Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...
Топ:
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов...
Выпускная квалификационная работа: Основная часть ВКР, как правило, состоит из двух-трех глав, каждая из которых, в свою очередь...
Оценка эффективности инструментов коммуникационной политики: Внешние коммуникации - обмен информацией между организацией и её внешней средой...
Интересное:
Национальное богатство страны и его составляющие: для оценки элементов национального богатства используются...
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Финансовый рынок и его значение в управлении денежными потоками на современном этапе: любому предприятию для расширения производства и увеличения прибыли нужны...
Дисциплины:
2022-09-11 | 23 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
1. Время релаксации t - промежуток времени, в течение которого амплитуда затухающих колебаний уменьшается в е раз:
=> (5.9)
2. Логарифмический декремент затухания представляет логарифм отношений двух соседних амплитуд, т. е.
, (5.10)
где N – число колебаний, совершаемых за время уменьшения амплитуды в е раз.
3. Добротность - величина обратная логарифмическому декременту
(5.11)
При малых значениях логарифмического декремента затухания добротность контура определяется выражением:
(5.12)
Описание установки
Электрическая схема установки для исследования затухающих колебаний представлена на рис. 5.3. С помощью вибратора (поляризованного реле) колебательный контур периодически с частотой 50 Гц подключаются к источнику тока с ЭДС E. Во время подключения конденсатора к источнику тока происходит его зарядка, а в промежутках между задающими импульсами – разрядка конденсатора в виде затухающих колебаний. Колебания напряжения на конденсаторе наблюдаются на экране осциллографа.
Рис. 5.3
Рис. 5.4
Порядок выполнения работы
1. Включите питание лабораторного макета и осциллографа. Отрегулируйте осциллограф так, чтобы на его экране было изображение полного периода задающих импульсов и картина затухающих колебаний была симметрична относительно горизонтальной оси экрана (см. рис. 5.4).
2. Снимите картину затухающих колебаний с экрана осциллографа на кальку.
3. Учитывая период задающих импульсов Ти=I/50 с, составьте пропорцию и определите период затухающих колебаний Тз (здесь Nx и nx - количество делений экранной сетки осциллографа, соответствующих периодам задающих импульсов и затухающих колебаний) и частоту w.
|
4. Полагая b<<w и зная емкость конденсатора С=0,5 мкФ, вычислите индуктивность контура L.
5. Определите отношение двух последующих (n=1) или отстоящих на n периодов амплитуд и вычислите логарифмический декремент затухания (), коэффициент затухания b (5.10), добротность контура Q (5.11) и его активное сопротивление R (5.12).
6. Вычислите по формуле (5.8) критическое сопротивление контура.
7. Результаты измерений и расчетов запишите в таблицу.
Тз,с | w,с-1 | С, мкФ | L, мГн | l | b, с-1 | Q | R, Ом | Rк, Ом |
Зачётный минимум
● Электрический колебательный контур. Дифференциальное уравнение собственных электромагнитных колебаний и его решение.
● Реальный колебательный контур. Дифференциальное уравнение затухающих колебаний и его решение.
● Время релаксации. Логарифмический декремент. Добротность.
● Апериодический разряд конденсатора. Критическое сопротивление.
Лабораторная работа № 15
ИЗУЧЕНИЕ ВЫНУЖДЕННЫХ
ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ КОЛЕБАНИЙ
Цель работы: исследование резонансных кривых тока и напряжения в колебательном контуре, определение добротности контура.
Принадлежности: лабораторный модуль, генератор, мультиметры.
Теоретическое введение
2 |
1 |
Рис. 6.1 |
C |
R |
L |
~ U |
U = Um cosw t. (6.1)
Согласно закону Ома для неоднородного участка цепи 1–R–L–2 (рис. 6.1) получим
IR + (φ1 – φ2)=ES +E(f), (6.2)
|
где φ1 – φ2 = q/C - разность потенциалов на обкладках конденсатора; ES = - L(dI/dt) – ЭДС самоиндукции катушки индуктивности, E(f) = U0cos ωt.
С учетом того, что I = , и ES = - L , уравнение (6.2) принимает вид
(6.3)
где β = R/2L – коэффициент затухания, – частота собственных колебаний контура.
Уравнение (6.3) представляет собой стандартное дифференциальное уравнение вынужденных электромагнитных колебаний. При установившихся колебаниях дифференциальное уравнение (6.3) имеет решение
q = qm cos(wt - y), (6.4)
где
, (6.5)
(6.6)
Подстановка значений ω02 и β дает
, (6.7)
(6.8)
Продифференцировав выражение (6.4) по t, найдем силу тока в контуре при установившихся колебаниях
(6.9)
Запишем это выражение в виде
, (6.10)
где φ=ψ-π/2 – есть сдвиг по фазе между током и приложенным напряжением. Амплитуду силы тока и начальную фазу найдем из формул (6.7) и (6.8)
(6.12) |
.
Разделив выражение (6.4) на емкость, получим напряжение на конденсаторе
, (13) |
где
. (6.14)
Умножив производную функции (6.10) на L, получим напряжение на индуктивности:
, (6.15)
где
(6.16)
Сопоставление формул (6.10), (6.13) и (6.15) показывает, что напряжение на емкости отстает по фазе от силы тока на π/2, а напряжение на индуктивности опережает ток на π/2.Напряжение на активном сопротивлении изменяется в фазе с током. Фазовые соотношения можно представить очень наглядно с помощью векторной диаграммы (рис. 6.2).
Резонансная частота для заряда и напряжения на конденсаторе равна
. (6.17)
Рис. 6.2 |
U |
m |
Um |
U |
C |
U |
LI |
w |
C |
I |
m |
w |
L |
U |
I |
ø |
ö |
è |
æ |
R |
R |
I |
C |
L |
w |
- |
w |
1 |
m |
m |
÷ |
ç |
2 |
Максимум при резонансе получается тем выше и острее, чем меньше β= R/2L.
|
Резонансные кривые для силы тока изображены на рис. 6.4.
Амплитуда силы тока имеет максимальное значение при =0. Следовательно, резонансная частота для силы тока совпадает с собственной частотой контура
(6.18)
Рис. 6.4
При ω → 0, Im = 0, так как при постоянном напряжении установившийся ток в цепи с конденсатором течь не может.
4 |
(6.19)
При малых затуханиях ωрез ≈ ω0 и
(6.20)
Таким образом, добротность обратно пропорциональна активному сопротивлению контура и определяет остроту резонансных кривых. На рис. 6.5 изображена одна из резонансных кривых для силы тока в контуре. Частоты ω1 и ω2 соответствуют току I = Imax/ .
Рис. 6.5
Относительная ширина резонансной кривой равна величине обратной добротности контура, т. е.
(6.21)
5 |
Пусть напряжение, приложенное к контуру, равно
U = Um 1cos(w1t + j1) + Um 2cos(w2t + j2) +…+ Umi cos(wit + ji) +…+ Umn cos(w n t + j n).
Настроив контур (посредством изменения R и C) на требуемую частоту wi, можно получить на конденсаторе напряжение в Q раз превышающее значение данной составляющей, в то время как напряжение, создаваемое на конденсаторе другими составляющими, будет малым. Таким образом осуществляется, например, настройка радиоприёмника на нужную длину волны
|
|
Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!