Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...

Двойное оплодотворение у цветковых растений: Оплодотворение - это процесс слияния мужской и женской половых клеток с образованием зиготы...

Насыщение скорости носителей в канале

2024-02-15 64
Насыщение скорости носителей в канале 0.00 из 5.00 0 оценок
Заказать работу

Вверх
Содержание
Поиск

При выводе выражения для ВАХ МОПТ мы считали, что подвижность носителей в канале является константой. На деле подвижность определяется многими параметрами и, в частности, зависит от величины электрического поля вдоль канала Е(у).

С ростом тянущего электрического поля рассеяние носителей в канале усиливается, и дрейфовая скорость насыщается на своем максимальном уровне порядка тепловой скорости носителей в канале (рис. 3.5)

                        vT ~ 107 см/с.                    (3.7.1)

Рис. 3.5. Зависимости дрейфовой скорости электронов и дырок от электрического поля в кремнии при комнатной температуре  

В КНИ (кремний на изоляторе) транзисторах основным механизмом насыщения дрейфовой скорости, как и в объемном случае, является интенсивное рассеяние на оптических фононах. Тем не менее, в КНИ транзисторах с ультратонким телом существенную роль начинает играть рассеяние на границах раздела (см. рис. 3.6).

Рис. 3.6. Зависимости дрейфовой скорости носителей в каналах МОПТ объемной технологии (верхняя кривая) и МОПТ по технологии КНИ (кремний-на-изоляторе) с разной толщиной кремниевого тела.  

Хорошая количественная физическая модель зависимости подвижности от тянущего поля в каналах отсутствует, и поэтому широко используются эмпирические модели. Например, зависимость дрейфовой скорости носителей от тянущего поля vdr(Е) приближенно аппроксимируется формулой

              ,                                       (3.7.2)

где  − подвижность носителей в канале транзистора в слабых тянущих полях; vSAT − скорость насыщения носителей в канале транзистора.

Типичные значения скоростей насыщения в каналах МОПТ

                              (3.7.3)

Вместо скорости насыщения часто используют значение электрического поля, соответствующего насыщению ESAT , иногда определяемого как

               .                          (3.7.4)

Практика показывает, что использование соотношения (3.7.2) совместно с формулой (3.7.4) (условно говоря, модель 1) соответствует относительно медленному нарастанию дрейфовой скорости и приводит к ее недооценке при промежуточных значениях тянущих электрических полей (рис. 3.7).

Рис. 3.7. Два варианта модели дрейфовой скорости носителей в канале как функции тянущего поля вдоль канала  

Поэтому на практике чаще всего используется, условно говоря, модель 2, в которой параметр электрического поля насыщения определяется как

    ,                      (3.7.5)

а зависимость дрейфовой скорости от тянущего поля представляется линейно-кусочным выражением

                                         (3.7.6)

 

В отличие от модели 1, где , модель 2 дает , и соответствует более быстрому насыщению скорости, что лучше согласуется с экспериментальными данными.


Поделиться с друзьями:

Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...

Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...

Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...

Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...



© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!

0.006 с.