Асимптотический портрет усилителя с общим эмиттером — КиберПедия 

Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...

Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...

Асимптотический портрет усилителя с общим эмиттером

2017-09-29 318
Асимптотический портрет усилителя с общим эмиттером 0.00 из 5.00 0 оценок
Заказать работу

Принципиальная схема усилителя на биполярном транзисторе с ОЭ приведена на рис. 50.

Рис. 50. Принципиальная схема резисторного каскада

Один из вариантов АЧХ такого усилителя показан на рис. 51. В области нижних частот формируют частотную характеристику конденсаторы СР1, СЭ, СР2. Участок 2–3–4 отражает влияние конденсатора СЭ (структура третья). Участок от начала графика до точки 1 отражает влияние разделительных конденсаторов СР1 и СР2. С ними связано понятие «нуль в нуле» (структура вторая). Поскольку конденсаторов два, наклон АЧХ на начальном участке составляет 2 ∙ (+6 дБ/окт.), т. е. 12 дБ/окт.

На верхних частотах действуют паразитные емкости транзистора СБЭ, СК и паразитная емкость нагрузки С. Емкости СБЭ, С не связаны друг с другом, влияние каждой можно рассматривать отдельно.

Рис. 51. Асимптотическая АЧХ резисторного каскада

На АЧХ (рис. 51) излом в точке 5 вызывает полюс функции передачи, связанный с емкостью СБЭ, излом в точке 6 обязан присутствию емкости нагрузки С (обе по структуре 1), после этой точки наклон асимптоты определяется двумя полюсами и составляет –12дБ/окт. В нижней части рис. 51 приведены назначения наклонов асимптот в дБ/окт.

Влияние проходной емкости СК (структура 5) проявляется в изменении АЧХ на участке 7–8–9 (штрихи). Дело в том, что емкость СК соединяется как с емкостью СБЭ, так и с емкостью С2Н. Эту конструкцию уже нельзя рассматривать как отдельные звенья первого порядка. Нуль в числителе функции передачи фиксирован, а полюсы зависят от номиналов емкостей и могут сдвигаться влево или вправо. Желательно иметь транзисторы с малой проходной емкостью. Неплохой результат может давать применение в расчетах эффекта Миллера, но в схемах с обратной связью его не применяют.

Использование асимптот или диаграмм Боде находит широкое применение в проектировании усилителей с обратной связью. Обратные связи в этом пособии не рассматривались.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Волович, Г. И. Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств / Г. И. Волович. – М.: Издательский дом «Додэка-ХХI», 2005.

2. Абрамов, В. М. Электронные элементы устройств автоматического управления: Схемы, расчет, справочные данные / В. М. Абрамов. – М.: ИКП «Академкнига», 2006.

3. Травин, Г. А. Основы схемотехники устройств радиосвязи, радиовещания и телевидения: учеб. пособие для вузов. – 2-е изд., испр. / Г. А. Травин. – М.: Горячая линия – Телеком, 2009.

4. Корис, Р. Справочник инженера-схемотехника / Р. Корис, Х. Шмидт-Вальтер. – М.: Техносфера, 2006.

5. Войшвилло, Г. В. Усилительные устройства: учебник для вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. / Г. В. Войшвилло. – М.: Радио и связь, 1983.

6. Крекрафт, Д. Аналоговая электроника: Схемы, системы, обработка сигнала / Д. Крекрафт, С. Джерджли. – М.: Техносфера, 2005.

7. Miller, G. Dependence of the Impedance of a Three Electrode Vacuum Tube upon the Load in the Plate Circuit / G. Miller // Scientific Papers of the Bureau of Standards. – 1919. – Nov. – № 351. – P. 367–385.

8. Дьюб Динеш, С. Электроника: схемы и анализ / С. Дьюб Динеш. – М.: Техносфера, 2008.

9. Джонс, М. Х. Электроника – практический курс / М. Х. Джонс. – М.: Техносфера, 2006.

Алексеев Алексей Георгиевич

Климова Полина Валентиновна

 

СХЕМОТЕХНИКА АНАЛОГОВЫХ

ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

 

Анализ частотных характеристик

типовых структур

аналоговых устройств

 

 

УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ

 

Редактор И. И. Щенсняк

Верстка Е. В. Пироговой

 

План 2012 г., п. 40

_________________________________________________________________

Подписано к печати 06.09.2012

Объем 3,25 усл.-печ. л. Тираж 100 экз. Заказ 211

_________________________________________________________________

Издательский центр СПбГУТ. 191186 СПб., наб. р. Мойки, 61

Отпечатано в СПбГУТ

 

В печать

План 2012 г., п. 40

Объем __3,25___ печ. л.

Тираж ___100__ экз.

Заказ ____211___

 

 

Первый проректор –

проректор по учебной работе, проф.

 

__________________________Г. М. Машков

 

«____» ___________ 2012г.

 

 

Начальник РИО

 

__________________________Е. Ю. Пономарева

 

«____» ___________ 2012г.

 

Редактор

 

__________________________И. И. Щенсняк

 

«____» ___________ 2012г.

 

 


Поделиться с друзьями:

Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...

Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьше­ния длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...

Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...

История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...



© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!

0.015 с.