Основные схемы включения биполярных транзисторов — КиберПедия 

Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...

Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...

Основные схемы включения биполярных транзисторов

2017-06-02 238
Основные схемы включения биполярных транзисторов 0.00 из 5.00 0 оценок
Заказать работу

1. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ

 

Усилительным каскадом называется схема с усилительным элементом (лампой, транзистором), предназначенная для усиления по току или напряжению. Существуют три основные схемы включения биполярных транзисторов: с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общей базой (ОБ), см. рис. 7. Термин «общий» показывает, какой электрод транзистора является общим для входной и выходной цепей усилительного каскада.

Для расчёта характеристик каскадов применяются два метода: графический и аналитический. Графический метод расчёта является наглядным, но трудоемким, так как требует снятия семейств статических входных и выходных характеристик транзистора (см. лаб. работу № 1). При использовании аналитического метода расчёты можно проводить в основном на уровне собственных параметров транзистора (1.2) – (1.4).

 

УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКАД ПО СХЕМЕ ОЭ

 

В этой схеме нагрузка - сопротивление R к - включается в цепь коллектора (рис. 7а). Выходной ток - ток коллектора I к - больше входного тока - тока базы I б, так как статический коэффициент усиления транзистора по токуb» 1.Поэтому в схеме ОЭ есть усиление по току, вследствие чего на нагрузочном сопротивлении R к можно создать большее падение напряжения, чем на входе - между базой и эмиттером, то есть возможно усиление и по напряжению, а значит, и по мощности. Поэтому усилительный каскад по схеме ОЭ получил наибольшее распространение в радиоэлектронных устройствах на биполярных транзисторах.

При включении сопротивления R к напряжение между кол-
лектором и эмиттером U кэ отличается от напряжения источника
питания Е на величину падения напряжения на сопротивлении R к, то есть U кэ = ЕI к × R к, откуда

 

I к = E / R к - U кэ / R к. (2.1)

 

Зависимость I к = I к (U кэ), определяемая формулой (2.1), описывает уравнение нагрузочной прямой, отсекающей на осях U кэ и I к отрезки, равные Е и Е / R к соответственно. Действительно, при U кэ = 0 ток коллектора I к = E / R к и при U кэ = Е величина I к = 0. На рис. 8а нагрузочная прямая ГД нанесена на семейство статических выходных характеристик.

 
 
  Рис. 8. а) выбор рабочей точки (Р) транзистора по его выходным статическим характеристикам и нагрузочной прямой (ГД) в усилительном каскаде по схеме ОЭ (б)  

 


При заданном токе базы I бр рабочая точка транзистора определяется как точка пересечения нагрузочной прямой ГД с соответствующей выходной характеристикой - зависимостью тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером, на рис. 8а, например, это точка Р. При изменении тока базы рабочая точка Р перемещается вдоль нагрузочной прямой, определяя своим положением ток коллектора I кр и напряжение U кэр между коллектором и эмиттером. Положение рабочей точки на нагрузочной прямой ГД и определяет режим работы транзистора.

Режим отсечки, при котором транзистор закрыт и в цепи коллектора течёт малый ток, создаваемый неосновными носителями, соответствует отрезку БД нагрузочной прямой. Для обеспечения режима отсечки в транзисторе р-n-р типа напряжение между базой и эмиттером U бэ должно быть положительным или равно нулю. Однако практически напряжение U бэ в этом режиме может иметь даже небольшую отрицательную величину (не более 0,2-0,3 В). Обычно в усилительном каскаде рабочая точка Р выбирается на участке БВ между малой областью насыщения (U к. нас» 1В) и областью отсечки (U к. отс). Положение рабочей точки зависит от типа усилителя (см. лаб. работу № 4). Для установления рабочей точки необходим определенный ток базы I бр, обеспечивающий соответствующий ток коллектора I кр и напряжение U кэр. Ток базы I бр можно установить несколькими способами, например, включением сопротивления R б между источником питания и базой (рис. 8б). Падение напряжения на этом сопротивлении: I бр× R б = ЕU бэр @ Е. Так как U бэр ~ (0,3 ¸ 0,5) В << Е = 9 В, то величину сопротивления R б можно рассчитать по приближенной формуле:

 

R б @ Е / I б р . (2.2)

 

Обычно 200 кОм < R б < 500 кОм.

Г р а ф и ч е с к и м м е т о д о м коэффициент усиления каскада по напряжению К = (D U кэ / D U бэ) рассчитывается следующим образом. Изменение напряжения D U кэ вычисляется по выходным, а D U бэ - по входным характеристикам транзистора (см. рис. 4 и 5) при условии, что рабочая точка может смещаться только вдоль нагрузочной кривой ГД (рис. 8а).

При использовании а н а л и т и ч е с к о г о м е т о д а для входной цепи в схеме ОЭ:

 

D U вх = D U бэ = R вх D I б. (2.3)

 

Если рассматривать выходной ток I к функцией двух переменных:
I к = I к (I б, U кэ), то его изменение может быть представлено в виде:

D I к= (D I к / D I б) U кэ = const D I б + (D I к / D U кэ) I б = const · D U кэ =

 

= b . D I б + D U кэ / R вых . (2.4)

 

В соотношениях (2.3) и (2.4) величины b, R вх и R вых - собственные параметры транзистора (1.2)-(1.4). Изменение выходного напряжения (на коллекторе) определяется изменением напряжения на нагрузочном сопротивлении R к: D U вых = -D U кэ = - R к D I к . Коэффициент усиления по напряжению определяется следующим выражением:

 

К º D U вых / D U вх = - D U кэ / D U бэ = - (b / R вх) . R S , (2.5)

 

где

1 / R S = 1 / R к + 1 / R вых. (2.6)

 

Величину R S в формуле (2.5) можно рассматривать как общее выходное сопротивление каскада, которое согласно соотношению (2.6) можно рассматривать как параллельное соединение сопротивления нагрузки R к и выходного сопротивления транзистора R вых º R кэ в схеме ОЭ. Отрицательное значение коэффициента К в формуле (2.5) означает, что входное и выходное напряжения изменяются в противофазе, то есть схема ОЭ инвертирует усиливаемый сигнал.

Таким образом, при заданных параметрах транзистора b, R вх, R вых в рабочей точкекоэффициент усиления каскада по напряжению определяется сопротивлением нагрузки в цепи коллектора R к. Если это сопротивление отсутствует (R к = 0), то К = 0, то есть усиления по напряжению нет. Если R к ® ¥, то коэффициент | K | ® К ¥ = b R вых / R вх >> 1. Однако в реальных схемах обычно к выходу каскада подключается нагрузка, например, следующий каскад усиления, который оказывается
включенным параллельно выходному сопротивлению каскада
(см. лаб. работу № 3). Поэтому для согласования каскадов по сопротивлению целесообразно выбирать сопротивление R к, не сильно превышающее R вх следующего каскада. Обычно R к берётся в пределах
1 кΩ < R к < 10 кΩ.

Если подключить источник входного сигнала (или последующий усилительный каскад) непосредственно к базе транзистора (соответственно к коллектору), то через источник или нагрузочный каскад может появиться дополнительный постоянный ток и рабочая точка транзистора может сместиться. Чтобы исключить это влияние, используют разделительные конденсаторы С 1 и С 2 (см. рис. 8б). При их наличии подключение сопротивления источника сигнала R i (или нагрузки R н) не должно влиять на режим каскада не только по постоянному току, но и по переменному. Поэтому емкость С 1 выбирают из условия, чтобы на низшей рабочей частоте усилительного каскада f н выполнялось соотношение: 1/2 p f н С 1<< R вх = R бэ. Если значения f н и R вх заданы, то разделительная емкость С 1 определяется из условия:

С 1 >>1/2 p f н R вх . (2.7)

 

 

УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКАД ПО СХЕМЕ ОК

(ЭМИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ)

В этой схеме сопротивление нагрузки R э включается в цепь эмиттера (рис. 7б и рис. 9). Поскольку I э @ I к, то рабочую точку в схеме ОК можно опять определить с помощью семейства выходных характеристик (см. рис. 8а), нанеся на него нагрузочную прямую, соответст-вующую уже сопротивлению R э. Соответствующее рабочей точке напряжение смещения на базе устанавливается включением сопротивления Rб, которое рассчитывается по формуле (2.2). Для схемы ОК (рис. 9) изменение выходного тока - тока эмиттера - определяется соотношением (2.4), где D U кэ = – D I э R э, а значит, D I э (1 + R э / R вых) = bD I б. Обычно выполняется условие:
R э / R вых << 1, поэтому в схеме ОК отношение D I э/D I б @ b >> 1, то есть усиление по току в данной схеме есть. В схеме ОК между входным и выходным напряжением существует соотношение:

U вх = U вых + U бэ , (2.8)

которое соответствует существованию положительной обратной связи: часть выходного напряжения подается снова на вход усилительного каскада, причём напряжения на входе и выходе совпадают по фазе. Поэтому схема ОК получила название эмиттерного повторителя. В соответствии с соотношением (2.8) U вых < U вх, поэтому коэффициент передачи по напряжению в схеме ОК К º D U вых / D U вх < 1, то есть усиления по напряжению в данной схеме нет. Расчёт показывает, что

К = 1– (D U бэ / D U вх) = (b + 1) R э / ,(2.9)

 

где входное сопротивление в схеме ОК:

= D U вх / D I б = R бэ + (b + 1) R э. (2.10)

 

Если включить достаточно большое сопротивление в цепь эмиттера (R э >> R вх), то величина К ®1. Таким образом, в схеме ОК можно добиться увеличения входного сопротивления (по сравнению с = R бэ в схеме ОЭ) на величину (b+ 1)× R э. Так как обычно b R э>> R вх, то
= b R э ~ 105 Ом, то есть входное сопротивление в схеме ОК определяется сопротивлением в цепи эмиттера R э и статическим коэффициентом передачи тока базы b.

Выходное сопротивление в данной схеме = D U вых / D I вых =
= R э < 1 кОм. Поэтому эмиттерный повторитель используется часто как буферный каскад («развязка») во входных и выходных каскадах усилителей, когда нужно согласовать большое внутреннее сопротивление источника усиленного сигнала (в данном случае транзистора) с достаточно малым сопротивлением нагрузки (например, громкоговорителя).

 

Таблица 3


Поделиться с друзьями:

Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...

Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...

Адаптации растений и животных к жизни в горах: Большое значение для жизни организмов в горах имеют степень расчленения, крутизна и экспозиционные различия склонов...

Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...



© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!

0.026 с.