Выбор технологии изготовления элементов схемы

Типовой технологический процесс изготовления полупроводниковой ИМС на биполярных транзисторах сводится к формированию в пластине кремния транзисторных структур  в количестве, необходимом для реализации всех активных и пассивных элементов, обеспечение изоляции между элементами и созданию внутрисхемных соединений.

Технологический процесс изготовления полупроводниковых ИМС включает следующие операции и процессы: подготовка пластины (подложки), эпитаксиальный процесс, окисление, фотолитография, диффузия, изоляция, металлизация и др. Одним из основных процессов планарной технологии является диффузия примесей в полупроводниковую пластину. Она проводится локально, т.е. в заданные участки пластины через маску из двуокиси кремния. Поочередная диффузия в кремний примесей р- и n- типов позволяет создавать последовательность нескольких n-р-переходов, необходимых для образования элементов.