Полупроводниковый прибор, в котором конструктивно объединены источник и приемник излучения, имеющие между собой оптическую связь

А) оптрон

Б) фототранзистор;

В) фотоизлучатель;

Г) тиристор.

 

1.21 Для того, чтобы электрон смог разорвать ковалентную связь и стать свободным, он должен:

А) получить энергию, большую ширины запрещённой зоны;

Б) получить энергию, равную половине ширины запрещенной зоны;

В) получить энергию ;

Г) нет верного ответа

1.22 Собственным полупроводником, или же полупроводником i-типа называется:

А) полупроводник, у которого ni>pi;

Б) полупроводник, у которого ni pi;

В) полупроводник, у которого ni pi;

Г) полупроводник, у которого ni pi.

1.23 Полупроводником n-типа называется:

А) полупроводник, у которого ni>pi;

Б) полупроводник, у которого ni pi;

В) полупроводник, у которого ni pi;

Г) полупроводник, у которого ni pi.

1.24Полупроводником p-типа называется:

А) полупроводник, у которого ni>pi;

Б) полупроводник, у которого ni pi;

В) полупроводник, у которого ni pi;

Г) полупроводник, у которого ni pi.

1.25 В полупроводнике n-типа:

А) дырки являются основными носителями заряда, а электроны – неосновными носителями заряда;

Б) электроны являются основными носителями заряда, а дырки – неосновными носителями заряда;

В) электроны и дырки являются основными носителями заряда;

Г) электроны и дырки являются неосновными носителями заряда

1.26 В полупроводнике р-типа:

А) дырки являются основными носителями заряда, а электроны – неосновными носителями заряда;

Б) электроны являются основными носителями заряда, а дырки – неосновными носителями заряда;

В) электроны и дырки являются основными носителями заряда;

Г) электроны и дырки являются неосновными носителями заряда

1.27Генерация заряда - это:

А) процесс, когда свободный электрон занимает место дырки, восстанавливая ковалентную связь;

Б) процесс образования пары зарядов - электрон и дырка;

В) процесс введения донорной примеси;

Г) процесс введения акцепторной примеси

1.28 Рекомбинация зарядов – это:

А) процесс, когда свободный электрон занимает место дырки, восстанавливая ковалентную связь;

Б) процесс образования пары зарядов электрон и дырка;

В) процесс введения донорной примеси;

Г) процесс введения акцепторной примеси

1.29 Рекомбинация зарядов – это процесс протекающий:

А) с выделением энергии или с поглощением энергии в зависимости от типа полупроводника;

Б) с выделением энергии;

В) с поглощением энергии;

Г) без поглощения или выделения энергии

1.30 Генерация зарядов – это процесс протекающий:

А) с выделением энергии или с поглощением энергии в зависимости от типа полупроводника;

Б) с выделением энергии;

В) с поглощением энергии;

Г) без поглощения или выделения энергии

1.31 Электрический пробой – это:

А) явление сильного увеличения обратного тока при определённом обратном напряжении;

Б) сильный нагрев полупроводника;

В) явление сгорания p-n перехода;

Г) свойство односторонней проводимости

1.32Тепловой пробой – это:

А) явление сильного увеличения обратного тока при определённом обратном напряжении;

Б) сильный нагрев полупроводника;

В) явление сгорания p-n перехода;

Г) свойство односторонней проводимости

1.33Транзистором называется:

А) полупроводниковый прибор, в котором происходит непосредственное преобразование электрической энергии в энергию светового излучения

Б) устройство, состоящее из кристалла полупроводника, содержащее обычно один p-n переход и имеющее два вывода

В) полупроводниковый преобразовательный прибор, имеющий не менее трёх выводов и способный усиливать мощность

Г) фотогальванический приёмник излучения, светочувствительный элемент которого представляют собой структуру полупроводникового диода без внутреннего усиления

1.34Коллектором биполярного транзистора называют:

А) область, имеющая бóльшую площадь p-n перехода, и вывод от неё

Б) область, имеющая меньшую площадь p-n перехода, и вывод от неё

В) кристалл полупроводника и вывод от него

Г) нет верного ответа

1.35 Базой биполярного транзистора называют:

А) область, имеющая бóльшую площадь p-n перехода, и вывод от неё

Б) область, имеющая меньшую площадь p-n перехода, и вывод от неё

В) кристалл полупроводника и вывод от него

Г) нет верного ответа

1.36Эмиттером биполярного транзистора называют:

А) область, имеющая бóльшую площадь p-n перехода, и вывод от неё

Б) область, имеющая меньшую площадь p-n перехода, и вывод от неё

В) кристалл полупроводника и вывод от него

Г) нет верного ответа

Д)

1.37Направление стрелки в биполярном транзисторе показывает:

А) направление экстракции

Б) направление диффузии

В) направление инжекции

Г) направление протекающего тока.

 

1.38 Усилитель - это:

А) устройство, преобразующее высокочастотный сигнал в низкочастотный

Б) устройство, преобразующее колебания небольшой мощности на входе в электрические колебания большой мощности на выходе(+) 1 балл

В) область частот, в которой коэффициент усиления меняется не больше, чем это допустимо по техническим условиям

Г) устройство электропитания

1.39 Усилители низкой частоты (УНЧ):

А) могут усиливать постоянный ток, диапазон усиливаемых частот от 0Гц до 100кГц.

Б) диапазон усиливаемых частот от 10Гц до 100кГц

В) диапазон усиливаемых частот от 100кГц до 100МГц

Г) нет верного ответа

1.40 Усилители высокой частоты (УВЧ):

А) диапазон усиливаемых частот от 10Гц до 100кГц.

Б) диапазон усиливаемых частот от 100кГц до 100МГц (+) 1 балл

В) могут усиливать постоянный ток, диапазон усиливаемых частот от 0Гц до 100кГц.

Г) нет верного ответа

1.41 Усилители постоянного тока (УПТ):

А) диапазон усиливаемых частот от 10Гц до 100кГц.

Б) диапазон усиливаемых частот от 100кГц до 100МГц

В) могут усиливать постоянный ток, диапазон усиливаемых частот от 0Гц до 100кГц.

Г) нет верного ответа

1.42 Коэффициент усиления определяется как:

А) отношение амплитуды выходного параметра к амплитуде входного параметра

Б) область частот, в которой коэффициент усиления меняется не больше, чем это допустимо по техническим условиям

В) наибольшая мощность, которую отдает усилитель в нагрузку при заданных величинах нелинейных и частотных искажений

Г) отношение амплитуд наиболее сильного и наиболее слабого сигналов на выходе усилителя

1.43 Диапазон усиливаемых частот определяется как:

А) отношение амплитуды выходного параметра к амплитуде входного параметра

Б) область частот, в которой коэффициент усиления меняется не больше, чем это допустимо по техническим условиям

В) наибольшая мощность, которую отдает усилитель в нагрузку при заданных величинах нелинейных и частотных искажений

Г) отношение амплитуд наиболее сильного и наиболее слабого сигналов на выходе усилителя

1.44Выходная мощность определяется как:

А) отношение амплитуды выходного параметра к амплитуде входного параметра

Б) область частот, в которой коэффициент усиления меняется не больше, чем это допустимо по техническим условиям

В) полезная мощность, развиваемая усилителем на сопротивлении нагрузки

Г) наибольшая мощность, которую отдает усилитель в нагрузку при заданных величинах нелинейных и частотных искажений

1.45 Номинальная выходная мощность определяется как:

А) отношение амплитуды выходного параметра к амплитуде входного параметра

Б) область частот, в которой коэффициент усиления меняется не больше, чем это допустимо по техническим условиям

В) полезная мощность, развиваемая усилителем на сопротивлении нагрузки

Г) наибольшая мощность, которую отдает усилитель в нагрузку при заданных величинах нелинейных и частотных искажений

1.46 Номинальное входное напряжение определяется как:

А) напряжение, которое необходимо подать на вход усилителя для получения номинальной выходной мощности

Б) отношение амплитуды выходного параметра к амплитуде входного параметра

В) область частот, в которой коэффициент усиления меняется не больше, чем это допустимо по техническим условиям

Г) наибольшая мощность, которую отдает усилитель в нагрузку при заданных величинах нелинейных и частотных искажений

1.47 Коэффициент полезного действия:

А) полезная мощность, развиваемая усилителем на сопротивлении нагрузки

Б) наибольшая мощность, которую отдает усилитель в нагрузку при заданных величинах нелинейных и частотных искажений

В) характеризует экономичность работы усилителя (+) 1 балл

Г) отношение амплитуд наиболее сильного и наиболее слабого сигналов на выходе усилителя

 

 

1.48. Динамический диапазон амплитуд определяется как:

А) полезная мощность, развиваемая усилителем на сопротивлении нагрузки

Б) отношение амплитуд наиболее сильного и наиболее слабого сигналов на выходе усилителя

В) наибольшая мощность, которую отдает усилитель в нагрузку при заданных величинах нелинейных и частотных искажений

Г) характеризует экономичность работы усилителя

1.49Коэффициент усиления тока определяется по формуле:

А)

Б)

В)

Г) нет верного ответа

 

1.50 Коэффициент усиления напряжения определяется по формуле:

А)

Б)

В)

Г) нет верного ответа

1.51 Коэффициент усиления мощности определяется по формуле:

А)

Б)

В)

Г) нет верного ответа

1.52Коэффициент усиления тока, выраженный в децибелах определяется по формуле:

А)

Б)

В)

Г) нет верного ответа

1.53 Коэффициент усиления напряжения, выраженный в децибелах определяется по формуле:

А)

Б)

В)

Г) нет верного ответа

1.54Коэффициент усиления мощности, выраженный в децибелах определяется по формуле:

А)

Б)

В)

Г) нет верного ответа

1.55 Входная мощность определяется по формуле:

А)

Б)

В)

Г)

1.56 Выходная мощность определяется по формуле:

А)

Б)

В)

Г)

1.57 Коэффициент полезного действия определяется по формуле:

А)

Б)

В)

Г)

1.58 Динамический диапазон амплитуд определяется по формуле:

А)

Б)

В)

Г)

1.59 Рабочим режимом транзистора является:

А) статический

Б) динамический

В) А и Б

Г) нет верного ответа

1.60 Условие максимального выделения мощности в нагрузке:

А) статический режим

Б) согласование нагрузки с выходным сопротивлением усилительного элемента

В) динамический режим

Г) А и В

1.61 Уравнение нагрузочной прямой имеет вид:

А)

Б)

В)

Г)

1.62 Рабочая точка определяется как:

А) точка на плоскости выходных (или других) характеристик усилительного прибора, связывающая текущие значения напряжений и токов в нем

Б) полезная мощность, развиваемая усилителем на сопротивлении нагрузки

В) наибольшая мощность, которую отдает усилитель в нагрузку при заданных величинах нелинейных и частотных искажений

Г) нет верного ответа

1.63 Усиление сигнала происходит:

А) за счет согласования нагрузки с выходным сопротивлением усилительного элемента

Б) за счет коэффициента усиления

В) за счет преобразования мощности источника питания в мощность переменного тока, который меняется по закону входного сигнала (+) 1 балл

Г) нет верного ответа

 

II «Выберите несколько правильных ответов»

1.64 К основным свойствам p-n перехода относятся:

А) свойство односторонней проводимости;

Б) температурные свойства;

В) частотные свойства;

Г) электрический и тепловой пробой

1.65 При прямом включении p-n перехода:

А) на p- область подается «-», на n- область – «+»;

Б) на p- область подается «+», на n- область – «-»;

В) протекает ток, вызванный основными носителями заряда;

Г) протекает ток, вызванный неосновными носителями заряда

1.66 При обратном включении p-n перехода:

А) на p- область подается «+», на n- область – «-»;

Б) на p- область подается «-», на n- область – «+»;

В) протекает ток, вызванный основными носителями заряда;

Г) протекает ток, вызванный неосновными носителями заряда

1.67Биполярные транзисторы могут быть:

А) германиевые

Б) кремниевые

В) с прямой проводимостью (p-n-p - структура)

Г) с обратной проводимостью (n-p-n - структура)

1.68 Биполярные транзисторы могут быть:

А) маломощные транзисторы

Б) средней мощности

В) мощные

Г) супермощные

1.69 Биполярные транзисторы могут быть:

А) низкочастотные

Б) среднечастотные

В) высокочастотные

Г) сверхвысокочастотные