
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Топ:
Теоретическая значимость работы: Описание теоретической значимости (ценности) результатов исследования должно присутствовать во введении...
Методика измерений сопротивления растеканию тока анодного заземления: Анодный заземлитель (анод) – проводник, погруженный в электролитическую среду (грунт, раствор электролита) и подключенный к положительному...
Интересное:
Отражение на счетах бухгалтерского учета процесса приобретения: Процесс заготовления представляет систему экономических событий, включающих приобретение организацией у поставщиков сырья...
Искусственное повышение поверхности территории: Варианты искусственного повышения поверхности территории необходимо выбирать на основе анализа следующих характеристик защищаемой территории...
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Дисциплины:
![]() |
![]() |
5.00
из
|
Заказать работу |
Содержание книги
Поиск на нашем сайте
|
|
Основой полупроводниковой технологии является создание переходов путем легирования. Сущность легирования состоит во внедрении легирующей примеси в кристаллическую решетку полупроводника и образование области с противоположным типом проводимости. Эта область ограничивается p-n переходом. Количество вводимой примеси должно быть достаточным для компенсации ранее введенной примеси и создания ее избытка.
Легирование можно осуществлять путем термической диффузии примеси в полупроводник, нагретый до высокой температуры, и внедрением ионов примеси с высокой энергией (ионное легирование). В настоящее время наиболее распространенным является метод диффузии.
Диффузией называют перенос вещества, обусловленный хаотическим тепловым движением атомов, возникающий при наличии градиента концентрации данного вещества и направленный в сторону убывания этой концентрации. Ввиду конечной скорости диффузии концентрация введенной примеси убывает в направлении от поверхности, через которую происходит диффузия, вглубь. Переход образуется на глубине , где концентрация введенной примеси оказывается равной концентрации исходной примеси
.
При формировании диффузионных p – n – переходов диффузия, как правило, проводится в две стадии, за исключением диффузии донорных примесей (P, As, Sb) на глубину меньше 2 мкм. В этом случае диффузию проводят в одну стадию. Задачей расчета является определение температуры и времени диффузии на каждом этапе. Исходными данными для расчета являются поверхностная концентрация или поверхностное сопротивление
диффузионной области и глубина залегания p – n – перехода
.
Основное уравнение, используемое при расчете режимов диффузии -это равенство концентраций введенной и исходной примесей на глубине залегания p – n – перехода
, где концентрация введённой примеси на глубине залегания p-n перехода;
и |
В качестве легирующей примеси используется бор и фосфор, параметры которых представлены в таблице 3.1
Таблица 3.1 Параметры легирующих примесей
Из рисунка 2.7 видно, что для дальнейшего расчета необходимо определить поверхностную концентрацию диффузионной области p-типа. Так как по заданию не известна концентрация подложки, то из маркировки КЭФ – 0,1 видно, что объёмное сопротивление подложки . По графику зависимости удельного сопротивления кремния и арсенида галлия от концентрации примесей при 300 К определяется концентрация примеси в подложке, которая составила
.
|
Концентрация примеси в подложке определенная по графику зависимости удельного сопротивления кремния и арсенида галлия (Рис 3.1).
Рисунок 3.1– График зависимости удельного сопротивления кремния и арсенида галлия от концентрации примесей при 300 К
|
|
Двойное оплодотворение у цветковых растений: Оплодотворение - это процесс слияния мужской и женской половых клеток с образованием зиготы...
Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...
Историки об Елизавете Петровне: Елизавета попала между двумя встречными культурными течениями, воспитывалась среди новых европейских веяний и преданий...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!