Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...
Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
Топ:
История развития методов оптимизации: теорема Куна-Таккера, метод Лагранжа, роль выпуклости в оптимизации...
Эволюция кровеносной системы позвоночных животных: Биологическая эволюция – необратимый процесс исторического развития живой природы...
Выпускная квалификационная работа: Основная часть ВКР, как правило, состоит из двух-трех глав, каждая из которых, в свою очередь...
Интересное:
Отражение на счетах бухгалтерского учета процесса приобретения: Процесс заготовления представляет систему экономических событий, включающих приобретение организацией у поставщиков сырья...
Принципы управления денежными потоками: одним из методов контроля за состоянием денежной наличности является...
Влияние предпринимательской среды на эффективное функционирование предприятия: Предпринимательская среда – это совокупность внешних и внутренних факторов, оказывающих влияние на функционирование фирмы...
Дисциплины:
2021-06-30 | 25 |
5.00
из
|
Заказать работу |
При проектировании усилителя, получили следующие значения резисторов:
R1=100 Ом; R2=200 Ом; R3=120 Ом; R4=20 КОм; R5=20 КОм; R6=200 Ом; R7=70 Ом.
Важным параметром резистора, во многом определяющим его характеристики, является
(4.7)
где b эфф.0 - минимальная эффективная ширина, определяемая технологическими ограничениями; b эфф.Р -минимальная эффективная ширина, определяемая допустимой удельной рассеиваемой мощностью (Р0); bэфф.Т -минимальная эффективная ширина, обеспечивающая заданную точность изготовления.
Значение bэфф.Р находится из выражения для допустимой мощности(Р), рассеиваемая резистором, которая должна удовлетворять неравенству
(4.8)
где Р0 ≈ 5 Вт/мм2 - допустимая удельная мощность. Отсюда следует, что
(4.9)
В качестве диэлектрика для резисторов выберем рений.
Рассчитаем мощность рассеиваемую на резисторе R1:
Р1=Up12/R1=(0.8*10-6)2/100=6.4*10-15 Вт (4.10)
(4.11)
Определим bТ=(2*ΔbT)/(δR-δRs)=(2*0.2*10-6)/0.2-0.1=4*10-6 (4.12)
Где: Δ bT =0,2*10-6м.
δR - погрешность в номиналах сопротивлений.
δRs - погрешность в номинале поверхностного сопротивления.
Рассчитаем коэффициент формы:
Кф1=R1/Rко=100/250=0,4 (4.13)
Найдем длину резистора:
L1=Кф1*bэфф=0,4*30*10-6=1,2*10-5 м (4.14)
Где: bэфф - минимально эффективная ширина.
Параметры всех резисторов приведены в таблице 4.2
Резистор | Uраб, мкВ | P, Bт | bp, м | bt, м | Кф | L, м |
R1 | 0,8 | 6,4*10-15 | 5,65*10-11 | 4*10-6 | 0,4 | 1,2*10-5 |
R2 | 6,5 | 3,2*10-15 | 2,82*10-11 | 4*10-6 | 0,89 | 2,4*10-5 |
R3 | 6,4 | 5,33*10-15 | 4,71*10-11 | 4*10-6 | 0,48 | 2,44*10-5 |
R4 | 0,2 | 3,2*10-15 | 2,82*10-10 | 4*10-6 | 0,08 | 2,4*10-6 |
R5 | 1,46 | 3,2*10-15 | 2,82*10-10 | 4*10-6 | 0,08 | 2,4*10-6 |
R6 | 24,2 | 3,2*10-15 | 2,82*10-11 | 4*10-6 | 0,8 | 2,4*10-5 |
R7 | 24 | 9,14*10-15 | 8,08*10-11 | 4*10-6 | 0,28 | 8,4*10-6 |
Разработка топологии кристалла
Исходными данными являются принципиальная электрическая схема с заданным расположением контактных площадок и геометрические размеры элементов. На этом этапе решаются такие вопросы, как определение необходимого числа изолированных областей, минимизация возможного числа пересечений коммутационных шин элементов и длины шин.
На данном этапе рассматривается ряд вариантов топологии, отличающихся компоновкой отдельных узлов. В процессе разработки вариантов топологии происходит перемещение элементов, изменение их формы, в частности, многократный изгиб каналов резисторов, изменение формы контактов, формы транзисторов и другие модификации. При этом необходимо осуществлять корректировку геометрических размеров элементов для сохранения значений их электрических параметров. На свободных периферийных участках кристалла располагаются метки совмещения, тестовые элементы и другие вспомогательные элементы. В заключение выбираем оптимальный предварительный вариант топологии.
Спроектированная топология должна: удовлетворять всем предъявляемым электрическим, конструктивным и технологическим требованиям и ограничениям; обеспечивать возможность экспериментальной проверки электрических параметров элементов или отдельных блоков схемы; давать возможность сокращения числа технологических операций и стоимости изготовления (простые методы изоляции элементов; однослойная металлизация и др.); плотность размещения элементов должна быть по возможности максимальной.
Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...
Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
Историки об Елизавете Петровне: Елизавета попала между двумя встречными культурными течениями, воспитывалась среди новых европейских веяний и преданий...
Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!