Процесс переключения диода с прямого направления на обратное.

Рис.6. Переходные процессы при переключении диода:

а – входной импульс; б – форма изменения тока через диод; в – форма изменения напряжения на p-n переходе.

В момент времени t' входное напряжение меняет полярность. При этом ток диода меняется от величины I _пр до величины -I _обр.

В момент переключения t' ток меняет направление, но концентрация дырок в базе p_n(0) около p-n перехода не может мгновенно уменьшиться. Происходит постепенное уменьшение концентрации дырок в базе из-за их рекомбинации с электронами и ухода в p-область перехода, т.е. начинается рассасывание накопленного заряда дырок в базе и p-n переход имеет прямое смещение. Сопротивление прямосмещенного перехода будет мало и величина обратного тока I _обр≈ U _обр/ R _н, где U _обр – амплитуда импульса обратного напряжения, R_н – сопротивление нагрузки. Этот процесс будет продолжаться в течение некоторого времени t₁=t^IV-t', за которое концентрация дырок в базе около p-n перехода уменьшится до равновесного значения p_n(0) = p_n0 (рис.6). При этом напряжение на p-n переходе уменьшится до нуля (рис.6, в).

Диоды классифицируются: по материалу (селеновые, германиевые, кремниевые, арсенид-галлиевые); структуре перехода (точечные, плоскостные); назначению (выпрямительные, импульсные, стабилитроны и т.д.); диапазону частот (низкочастотные, высокочастотные, сверхвысокочастотные диоды (СВЧ-диоды)); виду вольт-амперной характеристики и т.д.

В зависимости от технологических процессов, используемых при изготовлении диодов, различают: микросплавные, сплавные, диффузионные, планарно-эпитаксиальные диоды и их разновидности. Устройство полупроводникового диода, изготовленного по планарно-эпитаксиальной технологии, приведено на рис. 3.4. Вся структура с электрическим переходом заключается в металлический, стеклянный, керамический или пластмассовый корпус для исключения влияния окружающей среды.

Система обозначений полупроводниковых диодов. Для маркировки полупроводниковых диодов используется буквенно-цифровая система условных обозначений согласно ОСТ 11.336.919-81.

Первый элемент – буква или цифра, характеризует используемый материал: Г(1) – германий (Ge); К(2) – кремний (Si); А(3) – галлий (Ga) и его соединения; И(4) – индий In и его соединения. Второй элемент – буква, характеризует функциональное назначение диода: Д – выпрямительный; В – варикап; И – туннельный и обращенный; С – стабилитрон и стабистор; Л – излучающий светодиод. Третий элемент – цифра, характеризует назначение диода и содержит информацию о специальных параметрах диода. Например, для диодов группы Д: 1 – выпрямительные маломощные (ток до 300 мА); 2 – выпрямительные средней мощности (ток до 10 А); 3 – диоды большой мощности (ток свыше 10 А); 4–9 – диоды импульсные с различным временем восстановления. Четвертый элемент (2–3 цифры) – порядковый номер разработки (для стабилитрона – напряжение стабилизации в десятых долях вольта). Пятый элемент – буква, характеризует группу диодов с различными параметрами.

Диоды КД212А кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Масса диода не более 1,5 г. Тип корпуса: КД-16. Основные технические характеристики диода КД212А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 1 А;
• fд - Рабочая частота диода: 100 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 1 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 50 мкА при Uoбp 200 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,3 мкс;
• Сд - Общая емкость: 45 пФ при Uoбp 100 В