Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Топ:
Проблема типологии научных революций: Глобальные научные революции и типы научной рациональности...
Марксистская теория происхождения государства: По мнению Маркса и Энгельса, в основе развития общества, происходящих в нем изменений лежит...
Генеалогическое древо Султанов Османской империи: Османские правители, вначале, будучи еще бейлербеями Анатолии, женились на дочерях византийских императоров...
Интересное:
Мероприятия для защиты от морозного пучения грунтов: Инженерная защита от морозного (криогенного) пучения грунтов необходима для легких малоэтажных зданий и других сооружений...
Отражение на счетах бухгалтерского учета процесса приобретения: Процесс заготовления представляет систему экономических событий, включающих приобретение организацией у поставщиков сырья...
Подходы к решению темы фильма: Существует три основных типа исторического фильма, имеющих между собой много общего...
Дисциплины:
2017-11-17 | 305 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Собственные полупроводники
1. Концентрация электронов в зоне проводимости
n = 2(2p kT)3/2 h -3 exp[-(Ec - EF)/(kT)] = Nс exp[(m - Eс)/(kT)],
где Nc –эффективное число состояний (т.е. плотность состояний), приведенное ко дну зоны проводимости;(EF - Eс) энергия Ферми, отсчитанная от дна зоны проводимости; k = 1,38 10-23 Дж/К постоянная Больцмана; Т – температура полупроводника в кельвинах; h = – постоянная Планка; – эффективная масса электрона.
2. Концентрация дырок в валентной зоне
p = 2(2p mpkT)3/2 h -3exp[(EV – EF)/(kT)] = NV ·exp[(EV – EF)/(kT)],
где NV – эффективное число состояний валентной зоны, приведенное к потолку зоны;(EV – EF) - энергия Ферми, отсчитанная от потолка валентной зоны; EV – энергия, соответствующая потолку валентной зоны; mp – эффективная масса дырок.
3. Равновесная концентрация носителей в собственных полупроводниках
ni = n = p = (NсNV)exp[– Eg /(kT)],
где Eg –ширина запрещенной зоны полупроводника.
4. Положение уровня Ферми в собственном полупроводнике
EF – Ec = – Eg /2 + kT /2ln(NV/Nс)
или
EF - Ec = – Eg /2 + 3 kT /4ln(mn/mp).
При Т = 0 или mn = mp уровень Ферми находится посередине запрещенной зоны.
5. Удельная проводимость
s = e (up + un) ,
где un и up –подвижности электронов и дырок соответственно.
Примесные полупроводники
6. Уравнение электронейтральности для электронного (донорного) полупроводника
nn= pn + nd,
где nn – концентрация электронов в зоне проводимости электронногополупроводника; pn –концентрация дырок в валентной зоне электронного полупроводника; nd – концентрация электронов, перешедших с донорных уровней в зону проводимости.
7. Уравнение электронейтральности для дырочного (акцепторного) полупроводника
pp = np + p A,
где рр – концентрация дырок в валентной зоне дырочного полупроводника; np – концентрация электронов в зоне проводимости дырочного полупроводника; р А – концентрация дырок, перешедших с акцепторных уровней в валентную зону.
|
В случае, когда все примеси ионизованы,
nd ~ Nd (или n A~ N A),
где Nd и N A– концентрация атомов доноров и акцепторов, соответственно.
8. Закон действующих масс
Произведение концентраций электронов и дырок в полупроводнике не зависит от его легирования, а зависит только от температуры и равно квадрату концентраций носителей в собственном полупроводнике
.
9. Электропроводность электронного (донорного) полупроводника
s = s0exp[– Eg /(2 kT)] + s0 n exp[– Еd /(2 kT)],
где Еd – энергия активации донорных примесей, s0 n = neun.
10. Электропроводность дырочного (акцепторного) полупроводника
s = s0 exp[– Eg /(2 kT)] + s0 p exp[– E A/(2 kT)],
где s0 p = epup; E A– энергия активации акцепторных уровней.
Примеры решения задач
Задача 1
Вычислить положение уровня Ферми относительно дна зоны проводимости в полупроводнике с концентрацией ионизированных доноров1023 м-3. При температуре300 К плотность состояний у дна зоны проводимости 1025м-3.
Дано: Nd = 1023 м-3 Т = 300К Nc = 1025 м-3 k = 10-23 Дж/К | Решение: По условию задачи мы имеем дело с донорным полупроводником (n-типа), который находится при температуре Т>Ts, где Ts – температура, при которой происходит полное истощение примеси: Ts = Ed (k ln(3 Nc / Nd))-1 (1) |
(ЕF - Ec) =? |
Обычно энергия ионизации доноров порядка Еd ~ 0,01 эВ. Используя это значение и численные значения Nc и Nd, можно оценить величину Ts. Проведя вычисления по формуле (1), получим: Ts ~ 20K, т.е. T>>Ts.
Концентрация электронов в зоне проводимости при полном истощении донорных уровней становится равной концентрации примеси (n= N Д). Она определяется выражением:
n = Nc exp[(ЕF - Ec)/(kT)]. (2)
Cледовательно, в нашем случае:
Nc / Nd = exp[-(ЕF - Ec)/(kT)]. (3)
Прологарифмируем выражение (3):
ln(Nc/Nd) = - (ЕF - Еc)/(kT).(4)
Отсюда
(ЕF - Еc) = – kT ln(Nc/Nd). (5)
Подставляя в выражение (5) численные значения величин, проведем вычисления и определим положение уровня Ферми: (ЕF - Еc) = - 0,143 эВ.
|
Задача 2
В германии при температуре 300К концентрация собственных носителей равна 1019 м-3. Определить концентрацию электронов nn, дырок рn и доноров Nd, если nn = 1,005 Nd.
Дано: Т = 300К ni = 1019 K nn = 1,005 NД | Решение: По условию задачи мы имеем дело с примесным полупроводником n-типа (донорный полупроводник). Используем уравнение электронейтральности: nn = pn + Nd (1) |
nn =? pn =? Nd =? |
Подставляем условие для nn в формулу (1):
1,005 Nd = pn + Nd ,
откуда pn = 10-3 Nd.
Для определения Nd используем закон действующих масс:
,(2)
откуда получаем
,
и, следовательно
Nd = ni /0,071= 5,65 м-3.
Теперь вычислим концентрацию электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне
nn = 1,005 Nd = 1020 м-3
pn = 5 10-3 Nd = 1018 м-3
Итак, Nd = 1020 м-3, nn = 1020м-3, pn = 1018 м-3
|
|
Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...
Эмиссия газов от очистных сооружений канализации: В последние годы внимание мирового сообщества сосредоточено на экологических проблемах...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!