Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...
Топ:
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного...
Комплексной системы оценки состояния охраны труда на производственном объекте (КСОТ-П): Цели и задачи Комплексной системы оценки состояния охраны труда и определению факторов рисков по охране труда...
Оценка эффективности инструментов коммуникационной политики: Внешние коммуникации - обмен информацией между организацией и её внешней средой...
Интересное:
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Влияние предпринимательской среды на эффективное функционирование предприятия: Предпринимательская среда – это совокупность внешних и внутренних факторов, оказывающих влияние на функционирование фирмы...
Мероприятия для защиты от морозного пучения грунтов: Инженерная защита от морозного (криогенного) пучения грунтов необходима для легких малоэтажных зданий и других сооружений...
Дисциплины:
2020-08-20 | 209 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Физические процессы на поверхности полупроводника оказывают большое влияние на электрические характеристики и параметры полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Рассмотрим зонную диаграмму приповерхностной области полупроводников в равновесных условиях. Рассмотрим, как будет меняться концентрация свободных носителей в приповерхностной области полупроводника, когда вблизи этой поверхности создается электрическое поле. Для примера будем считать, что электрическое поле создается заряженной металлической плоскостью с поверхностной плотностью зарядов σ. Поскольку силовые линии электрического поля должны быть замкнуты, то на поверхности полупроводника возникает равный по величине, но противоположный по знаку электрический заряд. В зависимости от знака заряда на металлической плоскости (положительной или отрицательной) экранирующий это поле заряд в приповерхностной области полупроводника также будет различных знаков. На рис. 2.51 приведены ситуации положительно и отрицательно заряженной плоскости.
Рис. 2.51. Изменение концентрации свободных носителей
в приповерхностной области полупроводника при наличии вблизи поверхности заряженной металлической плоскости
Случай, когда в приповерхностной области возрастает концентрация свободных носителей, носит название обогащение, а когда в приповерхностной области уменьшается концентрация свободных носителей – обеднение.
Изменение концентрации свободных носителей в приповерхностной области полупроводника под действием внешнего электрического поля получило название эффекта поля.
При наличии внешнего поля приповерхностная область в полупроводнике не будет электронейтральной. Заряд, возникший в этой области, обычно называется пространственным зарядом, а сама область – областью пространственного заряда. Наличие электрического поля E (z) в ОПЗ меняет величину потенциальной энергии электрона. Если поле направлено от поверхности вглубь полупроводника, то электроны в этом случае будут иметь минимальную энергию у поверхности, что соответствует наличию потенциальной ямы для электронов.
|
Изменение потенциальной энергии электронов
, (2.96)
где U (∞) – потенциальная энергия электронов в квазинейтральном объеме полупроводника.
Поскольку на дне зоны проводимости кинетическая энергия электронов равна нулю (), то изменение потенциальной энергии по координате должно точно так же изменить энергетическое положение дна зоны проводимости E C, а соответственно и вершины валентной зоны E V. На зонных диаграммах это выражается в изгибе энергетических зон.
Величина разности потенциалов между квазинейтральным объемом и произвольной точкой ОПЗ получила название электростатического потенциала
. (2.97)
Значение электростатического потенциала на поверхности полупроводника называется поверхностным потенциалом и обозначается символом y s.
Знак поверхностного потенциала y s соответствует знаку заряда на металлическом электроде, вызывающего изгиб энергетических зон.
При y s > 0 зоны изогнуты вниз, при y s < 0 зоны изогнуты вверх (рис. 2.52).
Рис. 2.52. Энергетические зоны на поверхности полупроводника n ‑типа:
а - в случае обеднения; б - в случае обогащения
Величины n s и p s – концентрации электронов и дырок на поверхности – носят названия поверхностных концентраций
Количественной характеристикой эффекта поля, характеризующей глубину проникновения поля в полупроводник, является дебаевская длина экранирования.
(2.98)
Таким образом, по физическому смыслу дебаевская длина экранирования L D соответствует среднему расстоянию, на которое проникает электрическое поле в полупроводник при малых уровнях возмущения.
|
Кроме рассмотренных явлений, электропроводность приповерхностного слоя полупроводника может изменяться под действием электрического поля, возникающего за счет напряжения, прикладываемого к металлу и полупроводнику, разделенных диэлектриком. Если предположить, что до включения напряжения поверхностные состояния на границе полупроводника и диэлектрика отсутствуют, то электропроводности приповерхностного слоя и объема полупроводника будут одинаковыми.
При включении напряжения между металлом и полупроводником возникает электрическое поле и на поверхности металла и приповерхностном слое полупроводника, как на пластинах конденсатора, накапливаются заряды. Электропроводность приповерхностного слоя полупроводника меняется. Зависимость электропроводности приповерхностного слоя полупроводника от напряжения принято называть эффектом поля.
ФИЗИКА СТРУКТУРЫ
|
|
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Двойное оплодотворение у цветковых растений: Оплодотворение - это процесс слияния мужской и женской половых клеток с образованием зиготы...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов (88‰)...
Адаптации растений и животных к жизни в горах: Большое значение для жизни организмов в горах имеют степень расчленения, крутизна и экспозиционные различия склонов...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!