Для полевого транзистора с управляющим p–n–переходом рассматриваются семейства характеристик — КиберПедия 

Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...

Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...

Для полевого транзистора с управляющим p–n–переходом рассматриваются семейства характеристик

2022-10-28 44
Для полевого транзистора с управляющим p–n–переходом рассматриваются семейства характеристик 0.00 из 5.00 0 оценок
Заказать работу

+ ,

- ,

- ,

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите характеристику управления (стоко-затворную) транзистора, показанного на рисунке

-номер «1»

-номер «2»

-номер «3»

-номер «4»

+номер «5»

-номер «6»

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите характеристику управления (стоко-затворную) транзистора, показанного на рисунке

-номер «1»

-номер «2»

+номер «3»

-номер «4»

-номер «5»

-номер «6»

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите характеристику управления (стоко-затворную) транзистора, показанного на рисунке

-номер «1»

+номер «2»

-номер «3»

-номер «4»

-номер «5»

-номер «6»

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите характеристику управления (стоко-затворную) транзистора, показанного на рисунке

-номер «1»

-номер «2»

-номер «3»

+номер «4»

-номер «5»

-номер «6»

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите характеристику управления (стоко-затворную) транзистора, показанного на рисунке

-номер «1»

-номер «2»

-номер «3»

-номер «4»

-номер «5»

+номер «6»

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите характеристику управления (стоко-затворную) транзистора, показанного на рисунке

+номер «1»

-номер «2»

-номер «3»

-номер «4»

-номер «5»

-номер «6»

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите условное обозначение транзистора, у которого площадь поперечного сечения канала уменьшается с ростом положительного входного напряжения (Uзи>0)

-номер «1»

+номер «2»

-номер «3»

-номер «4»

-номер «5»

-номер «6»

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите условное обозначение транзистора, у которого площадь поперечного сечения канала уменьшается с ростом отрицательного входного напряжения (Uзи<0)

+номер «1»

-номер «2»

-номер «3»

-номер «4»

-номер «5»

-номер «6»

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите условное обозначение транзистора, у которого увеличивается концентрация дырок в канале при отрицательном входном напряжении, большим по модулю некоторого порогового напряжения (|-Uзи|>|-Uпор|).

-номер «1»

-номер «2»

-номер «3»

+номер «4»

-номер «5»

-номер «6»

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите условное обозначение транзистора, у которого увеличивается концентрация электронов в канале при положительном входном напряжении, большим по модулю некоторого порогового напряжения (Uзи>Uпор).

-номер «1»

-номер «2»

-номер «3»

-номер «4»

+номер «5»

-номер «6»

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите условное обозначение транзистора, у которого канал обогащается основными носителями заряда при положительном входном напряжении (Uзи>0) и обедняется при отрицательном (Uзи< 0).

-номер «1»

-номер «2»

-номер «3»

-номер «4»

-номер «5»

+номер «6»

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите условное обозначение транзистора, у которого канал обедняется основными носителями заряда при положительном входном напряжении (Uзи>0) и обогащается при отрицательном (Uзи< 0).

-номер «1»

-номер «2»

+номер «3»

-номер «4»

-номер «5»

-номер «6»

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите выходные характеристики полевого транзистора, соответствующие стоко-затворной характеристике

-номер 1

+номер 2

-номер 3

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите выходные характеристики полевого транзистора, соответствующие стоко-затворной характеристике  

+номер 1

-номер 2

-номер 3

-номер 4

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите выходные характеристики полевого транзистора, соответствующие стоко-затворной характеристике

-номер 1

-номер 2

+номер 3

-номер 4

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите выходные характеристики полевого транзистора, соответствующие стоко-затворной характеристике

+номер 1

-номер 2

-номер 3

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите выходные характеристики полевого транзистора, соответствующие стоко-затворной характеристике

-номер 1

+номер 2

-номер 3

-номер 4

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите выходные характеристики полевого транзистора, соответствующие стоко-затворной характеристике

-номер 1

-номер 2

+номер 3

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

На рисунке изображены выходные характеристики

- МДП транзистора с индуцированным каналом

+ МДП транзистора со встроенным каналом

- полевого транзистора с управляющим p-n-переходом

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

На рисунке изображены выходные характеристики

- МДП транзистора с индуцированным каналом

- МДП транзистора со встроенным каналом

+ полевого транзистора с управляющим p-n-переходом

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

На рисунке изображены выходные характеристики

+ МДП транзистора с индуцированным каналом

- МДП транзистора со встроенным каналом

- полевого транзистора с управляющим p-n-переходом

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

На выходной характеристике при Uзи=-1В обозначен характеристический треугольник, с помощью которого можно рассчитать

- крутизну стоко-затворной характеристики

+ выходное сопротивление

- коэффициент усиления по напряжению

 

 

##theme 4

##score 3

##type 1

##time 0:00:00

Задано семейство стоковых характеристик полевого транзистора. Определить крутизну стоко-затворной характеристики S в рабочей точке, лежащей посередине характеристического треугольника.

- 0.25 мА/В       

- 0.8 мА/В     

+ 1.25 мА/В    

- 2 мА/В

 

 

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00


Поделиться с друзьями:

Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...

Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...

Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...

Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...



© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!

0.035 с.