Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...
Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...
Топ:
Процедура выполнения команд. Рабочий цикл процессора: Функционирование процессора в основном состоит из повторяющихся рабочих циклов, каждый из которых соответствует...
Определение места расположения распределительного центра: Фирма реализует продукцию на рынках сбыта и имеет постоянных поставщиков в разных регионах. Увеличение объема продаж...
Когда производится ограждение поезда, остановившегося на перегоне: Во всех случаях немедленно должно быть ограждено место препятствия для движения поездов на смежном пути двухпутного...
Интересное:
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Средства для ингаляционного наркоза: Наркоз наступает в результате вдыхания (ингаляции) средств, которое осуществляют или с помощью маски...
Дисциплины:
2017-06-19 | 329 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
На практике чаще встречаются полупроводники, содержащие как мелкие доноры, так и мелкие акцепторы. На рисунке показана зонная схема и схема тепловых переходов в таком полупроводнике.
При T > 0 K0 в таком полупроводнике могут иметь место тепловые переходы 1 – 4 приводящие к образованию электронов и дырок. Очевидно, примесные переходы 4 будут мало актуальными, потому что энергия активации для таких переходов , так как концентрация примесных атомов значительно меньше, чем собственных атомов то число переходов 4 в единицу времени будет значительно меньше, чем переходов 3, поэтому переходами 4 можно пренебречь. Запишем уравнение электронейтральности для полупроводника, имеющего мелкие доноры и акцепторы, исходя из условия, что в любом физически малом объеме полупроводника суммарный заряд всех частиц равен нулю. Будем рассматривать единичный объем кристалла. Отрицательный заряд в таком объеме создается свободными электронами с концентрацией и отрицательно заряженными акцепторами . Положительный заряд обеспечивается и . Тогда уравнение электронейтральности примет вид:
, ,
Рассмотрим такой полупроводник, у которого концентрации мелких доноров и акцепторов равны между собой: . Это условие соответствует полной компенсации донорно-акцепторных центров. Примесные электроны зоны проводимости, появившиеся за счет переходов 1, блуждая по кристаллу, встречаются с примесными дырками, появившееся за счет переходов 2 и рекомбинируют с образованием собственных атомов полупроводника. При наличии в полупроводнике мелких доноров и мелких акцепторов каналы рекомбинации и генерации носителей заряда не являются взаимообратными, как это бы имело место, если бы полупроводник содержал один тип мелких акцепторов. В этом случае рекомбинация происходит с образованием, как показано выше собственных атомов, а не их примесных центров, следовательно, за время порядка с момента нагревания полупроводника все примесные центры мелких доноров и акцепторов опустошаются, т.е. все мелкие доноры заряжаются положительно, а мелкие акцепторы отрицательно.
|
Они перестают быть электрически активными, т.е. не являются поставщиками электронов и дырок в свои зоны, значит в этих условиях
,
Тогда уравнение электронейтральности примет вид:
,
Значит электропроводность полностью компенсированного полупроводника, является собственной электропроводностью. Число носителей заряда в таком полупроводнике будет таким же, как в чистом полупроводнике при прочих равных условиях. Однако другие физические характеристики такого полупроводника отличаются от чистого полупроводника. Полностью компенсированный полупроводник содержит два типа полностью заряженных примесных центров. Они являются эффективными рассеивателями носителей заряда. Подвижность носителей заряда в таких полупроводниках будет значительно ниже, чем подвижность в чистых полупроводниках.
|
|
Археология об основании Рима: Новые раскопки проясняют и такой острый дискуссионный вопрос, как дата самого возникновения Рима...
Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!