойную ауру человека можно представить себе подобным...
Дисциплины:
2020-08-20 | 119 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
2.3.1. Гетеропереходы
Гетеропереходом называют контакт двух полупроводников различного вида и разного типа проводимости, например pGe – nGaAs. Отличие гетеропереходов от обычного p- n -перехода заключается в том, что в обычных p- n -переходах используется один и тот же вид полупроводника, например pSi – nSi. Поскольку в гетеропереходах используются разные материалы, необходимо, чтобы у этих материалов с высокой точностью совпадали два параметра: температурный коэффициент расширения (ТКР) и постоянная решетки.
С учетом сказанного количество материалов для гетеропереходов ограничено. Наиболее распространенными из них являются германий Ge, арсенид галлия GaAs, фосфид индия InP, четырехкомпонентный раствор InGaAsP.
В зависимости от ширины запрещенной зоны E g, электронного сродства c и типа легирования узкозонной и широкозонной областей гетероперехода возможны различные комбинации E g и c. На рис. 2.36 показаны эти комбинации при условии равенства термодинамических работ выхода.
Для построения зонных диаграмм, детального анализа распределения электрического поля и потенциала в области пространственного заряда гетероперехода, а также величины и компонент электрического тока для гетеропереходов необходимо учитывать, что у различных полупроводников будут отличаться значения электронного сродства c, ширины запрещенной зоны Е g и диэлектрической проницаемости e s.
С учетом этих факторов построим зонную диаграмму гетероперехода германий – арсенид галлия (pGe – nGaAs). Значения параметров полупроводниковых материалов, выбранных для расчета зонной диаграммы, приведены в таблице. Приведем в контакт германий p -Ge и арсенид галлия n -GaAs.
|
Рис. 2.36. Зонные диаграммы гетеропереходов при различных комбинациях E g и c в случае равенства термодинамических работ выхода Ф 1 = Ф 2
При построении зонной диаграммы гетероперехода учтем следующие факторы:
- уровень вакуума Е = 0 непрерывен;
- электронное сродство в пределах одного сорта полупроводника c Ge и c GaAs постоянно;
- ширина запрещенной зоны E g в пределах одного сорта полупроводника остается постоянной.
С учетом этого в процессе построения зонной диаграммы гетероперехода при сращивании дна зоны проводимости E C этих полупроводников на металлургической границе перехода на зонной диаграмме образуется «пик». Величина «пика» D E C равна:
.
Параметры выбранных для расчета
полупроводниковых материалов
Параметры материала | Обозначение | Германий (pGe) | Арсенид галлия (nGaAs) |
Постоянная решетки, Å | a | 5,654 | 5,658 |
Коэффициент линейного температурного расширения, 10-6 К-1 | ТКР | 5,9 | 6,0 |
Легирующая концентрация, см-3 | N A,D | 3×1016 | 1016 |
Расстояние от уровня Ферми до зоны разрешенных энергий, эВ | W 0 | 0,14 | 0,17 |
Расстояние от уровня Ферми до середины запрещенной зоны, эВ | j 0 | 0,21 | 0,55 |
Электронное сродство, В | c | 4,05 | 4,07 |
При сшивании вершины валентной зоны Е V в области металлургического перехода получается «разрыв» D E V. Величина «разрыва» равна:
.
Из приведенных соотношений следует, что суммарная величина «пика» D E C и «разрыва» D E V составляет .
На рис. 2.37 приведена построенная таким образом зонная диаграмма гетероперехода p Ge – n GaAs.
Рис. 2.37. Зонная диаграмма гетероперехода
p Ge – n GaAs в равновесных условиях
Рассмотрим зонную диаграмму гетероперехода из этих же материалов (германия и арсенида галлия), но с другим типом проводимости – p GaAs – n Ge (рис. 2.38). Используем те же самые принципы при построении этой зонной диаграммы. Получаем, что в этом случае «разрыв» наблюдается в энергетическом положении дна зоны проводимости и величина этого «разрыва» D E C равна .
|
«Пик» наблюдается в области металлургического перехода для энергии вершины валентной зоны E V. Величина «пика» D E V равна
.
Аналогичным образом можно построить зонные диаграммы для гетеропереходов при любых комбинациях уровней легирования, ширины запрещенной зоны и электронного сродства.
Рис. 2.38. Зонная диаграмма гетероперехода
n Ge – p GaAs в равновесных условиях
На рис. 2.39 приведены соответствующие зонные диаграммы для различных типов гетеропереходов. Обращает на себя внимание тот факт, что «пик» и «разрыв» для энергетических уровней E V, E C в области металлургического перехода могут наблюдаться в различных комбинациях.
Рис. 2.39. Зонные диаграммы для различных типов гетеропереходов при условии, что термодинамическая работа выхода первого слоя меньше, чем второго (Ф 1 < Ф 2),
и при различных комбинациях для электронного сродства (пояснения на рисунках)
Распределение электрического поля и потенциала в области пространственного заряда для гетероперехода будет как и в случае p- n -перехода, но с различными значениями диэлектрических постоянных e s для левой и правой частей. Решение уравнения Пуассона в этом случае дает следующие выражения для электрического поля E, потенциала V и ширины обедненной области W 1n и W 2p при наличии внешнего напряжения:
, (2.76)
, (2.77)
. (2.78)
Полная ширина области пространственного заряда гетероперехода W, равная W = W 1n + W 2p, будет описываться следующим уравнением:
. (2.79)
Высота потенциального барьера в гетеропереходе Δ φ 0 будет определяться суммой потенциалов для каждой из областей гетероперехода:
. (2.80)
Функциональная зависимость электрического поля и потенциала в области пространственного заряда гетероперехода от координаты будет соответственно линейной и квадратичной, как и в случае p- n -перехода. Скачок электрического поля в гетеропереходе на металлургической границе обусловлен различными значениями диэлектрических постоянных e 1 и e 2. В этом случае, согласно теореме Гаусса,
. (2.81)
На рис. 2.40 показаны распределения электрического поля и потенциала в области пространственного заряда гетероперехода.
|
Рис. 2.40. Распределение электрического поля и потенциала
в области пространственного заряда гетероперехода
n Ge – p GaAs
Рассмотрим зонную диаграмму гетероперехода при приложении внешнего напряжения V. Как и в случае p- n -перехода, знак напряжения будет определяться знаком приложенного напряжения на p -область гетероперехода. На рис. 2.41 приведены зонные диаграммы при положительном и отрицательном напряжениях на гетеропереходе n Ge – p GaAs. Пунктиром на этих же зонных диаграммах изображены энергетические уровни в равновесных условиях V = 0.
Расчет вольт-амперных характеристик гетероперехода проводится исходя из баланса токов термоэлектронной эмиссии. Для вольт-амперной характеристики гетероперехода получаем следующую зависимость:
Рис. 2.41. Зонные диаграммы гетероперехода n Ge – p GaAs при положительном V > 0 и отрицательном V < 0 напряжениях. Пунктиром изображены энергетические уровни в равновесных условиях V = 0
. (2.82)
Для различных типов гетеропереходов экспоненциальная зависимость тока от напряжения в виде (2.82) сохраняется, выражение для тока J s модифицируется.
Для гетеропереходов типа p Ge – n GaAs легко реализовать одностороннюю инжекцию даже в случае одинакового уровня легирования в эмиттере p Ge и базе n GaAs гетероперехода ND = NA. Действительно, при прямом смещении отношение дырочной J p и электронной J n компонент инжекционного тока будет определяться отношением концентрации неосновных носителей:
. (2.83)
Поскольку арсенид галлия – более широкозонный полупроводник, чем германий, то собственная концентрация в арсениде галлия (n i2) будет много меньше, чем в германии (n i1), следовательно, дырочная компонента J p инжекционного тока будет много меньше, чем электронная компонента J n. Весь инжекционный ток в гетеропереходе pGe – nGaAs будет определяться электронной компонентой.
На зонной диаграмме гетеропереходов видно, что в области «пика» для электронов или дырок реализуется потенциальная яма. Расчеты электрического поля в этой области показывают, что его значение достигает величины E ~ 106 В/см. В этом случае электронный газ локализован в узкой пространственной области вблизи металлургической границы гетероперехода. Для описания такого состояния используют представление о двумерном электронном газе. Решение уравнения Шредингера свидетельствует о наличии энергетических уровней, существенно отстоящих друг от друга (рис. 2.42).
|
Рис. 2.42. Зонная диаграмма гетероперехода, иллюстрирующая двумерное квантование
Физические свойства двумерного электронного газа существенно отличаются от свойств трехмерного электронного газа. Для двумерного электронного газа меняется плотность квантовых состояний в разрешенных зонах, спектр акустических и оптических фононов, а следовательно, кинетические явления в двумерных системах (подвижность носителей, магнитосопротивление и эффект Холла). Экспериментальные исследования двумерного квантования вблизи металлургической границы гетероперехода позволили изучить и объяснить эти явления.
|
|
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов (88‰)...
Историки об Елизавете Петровне: Елизавета попала между двумя встречными культурными течениями, воспитывалась среди новых европейских веяний и преданий...
Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!