Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Таксономические единицы (категории) растений: Каждая система классификации состоит из определённых соподчиненных друг другу...
Топ:
Определение места расположения распределительного центра: Фирма реализует продукцию на рынках сбыта и имеет постоянных поставщиков в разных регионах. Увеличение объема продаж...
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного хозяйства...
Комплексной системы оценки состояния охраны труда на производственном объекте (КСОТ-П): Цели и задачи Комплексной системы оценки состояния охраны труда и определению факторов рисков по охране труда...
Интересное:
Национальное богатство страны и его составляющие: для оценки элементов национального богатства используются...
Подходы к решению темы фильма: Существует три основных типа исторического фильма, имеющих между собой много общего...
Отражение на счетах бухгалтерского учета процесса приобретения: Процесс заготовления представляет систему экономических событий, включающих приобретение организацией у поставщиков сырья...
Дисциплины:
2017-09-10 | 925 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
МДП-транзисторы
Ко второй группе полевых транзисторов относятся приборы с изолированным затвором, так называемые МДП-транзисторы. У МДП-транзисторов в отличие от полевых транзисторов с управляющим p-n- переходом металлический затвор изолирован от полупроводника слоем диэлектрика и имеется дополнительный вывод от кристалла, на котором выполнен прибор, называемый подложкой (рис. 7.5).
МДП-транзисторы по способу образования канала подразделяются на транзисторы со встроенным каналом (канал создается при изготовлении) и с индуцированным каналом
(канал возникает под действием напряжения, приложенного к управляющим электродам).
Существенным преимуществом МДП-транзисторов является высокое входное сопротивление, достигающее значений более 104 МОм вместо более 10 МОм у транзисторов с управляющим p-n- переходом.
Рис. 7.5. МДП-транзистор с каналом p- типа:
а – планарный транзистор со встроенным каналом; б - геометрические размеры канала; в – планарный транзистор с индуцированным каналом; 1 – диэлектрик; 2 – канал
Физической основой работы полевого транзистора со структурой металл – диэлектрик – полупроводник (МДП) является эффект поля. Напомним, что эффект поля состоит в том, что под действием внешнего электрического поля изменяется концентрация свободных носителей заряда в приповерхностной области полупроводника.
МДП-транзисторы могут быть с р- и n- каналами. Условные графические обозначения МДП-транзисторов показаны на рис. 7.7. Стрелка, направленная во внутрь круга, указывает на n- тип канала; стрелка из круга - на канал p- типа.
|
|
|
|
Рис. 7.7. Условные графические обозначения МДП-транзисторов со встроенным каналом (а, б) и с индуцированным каналом (в, г)
|
Основные параметры МДП-транзисторов и их ориентировочные значения следующие:
а) крутизна характеристики. Крутизна переходной характеристики S характеризуется изменением тока стока при единичном увеличении напряжения на затворе при постоянном напряжении на стоке и определяется как
при UСИ = const. (7.3)
Обычно S = 0,1 - 500 мА/В;
б) внутреннее сопротивление R i характеризует изменение напряжения в выходной цепи, необходимое для единичного увеличения тока стока при неизменном напряжении на затворе и определяется как
; (7.4)
в) коэффициент усиления μ характеризуется изменением напряжения в выходной цепи при единичном изменении напряжения во входной и неизменном токе стока и определяется как
. (7.5)
г) начальный ток стока IС нач – ток стока при нулевом напряжение UЗИ у транзисторов со встроенным каналом IС нач = 0,1 - 100 мА; с индуцированным каналом IС нач = 0,01 - 0,5 мкА;
д) напряжение отсечки UЗИ отс = 0,2 - 10 В;
е) пороговое напряжение UЗИ пор = 1 - 6 В;
ж) сопротивление сток–исток в открытом состоянии RСИ отк = 2 - 300 Ом;
з) максимальный ток стока IС мах = 10 мА - 0,3 А;
и) максимальная частота усиления fмах – частота, на которой коэффициент усиления по мощности КP равен единице; fмах – десятки – сотни МГц.
|
|
Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...
Эмиссия газов от очистных сооружений канализации: В последние годы внимание мирового сообщества сосредоточено на экологических проблемах...
Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...
Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!