Основные характеристики затухающих колебаний — КиберПедия 

Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...

Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...

Основные характеристики затухающих колебаний

2022-09-11 23
Основные характеристики затухающих колебаний 0.00 из 5.00 0 оценок
Заказать работу

 

1. Время релаксации t - промежуток времени, в течение которого амплитуда затухающих колебаний уменьшается в е раз:

 =>                         (5.9)

2. Логарифмический декремент затухания представляет логарифм отношений двух соседних амплитуд, т. е.

,        (5.10)

где N – число колебаний, совершаемых за время уменьшения амплитуды в е раз.

3. Добротность - величина обратная логарифмическому декременту

                          (5.11)

При малых значениях логарифмического декремента затухания добротность контура определяется выражением:

                                        (5.12)

                                                                                                                      

Описание установки

Электрическая схема установки для исследования затухающих колебаний представлена на рис. 5.3. С помощью вибратора (поляризованного реле) колебательный контур периодически с частотой 50 Гц подключаются к источнику тока с ЭДС E. Во время подключения конденсатора к источнику тока происходит его зарядка, а в промежутках между задающими импульсами – разрядка конденсатора в виде затухающих колебаний. Колебания напряжения на конденсаторе наблюдаются на экране осциллографа.

Рис. 5.3

Рис. 5.4

Порядок выполнения работы

1. Включите питание лабораторного макета и осциллографа. Отрегулируйте осциллограф так, чтобы на его экране было изображение полного периода задающих импульсов и картина затухающих колебаний была симметрична относительно горизонтальной оси экрана (см. рис. 5.4).

2. Снимите картину затухающих колебаний с экрана осциллографа на кальку.

3. Учитывая период задающих импульсов Ти=I/50 с, составьте пропорцию  и определите период затухающих колебаний Тз (здесь Nx и nx - количество делений экранной сетки осциллографа, соответствующих периодам задающих импульсов и затухающих колебаний) и частоту w.

4. Полагая b<<w и зная емкость конденсатора С=0,5 мкФ, вычислите индуктивность контура L.

5. Определите отношение двух последующих (n=1) или отстоящих на n периодов амплитуд и вычислите логарифмический декремент затухания (), коэффициент затухания b (5.10), добротность контура Q (5.11) и его активное сопротивление R (5.12).

6. Вычислите по формуле (5.8) критическое сопротивление контура.

7. Результаты измерений и расчетов запишите в таблицу.

 

Тз w,с-1 С, мкФ L, мГн l b, с-1 Q R, Ом Rк, Ом
                 

Зачётный минимум

● Электрический колебательный контур. Дифференциальное уравнение собственных электромагнитных колебаний и его решение.

● Реальный колебательный контур. Дифференциальное уравнение затухающих колебаний и его решение.

● Время релаксации. Логарифмический декремент. Добротность.

● Апериодический разряд конденсатора. Критическое сопротивление.

 

 

Лабораторная работа № 15

ИЗУЧЕНИЕ ВЫНУЖДЕННЫХ

ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ КОЛЕБАНИЙ

           

Цель работы: исследование резонансных кривых тока и напряжения в колебательном контуре, определение добротности контура.

Принадлежности: лабораторный модуль, генератор, мультиметры.

 

Теоретическое введение

 

2
1
Рис. 6.1
C
R
L
~ U
Для осуществления вынужденных электромагнитных колебаний необходимо в реальный колебательный контур (рис. 6.1), содержащий катушку индуктивности L, конденсатор емкости C и активное сопротивление R, включить последовательно с элементами контура переменную ЭДС, или подать переменное  напряжение

U = Um cosw t. (6.1)

Согласно закону Ома для неоднородного участка цепи 1–R–L–2 (рис. 6.1) получим

IR + (φ1 – φ2)=ES +E(f),                       (6.2)

где φ1 – φ2 = q/C - разность потенциалов на обкладках конденсатора; ES = - L(dI/dt) – ЭДС самоиндукции катушки индуктивности, E(f) = U0cos ωt.

С учетом того, что I =  , и ES = - L , уравнение (6.2) принимает вид

                 (6.3)

где β = R/2L – коэффициент затухания,  – частота собственных колебаний контура.

Уравнение (6.3) представляет собой стандартное дифференциальное уравнение вынужденных электромагнитных колебаний. При установившихся колебаниях дифференциальное уравнение (6.3) имеет решение

                 q = qm cos(wt - y),                                (6.4)

где        

,                 (6.5)

                         (6.6)

Подстановка значений ω02 и β дает

,                (6.7)

                      (6.8)

Продифференцировав выражение (6.4) по t, найдем силу тока в контуре при установившихся колебаниях

         (6.9)

Запишем это выражение в виде

,                          (6.10)

где φ=ψ-π/2 – есть сдвиг по фазе между током и приложенным напряжением. Амплитуду силы тока и начальную фазу найдем из формул (6.7) и (6.8)

  (6.12)
             (6.11)

 

.             

Разделив выражение (6.4) на емкость, получим напряжение на конденсаторе

,           (13)
     (6.13)

где

.                     (6.14)

 

Умножив производную функции (6.10) на L, получим напряжение на индуктивности:

,  (6.15)

где             

                             (6.16)

Сопоставление формул (6.10), (6.13) и (6.15) показывает, что напряжение на емкости отстает по фазе от силы тока на π/2, а напряжение на индуктивности опережает ток на π/2.Напряжение на активном сопротивлении изменяется в фазе с током. Фазовые соотношения можно представить очень наглядно с помощью векторной диаграммы (рис. 6.2).

Резонансная частота для заряда и напряжения на конденсаторе равна

.          (6.17)

 

Рис. 6.2
U
m
Um
U
C
U
LI
w
C
I
m
w
L
U
I
ø
ö
è
æ
R
R
I
C
L
w
-
w
1
m
m
÷
ç

 

 


2
Резонансные кривые для Uс изображены на рис. 6.3. При ω→ 0 резонансные кривые сходятся в одной точке с ординатой UCm= Um – напряжению, возникающему на конденсаторе при подключении его к источнику постоянного напряжения Um.

Максимум при резонансе получается тем выше и острее, чем меньше β= R/2L.

Резонансные кривые для силы тока изображены на рис. 6.4.

Амплитуда силы тока имеет максимальное значение при =0. Следовательно, резонансная частота для силы тока совпадает с собственной частотой контура                              

                                (6.18)

 

 

 

 

Рис. 6.4

 

При ω → 0, Im = 0, так как при постоянном напряжении установившийся ток в цепи с конденсатором течь не может.

4
Резонансные свойства контура характеризует добротность Q, которая показывает, во сколько раз напряжение на конденсаторе может превышать амплитудное значение приложенного напряжения, т.е.

                           (6.19)

При малых затуханиях ωрез ≈ ω0 и

                                             (6.20)

Таким образом, добротность обратно пропорциональна активному сопротивлению контура и определяет остроту резонансных кривых. На рис. 6.5 изображена одна из резонансных кривых для силы тока в контуре. Частоты ω1 и ω2 соответствуют току I = Imax/ .

 

 

Рис. 6.5

 

Относительная ширина резонансной кривой равна величине обратной добротности контура, т. е.

                            (6.21)

5
Явление резонанса используют для выделения из сложного напряжения, равного сумме нескольких синусоидальных напряжений, нужной составляющей.

Пусть напряжение, приложенное к контуру, равно

U = Um 1cos(w1t + j1) + Um 2cos(w2t + j2) +…+ Umi cos(wit + ji) +…+ Umn cos(w n t + j n).

Настроив контур (посредством изменения R и C) на требуемую частоту wi, можно получить на конденсаторе напряжение в Q раз превышающее значение данной составляющей, в то время как напряжение, создаваемое на конденсаторе другими составляющими, будет малым. Таким образом осуществляется, например, настройка радиоприёмника на нужную длину волны


Поделиться с друзьями:

Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...

Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...

Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...

История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...



© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!

0.033 с.