Нелинейность вольт-амперной характеристики диода объясняется

Нелинейность вольт-амперной характеристики диода объясняется

+ примесными дефектами кристаллической структуры

- вентильными свойствами

- собственным сопротивлением полупроводника

 

 

Укажите уравнение вольт-амперной характеристики диода

-

-

-

+

+

 

Преимуществом германиевых выпрямительных диодов перед кремниевыми является

- более высокое обратное напряжение

- минимальный обратный ток

- более высокая допустимая температура

+ небольшое падение напряжения на переходе при прямом включении

 

Падение напряжения на переходе у кремниевых выпрямительных диодов при прямом включении ограничено напряжением

- 0,5 В

+ 1 В

- 1,5 В

- 2 В

 

Допустимая температура для кремниевых диодов составляет

- 70 ⁰С

+ 120 ⁰С

- 250 ⁰С

 

Допустимая температура для германиевых диодов составляет

+ 70 ⁰С

- 120 ⁰С

- 220 ⁰С

Емкость высокочастотных диодов

+должна иметь малое значение

-должна быть как можно больше

-может быть любой

 

 

Для генерации электрических сигналов используют следующие диоды

-импульсные

+туннельные

-стабилитроны

 

 

Укажите номер рисунка с условным обозначением выпрямительного (импульсного) диода.

+ номер «1»

- номер «5»

- номер «8»

- номер «9»

 

 

Укажите номер рисунка, на котором изображена вольт-амперная характеристика выпрямительного диода.

- номер «1»

- номер «2»

- номер «3»

+ номер «4»

 

 

Укажите номер кривой, соответствующей обратному включению диода, выполненного из арсенида галлия. (ширина запрещенных зон полупроводниковых кристаллов ΔW _Ge =0.69 эВ, ΔW _Si =1.12 эВ, ΔW _GaAs =1.43 эВ)

- номер «3»

- номер «6»

+ номер «4»

- номер «1»

 

 

Выпрямительный диод предназначен

+ для преобразования напряжения переменной полярности в напряжение постоянной полярности

- для преобразования постоянного тока в переменный

- для преобразования низкочастотных сигналов в высокочастотные

 

 

На рисунке изображены 6 вольт-амперных характеристик для трех диодов, выполненных из различных материалов. Выберите номера тех, которые характеризуют диод с самой большой шириной запрещенной зоны. (ширина запрещенных зон полупроводниковых кристаллов ΔW _Ge =0.69 эВ, ΔW _Si =1.12 эВ, ΔW _GaAs =1.43 эВ)

+ номер «3»

- номер «6»

+ номер «4»

- номер «1»

 

На рисунке на кривой 1 изображен характеристический треугольник, используя который, можно определить параметр диода

+ крутизну

- статическое сопротивление

+ дифференциальное сопротивление

 

 

На диоде при изменении прямого напряжения от 0,2 до 0,5 В прямой ток увеличивается от 3 до 18 мА. Дифференциальное сопротивление этого диода

+ 20 Ом

- 50 Ом   

- 27,7 Ом

- 66,6 Ом

 

 

Соотношение между прямым R _пp и обратным сопротивлением R _обр полупроводникового диода следущее:

-

+

-

 

 

Основное достоинство точечного диода

- малые размеры

- простота конструкции

+ малая емкость p-n- перехода

 

Варикап включается в

- прямом направлении

+ обратном направлении

- как в прямом, так и в обратном направлении

 

 

На рисунке изображены вольтфарадные характеристики варикапов, изготовленных по различным технологиям. Найдите соответствие между номером кривой и технологией изготовления.

4кривая 1

5кривая 2

6кривая 3

0 планарно-эпитаксиальная технология

0 сплавная технология

0 диффузионная технология

 

Диод Шоттки – это

+ диод с выпрямляющим контактом металл-полупроводник

- диод, образованный вырожденными полупроводниками

- емкость на основе p-n-перехода, управляемая обратным напряжением

 

 

В невыпрямляющем переходе "металл-полупроводник" приконтактный слой полупроводника

+ обогащен основными носителями

- обеднен основными носителями

- обеднен неосновными носителями

- обогащен неосновными носителями

 

Укажите номер рисунка с условным обозначением диода Шоттки.

- номер «5»

- номер «7»

- номер «8»

+ номер «9»

Диоды с барьером Шоттки отличаются от диодов с p-n- переходом следующими параметрами:

+ большим обратным током

- меньшим обратным током

+ лучшими динамическими свойствами

- худшими динамическими свойствами

+ меньшим прямым напряжением

Стабистор включается в

+ прямом направлении

- обратном направлении

- как в прямом, так и в обратном направлении

 

Стабилитрон включается в

- прямом включении

+ обратном включении

- как в прямом, так и в обратном направлении

 

Туннельный диод – это диод,

+ обладающий высокой концентрацией примесей (10¹⁹÷10²⁰ см^–3)

+ обладающий малой толщиной запирающего слоя

- имеющий малую площадь перехода

- имеющий малую барьерную емкость

-все ответы правильные

 

Отношение пикового тока I _п к току впадины - I _в - определяет

- усилительные свойства туннельного диода

+ переключательные свойства туннельного диода

- генераторные свойства туннельного диода

 

Полупроводниковый прибор, содержащий p-n-переход с очень малой толщиной запирающего слоя, в котором носители заряда проходят сквозь потенциальный барьер благодаря квантово- механическому процессу туннелирования называется

- варикап

- выпрямительный диод

- диод Шоттки

+ туннельный диод

 

 

Полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на возникновении в диапазоне сверхвысоких частот отрицательного динамического сопротивления, вызванного процессами лавинного умножения носителей заряда и их пролетом через полупроводниковую структуру, называется

- фотодиод

- светодиод

- туннельный диод

+ лавинно-пролетный диод

 

 

Излучение в лазерах

+ когерентное

- некогерентное

- квази-когерентное

 

Светодиод может излучать

+в прямом включении

-в обратном включении

-как в прямом, так и обратном включении

 

В инжекционном светодиоде происходят следующие преобразования энергии:

+электрическая - в энергию некогерентного светового излучения

-электрическая в световую - световая в электрическую

-световая в электрическую

 

 

Нелинейность вольт-амперной характеристики диода объясняется

+ примесными дефектами кристаллической структуры

- вентильными свойствами

- собственным сопротивлением полупроводника