
Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
Топ:
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного...
Техника безопасности при работе на пароконвектомате: К обслуживанию пароконвектомата допускаются лица, прошедшие технический минимум по эксплуатации оборудования...
Определение места расположения распределительного центра: Фирма реализует продукцию на рынках сбыта и имеет постоянных поставщиков в разных регионах. Увеличение объема продаж...
Интересное:
Лечение прогрессирующих форм рака: Одним из наиболее важных достижений экспериментальной химиотерапии опухолей, начатой в 60-х и реализованной в 70-х годах, является...
Искусственное повышение поверхности территории: Варианты искусственного повышения поверхности территории необходимо выбирать на основе анализа следующих характеристик защищаемой территории...
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Дисциплины:
![]() |
![]() |
5.00
из
|
Заказать работу |
Содержание книги
Поиск на нашем сайте
|
|
При выводе выражения для ВАХ МОПТ мы считали, что подвижность носителей в канале является константой. На деле подвижность определяется многими параметрами и, в частности, зависит от величины электрического поля вдоль канала Е(у).
С ростом тянущего электрического поля рассеяние носителей в канале усиливается, и дрейфовая скорость насыщается на своем максимальном уровне порядка тепловой скорости носителей в канале (рис. 3.5)
vT ~ 107 см/с. (3.7.1)
|
В КНИ (кремний на изоляторе) транзисторах основным механизмом насыщения дрейфовой скорости, как и в объемном случае, является интенсивное рассеяние на оптических фононах. Тем не менее, в КНИ транзисторах с ультратонким телом существенную роль начинает играть рассеяние на границах раздела (см. рис. 3.6).
|
Хорошая количественная физическая модель зависимости подвижности от тянущего поля в каналах отсутствует, и поэтому широко используются эмпирические модели. Например, зависимость дрейфовой скорости носителей от тянущего поля vdr(Е) приближенно аппроксимируется формулой
, (3.7.2)
где − подвижность носителей в канале транзистора в слабых тянущих полях; vSAT − скорость насыщения носителей в канале транзистора.
Типичные значения скоростей насыщения в каналах МОПТ
(3.7.3)
Вместо скорости насыщения часто используют значение электрического поля, соответствующего насыщению ESAT , иногда определяемого как
. (3.7.4)
Практика показывает, что использование соотношения (3.7.2) совместно с формулой (3.7.4) (условно говоря, модель 1) соответствует относительно медленному нарастанию дрейфовой скорости и приводит к ее недооценке при промежуточных значениях тянущих электрических полей (рис. 3.7).
|
Поэтому на практике чаще всего используется, условно говоря, модель 2, в которой параметр электрического поля насыщения определяется как
, (3.7.5)
а зависимость дрейфовой скорости от тянущего поля представляется линейно-кусочным выражением
|
(3.7.6)
В отличие от модели 1, где , модель 2 дает
, и соответствует более быстрому насыщению скорости, что лучше согласуется с экспериментальными данными.
|
|
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...
Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!