Двойное оплодотворение у цветковых растений: Оплодотворение - это процесс слияния мужской и женской половых клеток с образованием зиготы...
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Топ:
Особенности труда и отдыха в условиях низких температур: К работам при низких температурах на открытом воздухе и в не отапливаемых помещениях допускаются лица не моложе 18 лет, прошедшие...
Методика измерений сопротивления растеканию тока анодного заземления: Анодный заземлитель (анод) – проводник, погруженный в электролитическую среду (грунт, раствор электролита) и подключенный к положительному...
Теоретическая значимость работы: Описание теоретической значимости (ценности) результатов исследования должно присутствовать во введении...
Интересное:
Лечение прогрессирующих форм рака: Одним из наиболее важных достижений экспериментальной химиотерапии опухолей, начатой в 60-х и реализованной в 70-х годах, является...
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Искусственное повышение поверхности территории: Варианты искусственного повышения поверхности территории необходимо выбирать на основе анализа следующих характеристик защищаемой территории...
Дисциплины:
2018-01-14 | 228 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Каждый пленочный резистор кроме резистивной зоны имеет зону контактного перехода h (см. рис. 2). Конструкция и техпроцесс изготовления ТПР должны обеспечивать минимальное переходное сопротивление между резистивной и проводящей пленками, хорошую адгезию к подложке, равномерное распределение линий тока в зоне контакта. Контактный слой между резистивной и проводящей пленками представляет собой сложную структуру, содержащую окислы и газовые включения, количество и состав которых зависят от степени вакуума, при котором изготовлена микросхема, и от времени между операциями нанесения резистивных и проводящих пленок. Переходное сопротивление, следовательно, зависит от геометрических размеров b и h контактной зоны, удельного поверхностного сопротивления R резистивной пленки и удельного сопротивления переходного слоя R* току, перетекающему из резистивной пленки в проводящую.
Величина переходного сопротивления контакта определяется как
|
Величина R* для различных режимов технологического процесса может составлять 0,01...2,0 Ом .мм2. Наименьшие значения соответствуют высокому уровню технологии, наибольшие - низкому (низкий вакуум, раздельное нанесение слоев).
Относительная погрешность сопротивления ТПР из-за наличия контактного сопротивления определяется как
(13)
Если величина , полученная из формулы (13), больше вы-
бранной ориентировочно при определении технологического допуска по формуле (4), то расчет ТПР необходимо повторить, подставив в формулу (4) значение из формулы (13).
Длина перекрытия h резистивной и проводящей пленок определяется по формуле
Однако учитывая возможность смещения трафаретов в процессе напыления резистивных и проводящих пленок (при методе свободной маски), величину h необходимо брать не менее 0,2 мм.
|
Суммарная длина резистивной пленки с учетом длины контактных переходов определяется выражением
Помимо контактных переходов пленочных резисторов в ГИС имеются контактные площадки для подсоединения выводов навесных компонентов и соединения схемы с выводами корпуса. Они должны обеспечивать не только хорошую адгезию к подложке и малое сопротивление, но и хороший контакт с присоединяемыми проводниками при пайке или термокомпрессии.
Перечисленным требованиям лучше всего удовлетворяют многослойные контактные площадки. В качестве первого слоя, называемого подслоем, способного образовывать прочное сцепление с подложкой и последующими слоями, используются тонкие (100…200A) металлические пленки, чаще всего пленки хрома, нихрома или марганца.
При точностных расчетах ТПК, если задана вероятность выхода (изготовления) Фс годного ТПК, допустимое значение среднеквадратичного отклонения емкости при нормальном законе распределения погрешностей определяется по формуле
(32)
где Z - значение аргумента интеграла вероятностей (см. табл. 3); - технологический допуск, определяемый из выражения (27).
Истинное значение получаемое в результате изготовления ТПК, учитывая, что С = C0S можно определить по формуле
(33)
где - дисперсия значений удельной емкости ТПК, определяемая экспериментально при отладке техпроцесса изготовления ТПК, зависит от точности воспроизведения толщины и свойств диэлектрической пленки ТПК; - дисперсия значения площади ТПК, зависящая от точности выполнения размеров ТПК
Так как площадь ТПК S = АВ, а размеры А и В верхней обкладки ТПК получаются в едином технологическом процессе, в расчетах на основе теории вероятностей необходимо учитывать коэффициент корреляции между отклонениями размеров А и В. Поэтому [4]
|
(34)
где - коэффициент корреляции между отклонениями размеров А и B; , - абсолютные среднеквадратические отклонения размеров верхней обкладки.
Так как эти отклонения получаются в процессе одной техноло-
гической операции, можно считать
Получаемая в процессе изготовления величина не должна
превышать , определяемую по формуле (32), т.е. должно вы-полняться неравенство . Следовательно, с учетом соотношения (33) для расчетов можно принять
где S - активная площадь конденсатора, равная площади перекрытия обкладок, см2; d - толщина диэлектрического слоя, см; п - число обкладок.
Формула (28) не учитывает дополнительной емкости, образующейся по контуру обкладок из-за краевого эффекта. Однако на точность расчетов это почти не влияет, так как краевая емкость очень мала (составляет доли пикофарад).
Конструктивные формы ТПК могут быть различными, однако с точки зрения простоты расчетов и удобства размещения ТПК на подложке наиболее приемлемой является прямоугольная конструкция с размерами верхней обкладки А и В. В этом случае коэффициент формы ТПК можно выразить отношением
Известно, что погрешность емкости ТПК при одних и тех же абсолютных погрешностях выполнения размеров верхней обкладки будет минимальной при А =B т.е. при Кф = 1.
Величина удельной емкости Q определяется из соотношения
С0 = min { C'0, C''0, C'''0 } (29)
Величины C'0 и C''0 вычисляются по формуле
(30)
При определении С'о в знаменатель выражения (30) необходимо подставить значение d' - минимальную допустимую толщину диэлектрической пленки (см. табл. 5),
При определении C''0 в знаменатель выражения (30) подставляется величина
d'' = (31)
где Кз = 2...4 - коэффициент запаса электрической прочности ТПК. Величина C'''0 определяется из условия обеспечения заданной точности ТПК.
Величина C'''0 и соответственно размеры ТПК должны быть такими, чтобы его емкость при заданных технологических погрешностях , , c заданной вероятностью Фс попала в заданный допуск .
Нередко в качестве подслоя используют те же слои и материалы, из которых изготовлены резисторы.
Основной слой контактной площадки напыляется из материала с высокой проводимостью (алюминий, медь, золото) на подслой и имеет толщину в несколько тысяч ангстрем. Для предотвращения окисления поверхности основного слоя на него наносят защитный слой из материала, обладающего устойчивостью к окислению и хорошей паяемостью и свариваемостью. Часто в качестве верхнего слоя используют никель, реже - золото.
|
|
|
Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
Таксономические единицы (категории) растений: Каждая система классификации состоит из определённых соподчиненных друг другу...
Историки об Елизавете Петровне: Елизавета попала между двумя встречными культурными течениями, воспитывалась среди новых европейских веяний и преданий...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!