Список используемой технической литературы

В настоящем Руководстве использованы также технические материалы по вопросам ЭМС из следующих источников:

MIL-STD-461E – военный стандарт США “Требования по контролю характеристик электромагнитного взаимодействия подсистем и оборудования”

MIL-STD-462D – военный стандарт США “Измерение характеристик электромагнитного взаимодействия подсистем и оборудования”

Д.Н.Шапиро “Основы теории электромагнитного экранирования” // Л: Энергия, 1975 г.

Под ред. М.Сокольника “Справочник по радиолокации”, Нью-Йорк, 1970, пер.с англ. в 4-х томах под ред. К.Н.Трофимова и П.И.Дудника // М: Советское радио, 1977 г.

Г.Отт “Методы подавления шумов и помех в электронных системах”, пер.с англ. Б.Н.Бронина, под ред. к.т.н. М.В.Гальперина // М: МИР, 1979 г.

Составитель Д.Р.Ж. Уайт “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и непреднамеренные помехи”, Джермантаун, 1971-1973 г. Вып.1, Общие вопросы ЭМС. Межсистемные помехи., пер.с англ. А.И.Сапгира // М: Советское радио, 1977 г.

Составитель Д.Р.Ж. Уайт “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и непреднамеренные помехи”, Джермантаун, 1971-1973 г. Вып.2, Внутрисистемные помехи.и методы их уменьшения, пер.с англ. А.И.Сапгира // М: Советское радио, 1978 г.

Составитель Д.Р.Ж. Уайт “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и непреднамеренные помехи”, Джермантаун, 1971-1973 г. Вып.3, Измерение электромагнитных помех и измерительная аппаратура, пер.с англ. А.И.Сапгира // М: Советское радио, 1979 г.

М.Л.Волин “Паразитные процессы в радиоэлектронной аппаратуре”, 2-е изд. // М: Радио и связь, 1981 г.

П.П.Гелль, Н.К.Иванов-Есипович “Конструирование и микроминиатюризация радиоэлектронной аппаратуры” // Л: Энергоатомиздат, 1984 г.

Под общей ред. В.Краузе “Конструирование приборов” в 2-х кн., пер.с нем. В.Н.Пальянова, под ред. О.Ф.Тищенко // М: Машиностроение, 1987 г.

Л.Н.Кечиев, А.Д.Князев., Б.В.Петров “Конструирование радиоэлектронной и электронно-вычислительной аппаратуры с учетом электромагнитной совместимости” // М: Радио и связь, 1989 г.

Дж.Барнс пер.с англ. “Электронное конструирование:методы борьбы с помехами” // М: МИР, 1990 г.

А.Шваб “Электромагнитная совместимость”, пер. с нем. В.Д.Мазина и С.А. Спектора под ред. И.П.Кужекина // М: Энергоатомиздат, 1995 г.

Е.Угрюмов “Цифровая схемотехника” // СПб: БХВ-Санкт-Петербург, 2001 г.

В.А.Яцкевич, Ю.Н.Викулов “Экраны для защиты от электромагнитных волн СВЧ-диапазона” // сб.науч.докл.IV Межд.симп.по ЭМС и электромагнитной экологии, СПб: 2001 г.

Н.С.Вернигоров и др. “Экспериментальные исследования воздействия импульсного СВЧ-излучения на материалы” // Информост, №6, 2002 г.

Т.Уильямс “ЭМС для разработчиков продукции” // пер.с англ. М: ИД Технологии, 2003 г.

Т.Уильямс “ЭМС для систем и установок” // пер.с англ. М: ИД Технологии, 2004 г.

Т.Р.Газизов “Преднамеренные электромагнитные помехи и авионика” // Успехи современной радиоэлектроники, №2, 2004 г.

“Электромагнитная совместимость в радиоэлектронных системах” обзор, // М: ООО Авиакосмические технологии, 2005 г.

Джонсон, Говард В.,Грэхем, Мартин “Высокоскоростная передача цифровых данных:высший курс черной магии”, пер.с англ. // М: ИД Вильямс, 2005 г.

Джонсон, Говард В.,Грэхем, Мартин “Конструирование высокоскоростных цифровых устройств:начальный курс черной магии”, пер.с англ. // М: ИД Вильямс, 2006 г.

“Авиационные системы в XXI веке” сб.докладов научно-тех.конф., М: 2006 г.

Л.Н.Кечиев “Экранирование электронных средств и экранирующие системы” // М: ИД Технологии, 2007 г.

В.Б.Авдеев “Паразитная восприимчивость печатных плат электронной аппаратуры к воздействию мощных электромагнитных излучений” // Антенны-2007-№4

Н.Ф.Стасев, Е.Г.Тихонов, А.Е.Чикин “Разработка входных цепей малогабаритных вторичных источников питания с учетом факторов ЭМС” // Электронные и электромеханические системы и устройства: сб. научных тр.-Новосибирск: Наука 2007 г.

В.В.Быков, В.В.Наркевич, В.В.Омельянчук “Возникновение, измерение и подавление импульсных помех на выходе статического преобразователя” // Электронные и электромеханические системы и устройства: сб. научных тр.-Новосибирск: Наука 2007 г.

При подготовке настоящего Руководства использованы также материалы журналов CHIP NEWS, Технологии ЭМС, Современная электроника, Силовая электроника, Электронные компоненты, Успехи современной радиоэлектроники, Антенны, Воздушно-космическая оборона, СТА и др.,а также статьи технических специалистов и другие материалы предприятий ПСБ технолоджи, Резонит, Александер Электрик, Электрон-Сервис-Технология, ГИРИКОНД, Авангард и др.

Кроме того, при разработке настоящего Руководства использовались материалы конференций и форумов по ЭМС, проходящих периодически в Российской Федерации.

 

 

Приложение А

(справочное)

Распределение возвратных токов в МПП

 

Несмотря на то, что в МПП со сплошными полигонами GND пути возвратных токов между двумя отдаленными точками стремяться распределиться по большей площади полигона МПП, наибольшая часть возвратных токов протекает по наикратчайшему пути между этими отдаленными точками схемы.

Приложение Б

(справочное)

Влияние разрыва в полигоне на распределение возвратных токов в МПП

 

Правильно расположенный вырез в полигоне способен защитить чувствительные элементы схемы от воздействия низкочастотных возвратных токов. Однако при этом возратстает плотность тока особонно вблизи выреза со стороны точки А.
Приложение В

(справочное)

Трассировка цепей электропитания больших ИС на МПП

 

Примеры, иллюстрирующие неправильную и правильную концепцию подхода конструктора при топологическом проектировании МПП, в части трассировки цепей электропитания больших ИС.

 

Приложение Г

(справочное)

Паразитная связь через изолированные металлические крышки микросхем

 

Очень многие разработчики радиоэлектронной аппаратуры за рубежом отдают предпочтение микросхемам в керамическом или пластмассовом корпусе без металлических крышек из-за наличия паразитной емкостной связи, показанной на рисунке. Этот фактор особенно актуален для быстродействующих цифровых и аналоговых схем.
Приложение Д

(справочное)

Размещение полигонов аналоговых и цифровых сигналов

 

 

Конденсаторы на рисунке символизируют не физическое наличие компонентов, а паразитную емкостную связь полигонов.

 

Приложение Е

(справочное)

Петля, образованная прямым и возвратным током

Сигнальные токи всегда возвращаются к своему источнику, т.е. путь тока представляет собой петлю

 

Токи высокой частоты протекают по наикратчайшему пути с минимальной индуктивностью. От площади петли, образованной прямым и возвратным током, зависит напряженность электромагнитного поля радиопомех, излучаемого в окружающее пространство.

Приложение Ж

(справочное)

Компоновка эсементов схемы зависимости от быстродействия ЭРИ

Пример правильного размещения компонентов в зависимости от быстродействия ЭРИ и функционального назначения частей схемы

Наличие на рисунке трех электрических соединителей условно, служит для более наглядной иллюстрации правильного размещения компонентов по отношению к электрическому соединителю в зависимости от быстродействия ЭРИ.

Приложение И

(справочное)

Изменение собственной индуктивности и емкости электрических проводов

Зависимость собственной индуктивности и емкости электрических проводов от расстояния до металлических заземленных конструктивных элементов шасси, корпуса и т.п. изделия

Диаметр прово-да, мм	Индуктивность на 100 мм длины, нГн, при различных расстояниях между проводом и металлическим корпусом, мм	Емкость на 100 мм длины, пФ, при различных расстояниях между проводом и металлическим корпусом, мм
0,1				1,5	0,9	0,7
0,5				2,7	1,4	0,8
1,0				4,0	1,6	0,9
2,0				8,0	1,8	1,0

 

Приведенные значения ориентировочны; каждая конкретная марка провода будет обладать своими физическими свойствами. При использовании данных таблицы необходимо помнить, что индуктивность провода связана нелинейной зависимостью с его длиной. Значения индуктивности приводятся без учета поправочного коэффициента частотной зависимости.

Таблица иллюстрирует общую тенденцию зависимости собственной индуктивности и емкости электрических проводов от расстояния до металлических заземленных конструктивных элементов.

Приложение К

(справочное)

Децибелы

Децибел (дБ) – безразмерная величина, которая представляет логарифм отношения двух значений. Если берется отношение двух специальных величин, то это определяется суффиксом, а именно: дБмкВ при отношении относительно 1 мкВ, дБм – относительно 1 мВт.

 

Суффикс	Относится к	Суффикс	Относится к
дБВ	1 вольт	дБА	1 ампер
дБмВ	1 милливольт	дБмкА	1 микроампер
дБмкВ	1 микровольт	дБмкА/м	1 микроампер на метр
дБВ/м	1 вольт на метр	дБВт	1 ватт
дБмкВ/м	1 микровольт на метр	дБм	1 милливатт
		дБмкВт	1 микроватт

Отношение напряжений или токов через постоянное сопротивление дается в виде:

дБ = 20·1og(V1/V2) или 20·1og(I1/I2)

Преобразование между напряжением в дБмкВ и мощностью в дБм на полном сопротивлении Z=50 Ом, задается в виде:

 

V(дБмкВ) = 90+10·1og(Z)+P(дБм)

 

дБмкВ	мкВ	дБм	дБмкВ	мкВ	дБм
-20	0,1	-127		31,623	-77
-10	0,3162	-117		100,0	-67
	1,0	-107		316,23	-57
	1,7783	-102			-47
	2,2389	-100		3162,3	-37
	3,162	-97			-27
	5,623	-92			-17
	10,0	-87		100,0 мВ	-7
				1,0 В	+13

Приложение Л

(справочное)

Примеры, иллюстрирующие работу экрана

Еист

Система или устройство без экрана между точками а и б

Между точками а и б существует емкостная паразитная связь Сп.