Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
Топ:
Марксистская теория происхождения государства: По мнению Маркса и Энгельса, в основе развития общества, происходящих в нем изменений лежит...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов...
Интересное:
Искусственное повышение поверхности территории: Варианты искусственного повышения поверхности территории необходимо выбирать на основе анализа следующих характеристик защищаемой территории...
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Средства для ингаляционного наркоза: Наркоз наступает в результате вдыхания (ингаляции) средств, которое осуществляют или с помощью маски...
Дисциплины:
2017-06-02 | 324 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
На биполярных транзисторах
Параметры схемы | Схемы усилителей на биполярных транзисторах | ||
ОЭ | ОБ | ОК | |
К u K i K p Входное сопротивление R вх Выходное сопротивление R вых Применение схем | Несколько десятков Десятки сотен Несколько тысяч Десятки – тысячи Ом Десятки - сотни килоом Основная схема | Несколько сотен Около единицы Несколько сотен Десятки Ом Сотни килоом – единицы мегаом В высокочас- тотных усилителях, при работе на высокоомную нагрузку | Около единицы Десятки сотен Несколько десятков Единицы - сотни килоом Десятки – сотни Ом Для согласования выхода усилителя с низкоомной нагрузкой. Для согласования входа усилителя с высокоомным источником сигнала |
СМЕШАННЫЙ (ГИБРИДНЫЙ) КАСКАД УСИЛЕНИЯ
Одним из недостатков усилительного каскада по схеме ОЭ (рис. 8б) является сильная зависимость положения рабочей точки от температуры. С ее увеличением растет ток I к и уменьшается напряжение U кэ (2.1). Для температурной стабилизации включают, например, в цепь эмиттера резистор R э (рис. 10). Это приводит к тому, что при возрастании тока I к при увеличении температуры увеличивается падение напряжения на R э. В результате уменьшается разность потенциалов U бэ, а следовательно ток базы I б, и соответственно ток I к (см. рис. 5). Таким образом, включение R э в схему ОЭ соответствует введению отрицательной обратной связи в этой схеме.
Рабочую точку в смешанном каскаде (СК) можно установить выбором сопротивления R б (2.2). Расчёт показывает, что в схеме СК изменение D I к = b D I б / [1 + (R к + R э) / R вых ] @ b D I б, т.е. есть усиление по току (в bраз). Коэффициент передачи по напряжению К = D U вых / D U вх можно рассчитать по формуле (2.6), если R вх в ней определить по соотношению (2.11), а R S - по формуле (2.7). Так как с ростом R э входное сопротивление СК увеличивается, то усиление по напряжению уменьшается, что соответствует увеличению глубины отрицательной обратной связи в этой схеме. Таким образом, в схеме СК уменьшается вероятность самовозбуждения усилителя и одновременно увеличивается его линейность, так как расширяется полоса пропускания амплитудно-частотной характеристики усилителя (см. лаб. работу № 4).
|
Если (b + 1) R э >> R вх и R вых >> (R к + R э), то выражение для коэффициента передачи по напряжению приводится к виду: К @ R к / R э, то есть не зависит от собственных параметров транзистора. Это значит, что на характеристиках схемы не очень скажется замена одного транзистора на другой. Таким образом, в СК, как гибридной схеме, не только проявляются достоинства, присущие схемам ОЭ и ОК в отдельности, но и появляются качественно новые по отношению к схемам ОЭ и ОК.
2. РАСЧЁТНАЯ ЧАСТЬ
1. Нанесите на семействе выходных статических характеристик транзистора (см. лаб. работу № 1) точку Д (0, Е = 9 В) и заданную
рабочую точку Р(I кр, U кэр) и постройте нагрузочную прямую ГД
(см. рис. 8а). Определив точку пересечения этой прямой с осью ординат Г (0, I к.max), рассчитайте сопротивление нагрузки R к по формуле:
R к = E / I к. max.
2u. Используя семейства входных и выходных характеристик транзистора, графическим методом рассчитайте в указанной рабочей точке транзистора (см. лаб. работу № 1) коэффициент усиления каскада по напряжению и входное сопротивление каскада .
3u. Определите коэффициент усиления каскада по напряжению по формуле: К тº D U вых / D U вх = D U кэ / D U бэ = (b / R вх) . R S, где 1 / R S =
= 1 / R к + 1 / R кэ. Собственные параметры транзистора b, R бэ и R кэ в заданной рабочей точке должны быть рассчитаны на ЭВМ.
4. По формулам R б @ Е / I бр и С 1>>1/2p · f н · R вх определите значения R б и С 1. Значение граничной частоты возьмите f н = 20 Гц.
|
3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
Лабораторная работа № 2
П р и б о р ы и о б о р у д о в а н и е: плата с транзистором, мультиметр, милливольтметр, генератор НЧ, осциллограф, блок питания БП-15 (БП-30).
Вопросы при допуске к работе
1. Нарисуйте основные схемы включения биполярного транзистора, объясните их название и назначение.
2. Объясните сущность графического или аналитического метода расчёта усилительного каскада (на примере схемы ОЭ или ОК).
3.Укажите назначение резистора R к в схеме ОЭ (или R э в схеме ОК). На основе зависимости коэффициента усиления (передачи) усилительного каскада по напряжению от R к (R э) объясните, в каких пределах следует выбирать значение номиналов этих сопротивлений? Как в данной работе проводится расчёт сопротивления R к (R э)?
4. В какой части нагрузочной прямой должна находиться рабочая точка транзистора усилительного каскада?
5.Укажите назначение резистора R б в схемах ОЭ (рис. 8б) и ОК (рис.9). Как рассчитать значение R б в этих схемах?
6. Объясните назначение и способ расчёта ёмкости С 1 в усилительном каскаде.
7. Как можно экспериментально регулировать и проверять положение рабочей точки транзистора в данной работе?
8. Объясните, как нужно изменить сопротивление R б в схеме ОЭ (рис. 8б), если напряжение U кэ меньше (больше) заданного значения U кэр.
9. Выведите формулы (2.5) и (2.9) для расчета коэффициента по напряжению в схемах ОЭ и ОК.
10. Выведите формулы (2.11) для экспериментального определения Кэи .
11.Что такое отрицательная (положительная) обратная связь?
Порядок выполнения работы
1. Подберите детали, соответствующие рассчитанным значениям. Номиналы выбранных сопротивлений R к и R б проконтролируйте измерениями по мультиметру. Спаяйте усилительный каскад по схеме ОЭ (рис. 8б).
2. Проверьте экспериментально положение рабочей точки транзистора, измерив мультиметром напряжения Е = 9 В и U кэр. Значение U кэр должно быть в диапазоне: U кэр = (4,5 ± 0,5) В, в случае несоответствия измените значение сопротивления R б в нужную сторону.
3. Определите экспериментально коэффициент усиления по напряжению и входное сопротивление усилительного каскада R вх. Для этого последовательно с емкостью С 1 включите калибровочное сопротивление R = 1 к (на рис. 8б показано пунктиром). Подайте на вход усилителя от генератора НЧ сигнал с параметрами U бэ = 10 мВ, f = 1кГц. Измерив вольтметром напряжения U вх, U бэ и U вых, определите коэффициент усиления и входное сопротивление каскада по формулам:
|
К э = U вых / U бэ, = (R · U бэ) / (U вх – U бэ). (2.11)
С учётом значения R вх скорректируйте рассчитанный ранее коэффициент К Т(см. п. 3 в расчетной части).
4. Подключая осциллограф ко входу и выходу каскада (рис. 8б), определите амплитуды входного (U вх) и выходного (U вых) сигналов, коэффициент усиления по напряжению, зарисуйте их осциллограммы.
5. Пронаблюдайте искажения выходного сигнала. Для этого увеличивайте напряжение генератора НЧ на входе усилителя до величины U вх mах, при котором начинает происходить ограничение амплитуды выходного сигнала «сверху» или «снизу» (в зависимости от положения рабочей точки). Запишите значение U вх mах и зарисуйте осциллограмму искажённого выходного сигнала.
Таблица 4
|
|
Археология об основании Рима: Новые раскопки проясняют и такой острый дискуссионный вопрос, как дата самого возникновения Рима...
Эмиссия газов от очистных сооружений канализации: В последние годы внимание мирового сообщества сосредоточено на экологических проблемах...
Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!