Типовые параметры базовых ЛЭ.

Параметр	n -МОП	КМОП	ТТЛ, ТТЛШ	ЭСЛ	И2Л
Площадь, × 10−3, мм2 Количество этапов диффузии и легирования Количество этапов маскирования Средняя задержка распространения , нс Статическая потребляемая мощность , мВт                                              Работа переключения, пДж	4 – 7   3 6   40–100   0,2–0,5  10 – 50	6 – 19   4 7   15 – 50   < 0,001 3	12 – 38   4 7   3 – 10   1 – 3 10	12 – 31   4 – 5 8 – 9   0,5 – 2   5 – 15 10	2 – 4   3 – 4 5 – 7   > 3   < 0,2 < 1

Для построения быстродействующих БИС используются элементы ЭСЛ. Однако большая потребляемая мощность и низкая плотность упаковки не позволяют достичь высокой степени интеграции. Это же, хотя и в меньшей мере, касается использования элементов ТТЛ. В этой связи БИС на биполярных транзисторах часто делают секционными (на 2,4 разряда), позволяющими соединять их параллельно и тем самым наращивать структуру цифрового устройства до требуемой разрядности.

В потребительском плане о базовых ЛЭ и соответствующих ИС любой сложности можно отметить следующее.

Элементы ЭСЛ наиболее быстродействующие, способны переключаться с частотой 100 МГц и более. Однако они требуют специальных мер защиты от помех по сигнальным цепям и шинам питания, применение согласованных линий связи, организацию эффективного теплоотвода от ИС, печатных плат, блоков и т.д. Рекомендуются для использования тогда, когда ИС других типов логики не обеспечивают необходимого быстродействия.

Элементы ТТЛ и ТТЛШ отличаются от всех других тем, что перекрывают широкий диапазон значений  и , составляющих ту «золотую серединку», которая чаще всего требуется на практике. Они обладают приемлемой помехоустойчивостью и нагрузочной способностью. На их основе создано более десяти функциональных полных взаимно-согласованных серий, образующих своеобразный параметрический ряд по  и . Микросхемы ТТЛ и ТТЛШ получили наибольшее распространение в цифровых устройствах широкого применения.

Из ЛЭ на однотипных МОП-транзисторах предпочтение отдается
n -канальным. Они обладают хорошими показателями по всем параметрам кроме задержки переключения. Существенно низкое быстродействие, особенно при наличии емкости нагрузки, сделало нецелесообразным создание на их основе ИС малой и средней степени интеграции.

Подобное объяснение монопольного использования в ИС только высокой степени интеграции имеет также инжекционная логика − элементы И²Л отличаются крайне низкой помехоустойчивостью.

Элементы КМОПТЛ на несколько порядков экономичнее элементов всех других логик, обладают высокой помехоустойчивостью и прогрессирующим быстродействием, способны работать в широком диапазоне питающих напряжений. Считаются одними из самых перспективных для создания ИС различной степени интеграции.

Таким образом, в настоящее время для ИС малой и средней интеграции перспективны базовые ЛЭ ТТЛ, ТТЛШ, ЭСЛ и КМОПТЛ, для БИС и СБИС − И²Л, КМОПТЛ и, в ряде случаев, n -МОПТЛ. В быстродействующих ИС повышенной интеграции используются модифицированные элементы ЭСЛ и ТТЛШ.

Успехи в развитии технологии, освоении новых полупроводниковых и других материалов, безусловно, будут способствовать улучшению качественных показателей ИС, возможны перераспределения ролей «лидеров» между базовыми ЛЭ, но в целом схемотехнические достоинства и недостатки их можно считать определившимися.