Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Топ:
Особенности труда и отдыха в условиях низких температур: К работам при низких температурах на открытом воздухе и в не отапливаемых помещениях допускаются лица не моложе 18 лет, прошедшие...
Процедура выполнения команд. Рабочий цикл процессора: Функционирование процессора в основном состоит из повторяющихся рабочих циклов, каждый из которых соответствует...
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного хозяйства...
Интересное:
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Лечение прогрессирующих форм рака: Одним из наиболее важных достижений экспериментальной химиотерапии опухолей, начатой в 60-х и реализованной в 70-х годах, является...
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Дисциплины:
2017-11-16 | 407 |
5.00
из
|
Заказать работу |
1.
- Определить собственную концентрацию носителей заряда;
- Определить удельное сопротивление полупроводника собственной проводимости;
- Определить суммарную концентрацию фоновых примесей, определящих собственную проводимость полупроводника (в %,O, ppm, ppb, см-3)
для Ge, Si, GaAs, InSb, SiC
при T= 300 K, 293 K (200 C), 233 K (-400 C), 77 K.
Формулы для расчета:
Nc(v)=2.5078.1019[m*n(p)/m0]3/2.[T/300]3/2 см-3. При m*n= 1. 06 mo; m*p = 0.56 mo Þ Nc =2.7393.1019.[T/300]3/2 см-3; Nv =1.0519.1019.[T/300]3/2 см-3.
Решение, ответы.
Если принять для Si, что при 20о С (293 К) DE = 1.11 эВ Þ ni = 4.65 × 109 см-3.
Если при 27о С (300 К) DE = 1.11 эВ Þ ni= 8.05 × 109 см-3.
1. Рассчитать содержание основного вещества в % (ат.) в германии собственной проводимости (300 К). Определить концентрацию примеси в ppb.
2. Слиток кремния легирован сурьмой. Удельное сопротивление кремния 0,05 Ом×см. Сколько граммов сурьмы содержится в 50 кг такого кремния.
3. Полупроводниковое соединение GaAs содержит 50% (атом) Ga. Определить количество Ga, необходимое для синтеза 1 кг этого соединения.
dGaAs=5,37 г/см3; dGa=5,9 г/см3.
4. Слиток кремния содержит легирующую примесь - фосфор в количестве 10 г/тонну. Определить удельное сопротивление Si. Различием в плотности Si и Р можно принебречь.
5. Рассчитать содержание основного вещества в % (ат) в кремнии собственной проводимости, суммарное содержание примесей в ppb. ni = 1.4×1010 см-3 (300К).
6. Рассчитать концентрацию примеси в слитке Si после зонной плавки на расстоянии 200 мм от начала слитка; удельное сопротивление. Легирующая примесь -As (kэфф= 0.4). Концентрация примеси в жидкой фазе 1 ×1017см-3, длина зоны 100 мм.
7. Кремний имеет удельное сопротивление 0.5 Ом × см. Легирующая примесь - бор. Определить концентрацию примеси (в см-3, ppb).
8. Рассчитать количество вводимой в расплав примеси (в виде элемента) при выращивании монокристалла Si марки КЭМ - 0.2. Vкр= 1,5 мм/мин; kэфф= 0,45; Gкрист= 3 кг.
9. Рассчитать количество вводимой в расплав примеси при выращивании монокристалла Si марки КЭФ - 1.0
- при введении примеси с поликристаллической лигатурой; kэфф= 0,45; Gкрист= 40 кг.
10. Рассчитать количество вводимой в расплав примеси при выращивании монокристалла Si марки КЭФ - 1.0
- при введении примеси с монокристаллической лигатурой; kэфф= 0,3; Gкрист= 40 кг.
11. Рассчитать концентрацию примеси в слитке германия после направленной кристаллизации на расстоянии 900 мм от начала слитка. Общая длина слитка 1000 мм, легирующая примесь - Ga (kэфф= 0.08; Vкр= 1,5 мм/мин).
ПРОБЛЕМЫ ВЫЧИСЛЕНИЙ И АППРОКСИМАЦИЙ
Вычисление значений подвижности носителей заряда
Значения подвижности основных носителей заряда в зависимости от концентрации примесей и температуры можно определить из аппроксимирующих эмпирических выражений, приведенных в [19].
,
,
где mn - подвижность электронов в кремнии n - типа, см2/В×c;
mp - подвижность дырок в кремнии p - типа, см2/В×c;
Tn - нормализованная температура, Tn = T /300,16;
T - температура, при которой определяется подвижность носителей, K.
Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...
Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...
Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!