Проводниковые (кабельные) изделия

Для передачи и распределения электрической энергии, соединения различных приборов и их частей, изготовления обмоток электрических машин применяют проводниковые изделия. К ним относятся:

- обмоточные провода;

- монтажные провода;

- установочные провода и шнуры;

- кабели.

Ответьте на вопросы

6.42. Какие материалы применяют в обмоточных проводах?

6.43. Чем определяется электрическая прочность эмалевых проводов?

6.44. Как определяют эластичность эмалевого провода?

6.45. Как определяют нагревостойкость эмалевой изоляции обмоточных проводов?

6.46. Как повышают нагревостойкость обмоточных проводов?

6.47. Зачем у некоторых установочных проводов защитную оплетку пропитывают противогнилостным составом?

Выполните задания

6.48. Расшифруйте марки обмоточных проводов ПЭЛ, ПЭВТЛ-1, ПЭТВ, ПЭЛРА и укажите область их применения.

6.49. Перечислите требования, предъявляемые к обмоточным проводам с волокнистой изоляцией.

6.50. Расшифруйте марки монтажных проводов МРГ, МГВ, ПМВ, МГСЛ.

6.51. Заполните табл. 6.6.

Таблица 6.6 - Характеристики и области применения монтажных проводов

Марка провода	Характеристика	Область применения
МРГ
ПМВ
МГВ
МГСЛ

 

6.52. Приведите названия сечений токопроводящих жил многопроволочных кабелей, показанных на рис. 6.1.

а б в г

Рис. 6.1 - Сечения токопроводящих жил многопроволочных кабелей

6.53. Приведите названия составных частей показанного на рис. 6.2 силового бронированного кабеля в свинцовой оболочке с бумажной изоляцией жил (марка СБ).

 

Рис. 6.2 - Силовой кабель марки СБ

6.54. Заполните табл. 6.7.

Таблица 6.7 - Область применения проводниковых изделий

Проводниковые изделия	Область применения
Обмоточные провода
Монтажные провода
Установочные провода и шнуры
Кабели

 

Выберите правильный ответ

6.55. Пробивное напряжение обмоточных проводов с шелковой изоляцией составляет:

A. 200...400 В; B. 450...600 В;

C. 600...800 В; D. Свыше 800 В.

6.56. Пробивное напряжение обмоточных проводов с хлопчатобумажной изоляцией составляет:

A. 200...400 В; B. 450...600 В;

C. 700... 1000 В; D. Свыше 1000 В.

6.57. Для обмоточных проводов с волокнистой изоляцией характерны:

A. Невысокие электроизоляционные свойства;

B. Высокие электроизоляционные свойства;

C. Свойства, не указанные в предыдущих ответах.

Занятие № 7

Полупроводниковые материалы

Свойства полупроводников

Теоретическая часть

Полупроводниковые материалы представляют собой твердые кристаллические вещества с электронной проводимостью, которые по удельному электрическому сопротивлению при нормальной температуре занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками (изоляторами).

Выберите правильный ответ

7.1. Для полупроводников характерна зависимость удельного электрического сопротивления:

A. От изменения температуры;

B. От изменения напряжения;

C. От освещенности;

D. От введения примесей;

E. От всех перечисленных факторов.

7.2. При уменьшении температуры удельная электрическая проводимость полупроводников:

A. Уменьшается;

B. Увеличивается;

C. Остается без изменения.

7.3. Замещение вакантной ковалентной орбиты свободным электроном называют:

A. Регенерацией или рекомбинацией;

B. Генерацией электронно-дырочной пары;

C. Ковалентной связью;

D. Электрическим дрейфом.

7.4. Легирующие примеси, атомы которых снабжают полупроводник свободными электронами, называют:

A. Донорными; B. Акцепторными;

C. Донорными и акцепторными; D. Свободными зонами.

7.5. Атомы примесей, имеющие меньшую валентность, чем атомы полупроводника, обладают способностью присоединять к себе электроны. Такие примеси называют:

A. Донорными; B. Акцепторными;

C. Донорными и акцепторными; D. Свободными зонами.

7.6. Место на внешней орбите атома полупроводника, покинутое электроном, называется:

A. Свободным электроном; B. Дыркой;

C. Донором; D. Акцептором.

7.7. Перемещение электронов в одном направлении, а дырок — в противоположном определяет:

A. Собственную электрическую проводимость полупроводника;

B. Дырочную электропроводность полупроводника;

C. Дырочную и электрическую проводимость полупроводника.

7.8. Чтобы получить полупроводник, обладающий только электронной проводимостью, в него вводят вещество, состоящее из атомов, валентность которых характеризуется следующим:

A. Она на единицу меньше валентности атомов основного полупроводника;

B. Она на единицу больше валентности атомов основного полупроводника;

C. Для нее не справедливы предыдущие ответы.

7.9. Место плотного соприкосновения двух полупроводников с различными типами электрической проводимости называется:

A. Электронным переходом; B. р - n переходом;

C. n - переходом; D. р - переходом.

7.10. В случае собственной электрической проводимости полупроводника между его электронами и дырками существует следующее соотношение:

A. Число электронов равно числу дырок;

B. Дырок больше, чем электронов;

C. Дырок меньше, чем электронов.

Ответьте на вопросы

7.11. Какое явление возникает в полупроводниковом материале при частичном его освещении и где это явление используется?

7.12. Чем собственная проводимость полупроводникового материала отличается от примесной?

7.13. Почему проводимость некоторых полупроводниковых материалов, например селена, меняется под действием света?

7.14. Что собой представляет тензорезистивный эффект?

7.15. Что возникает между нагретым и холодным участками полупроводникового материала?

7.16. Что такое р - n переход? Нарисуйте схему и опишите принцип его работы.

7.17. Почему с ростом тока в полупроводнике резко уменьшается его сопротивление?

Простые полупроводники

Простыми называют такие полупроводники, основной состав которых образован атомами одного химического элемента.

Выполните задания

7.18. Заполните табл. 7.1.

Таблица 7.1- Основные характеристики простых полупроводников

Полупроводниковый материал	Температура плавления, 0С	Плотность, кг/м3	Удельное электрическое сопротивление, Ом*м	Диэлектрическая проницаемость	Область применения
Германий
Кремний
Селен
Теллур

 

7.19. Напишите химическое уравнение реакции диспропорционирова­ния, в результате которой получают монокристаллическую эпитаксиальную пленку германия.

7.20. Напишите химическое уравнение реакции восстановления четырех-хлористого кремния (SiCl₄) парами цинка или водорода для получения кремния.

7.21. Перечислите свойства кристаллического германия.

7.22. Определите вид полупроводникового материала по следующему описанию: «Элемент шестой группы Периодической системы Д. И. Менделеева, может находиться как в аморфном, так и в кристаллическом состояниях. Исходными материалами для его получения являются остатки, образующиеся при электролитическом рафинировании меди».

7.23. Определите вид полупроводникового материала по следующему описанию: «Элемент шестой группы Периодической системы Д. И. Менделеева, применяется в составе сплавов с висмутом, сурьмой и свинцом для изготовления термоэлектрических генераторов».

7.24. Перечислите методы получения монокристаллических полупроводников.

Выберите правильный ответ

7.25. Основными акцепторными примесями в германии являются:

A. Галлий; B. Индий;

C. Алюминий; D. Все перечисленные элементы.

7.26. Донорные уровни в германии создают:

A. Мышьяк и сурьма; B. Висмут и фосфор;

C. Литий; D. Все перечисленные элементы.

7.27. В полупроводниковом производстве чистый монокристаллический кремний используют:

A. Постоянно; B. Крайне редко;

C. Не используют вообще; D. Нет верного ответа.

7.28. Основными донорными примесями в кремнии являются элементы Периодической системы Д. И. Менделеева:

А. Пятой группы; В. Первой группы; С. Четвертой группы.

7.29. Чистый селен по удельному электрическому сопротивлению:

A. Близок к изоляторам (диэлектрикам);

B. Близок к проводникам;

C. Занимает среднее положение между проводниками и диэлектриками.

7.30. Селен применяют для изготовления:

A. Фоторезисторов и фотоэлементов;

B. Фильтров и защитных покрытий в приборах инфракрасного диапазона;

C. Устройств, не указанных в предыдущих ответах.