Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...
Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
Топ:
Генеалогическое древо Султанов Османской империи: Османские правители, вначале, будучи еще бейлербеями Анатолии, женились на дочерях византийских императоров...
Установка замедленного коксования: Чем выше температура и ниже давление, тем место разрыва углеродной цепи всё больше смещается к её концу и значительно возрастает...
Интересное:
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Лечение прогрессирующих форм рака: Одним из наиболее важных достижений экспериментальной химиотерапии опухолей, начатой в 60-х и реализованной в 70-х годах, является...
Национальное богатство страны и его составляющие: для оценки элементов национального богатства используются...
Дисциплины:
2017-09-26 | 405 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Стабилитроны. Серийно выпускаемые стабилитроны имеют разные вольт-амперные характеристики. Максимальной крутизной обладают стабилитроны с опорным напряжением 7 — 8 В. Температурный коэффициент напряжения (ТКН) стабилитронов с напряжением стабилизации менее 5 В имеет отрицательное значение. Для опорного напряжения около 5,4 В при токе 7 мА ТКН равен нулю. Стабилитроны с опорным напряжением более б В имеют положительный ТКН.
Минимальным внутренним дифференциальным сопротивлением обладают диоды с опорным напряжением 7 — 8 В. Все остальные диоды имеют большое внутреннее сопротивление. Это сопротивление сильно зависит от тока, протекающего через диод. Рабочим током стабилитронов следует считать ток более 3 мА. Ряд графиф-ских зависимостей, характеризующих работу стабилитронов, приведен на рис. 16.1.
Управляемый стабилитрон. В обычных стабилитронах при изменении протекающего тока в некоторых.пределах меняется опорное напряжение Е0. В приведенной схеме (рис. 16.2, а) ток, протекающий через стабилитрон, контролируется ОУ. Если ОУ не может обеспечить требуемый ток нагрузки, то на выход ОУ целесообразно включить транзистор (рис. 162, б). Транзистор полезен и в случае протекания значительного тока через стабилитрон, например, более 5 — 10мА (при этом стабилитрон обладает меньшим внутренним сопротивлением). Выходное напряжение определяется выражением U=EO/[1 — R3/(R2+R3)]. При изменении соотношения между сопротивлениями R2 и R3 можно регулировать выходное напряжение в широких пределах. Временной дрейф выходного напряжения не превышает 1 мВ, температурный дрейф в диапазоне от 0 до 85°С не превышает 1 мВ. Выходное сопротивление при изменении тока нагрузки до 20 мА составляет 0,025 Ом. Общая нестабильность выходного напряжения не превышает 0,05 %.
|
Рис. 16.1
Рис. 16.2
Стабилизатор напряжения на светодиоде. С помощью светоди-одов можно получить стабилизатор с индикацией (рис. 163). Интенсивность свечения диода зависит от протекающего ччерез него тока. Этот ток определяется сопротивлением резистора R1.
Рис. 16.3
Дифференциальное, сопротивление прямой ветви светодиода АЛ 108 равно 0,3 — 12 Ом. При обратном напряжении пробой наступает при напряжении для АЛ 108 — 104-20 В и АЛ 109 — 5-М О В. Температурный коэффициент изменения прямого напряжения равен приблизительно 0,12 % на градус. Прямое напряжение при токе 100 мА для АЛ108 равно 1,15 — 1,25 В, а для АЛ109 — 1,0-М,15 В, емкость переходов равна соответственно 130 — 300 пФ и 200 — 400 пФ.
Схема термостабильного опорного напряжения. Схема (рис. 16.4) позволяет получить стабильное напряжение в широком диапазоне температур. Опорное напряжение, имеющее нулевой ТКН, устанавливается потенциометром: U0п = Uд+ТКНд/ТКНстUст, где Uд — падение напряжения на диоде; Uст — опорное напряжение стабилитрона, ТКНД и ТКНст — температурные коэффициенты напряжения диода и стабилитрона. Если вместо одного диода VD2 включить два кремниевых диода, то опорное напряжение увеличится в два раза.
Рис. 16.4 Рис. 16.5
Низковольтный стабилитрон. Стабилитрон (рис. 16.5) имеет опорное напряжение 0,65 В для кремниевых и 0,3 В для германиевых транзисторов. Внутреннее сопротивление стабилитрона менее 5 Ом. Стабилитрон обладает коэффициентом стабилизации 103. Изменение выходного напряжения при изменении температуры составляет 2 мВ/град или 1 % на градус для германиевых транзисторов и 0,3 % на градус для кремниевых транзисторов.
Полевой транзистор в качестве низковольтного стабилитрона. При включении резистора в цепь истока полевого транзистора возникает напряжение ОС. Это напряжение слабо зависит от питающего напряжения. Напряжение ОС определяется потенциалом отсечки полевого транзистора. Схема с одним транзистором (рис. 16.6, а) обеспечивает внутреннее сопротивление приблизительно 30 Ом, а с двумя транзисторами (рис. 166, б) имеет внутреннее сопротивление менее 5 Ом. Кроме того, схема с двумя транзисторами обладает и большим коэффициентом стабилизации (более 103). Температурная стабилизация может быть обеспечена, если режим работы транзистора вывести в термостабильную точку, а также применить терморезисторы в цепи истока.
|
Увеличение максимального тока стабилитрона. Устройство (рис. 16 7) служит для стабилизации напряжения в цепях, в кото р ыхток нагрузки превышает максимальный ток стабилитрона Когда напряжение на коллекторе транзистора превышает опорный уровень стабилитрона, начинает протекать базовый ток транзистора, который в h21Э раз меньше коллекторного тока. В результате основной ток резистора R1 будет протекать через транзистор Схема выполняет функции стабилитрона с увеличенным максимально допустимым током. Внутреннее сопротивление устройства составляет 0,6 Ом.
Рис. 16.6
Рис. 16.7
Схема с отрицательным коэффициентом стабилизации. Схема формирования опорного напряжения (рис. 16.8, а) имеет отрицательный коэффициент стабилизации K=ДE/ДU. Этот коэффициент можно регулировать изменением сопротивлений резисторов R1 и R2.
Зависимость этих параметров выражается формулой К= — K1/K2. Графическая интерпретация зависимостей представлена на рис 16.8, б.
Схема с регулируемым коэффициентом стабилизации. Схема формирования опорного напряжения (рис. 16.9, а) обладает как положительным, так и отрицательным коэффициентами стабилизации. Знак коэффициента стабилизации определяется отношением сопротивлений резисторов R2/R4. При R4<R2.коэффициент стабилизации имеет положительный знак, а для R4>R2 — отрицательный. Зависимость изменения выходного напряжения от входного при различных сопротивлениях R4 представлена на рис. 16.9, б.
Рис. 16.8
Рис. 16.9
Рис. 16.10
Схема низковольтного опорного источника. Источник опорного напряжения (рис. 16.10, а) построен на интегральной микросхеме К101КТ1. С помощью этой схемы можно получить стабильное напряжение 0,7 В с внутренним сопротивлением менее 10 Ом. Выходное напряжение зависит от температуры с коэффициентом 2 мВ/град. Коэффициент стабилизации равен приблизительно 5-103. На рдс. 16.10, б представлена зависимость напряжения стабилизации от подводимого напряжения.
|
|
|
Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!