Эмиссия газов от очистных сооружений канализации: В последние годы внимание мирового сообщества сосредоточено на экологических проблемах...
Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
Топ:
Процедура выполнения команд. Рабочий цикл процессора: Функционирование процессора в основном состоит из повторяющихся рабочих циклов, каждый из которых соответствует...
Техника безопасности при работе на пароконвектомате: К обслуживанию пароконвектомата допускаются лица, прошедшие технический минимум по эксплуатации оборудования...
Установка замедленного коксования: Чем выше температура и ниже давление, тем место разрыва углеродной цепи всё больше смещается к её концу и значительно возрастает...
Интересное:
Аура как энергетическое поле: многослойную ауру человека можно представить себе подобным...
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Влияние предпринимательской среды на эффективное функционирование предприятия: Предпринимательская среда – это совокупность внешних и внутренних факторов, оказывающих влияние на функционирование фирмы...
Дисциплины:
2017-06-04 | 382 |
5.00
из
|
Заказать работу |
Графический метод расчета громоздкий, неточный исключает возможность аналитического анализа, используется для наглядного представления положения рабочей точки. Аналитический расчет производится только для переменных составляющих напряжений и токов. В этом случае транзистор заменяется эквивалентной схемой, которая представляет собой схему, состоящую из линейных пассивных и активных элементов. Эта схема справедлива только в режиме малого сигнала, т.е. когда связь между приращениями токов и напряжений линейна.
Существует два вида эквивалентных схем: физическая, отражающая процессы, протекающие в транзисторе, и формальная, в которой транзистор представляется в виде четырехполюсника.
Физическая эквивалентная схема составляется для переменных токов и напряжений, но при условии, что эмиттерный переход находится под прямым напряжением, а коллекторный переход - под обратным напряжением, а амплитуды сигналов таковы, что транзистор работает в линейном режиме.
Широко применяется Т – образная эквивалентная схема (рис.18)
Рис.18. Физическая эквивалентная схема биполярного транзистора
В этой схеме обозначено:
· - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода включенного в прямом направлении. Обычно составляет несколько десятков Ом.
· - дифференциальное сопротивление коллекторного перехода, включенного в обратном направлении. Обычно составляет несколько сотен килом.
· - объемное сопротивление базовой области. База выполняется с минимальной примесью, поэтому её сопротивление составляет порядка нескольких сотен Ом.
· - дифференциальный коэффициент передачи по току при схеме включения с ОБ.
· - емкость эмиттерного перехода, носит диффузионный характер, часто влияние этой емкости не учитывают, даже на сравнительно высоких частотах, т.к. она шунтирована малым сопротивлением .
· - емкость коллекторного перехода является барьерной емкостью, она оказывает сильное влияние на частотные свойства транзисторов.
Наибольшее распространение получила формальная эквивалентная схема, т.к. формальные параметры легко измеряются и приводятся в справочниках.
Формальная эквивалентная схема строится на представлении биполярного транзистора в виде четырехполюсника(рис.19).
Рис.19. Эквивалентная замена транзистора четырехполюсником
Если за зависимые переменные принять и , то их можно выразить через независимые переменные в виде уравнений
,
Значение – параметров можно определить, проведя опыт короткого замыкания на выходе и опыт холостого хода на входе.
Опыт короткого замыкания на выходе , тогда из системы уравнений следует
- входное сопротивление транзистора при схеме включения ОЭ;
- коэффициент передачи по току при схеме включения ОЭ.
Опыт холостого хода на входе , тогда из системы уравнений следует
- коэффициент внутренней обратной связи при схеме включения с ОЭ;
- выходная проводимость при схеме включения с ОЭ.
На основе приведенных уравнений можно построить эквивалентную схему транзистора в системе -параметров при включении с ОЭ (рис.20).
Рис.20. Эквивалентная схема транзистора при включении с ОЭ
На практике численные значения параметров, если они не приведены в справочниках, определяют по статическим характеристикам транзистора. Параметры зависят от схемы включения транзистора, что отмечается третьим индексом "э", "б" или "к", соответственно, для схем с ОЭ, ОБ или ОК. Покажем, как это делается, на примере схемы с ОЭ.
Параметры и определяют по входным характеристикам транзистора (рис.21).
Рис.21. Определение - параметров по входной характеристике
В точке строят характеристический треугольник. При перемещении из точки в точку напряжение , т.е. , а входное сопротивление равно отношению катетов характеристического треугольника
.
Коэффициент внутренней обратной связи находится при (), что соответствует переходу из точки в точку
,
где .
Параметры и определяют по выходным характеристикам транзистора (рис.22).
Рис.22. Определение - параметров по выходным характеристикам
Для того, чтобы в точке определить параметр , строят характеристический треугольник . Тогда катетами треугольника будут приращения напряжения и тока , при выполнении условия . Численное значение параметра определяют по формуле:
Для определения параметра через точку проводят вертикальную линию, которая пересекает две соседних выходных характеристики. Отрезок пропорционален приращению тока , а приращение тока базы равно разности токов, при которых сняты выходные характеристики, то есть , при этом . Следовательно,
,
где - .
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...
Эмиссия газов от очистных сооружений канализации: В последние годы внимание мирового сообщества сосредоточено на экологических проблемах...
Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!