Распределение усиления по каскадам

Вариант 6-17-17

 

Выполнил:

 

Группа:

 

Принял:

 

 

Йошкар-Ола

2018

 

 

СОДЕРЖАНИЕ

Задание............................................................................................................ 3

1. Расчёт усилителя........................................................................................ 5

1.1. Предварительный расчёт оконечного каскада................................... 5

1.2. Распределение коэффициентов усиления по каскадам..................... 10

1.3. Расчёт входного каскада.................................................................... 12

2. Расчёт фильтров....................................................................................... 15

2.1. Фильтр нижних частот (ФНЧ)........................................................... 16

2.2. Выбор операционных усилителей..................................................... 20

2.3. Фильтр верхних частот (ФВЧ).......................................................... 21

2.4. Полосно-пропускающий фильтр (ППФ)........................................... 23

2.5. Полосно-заграждающий фильтр (ПЗФ)............................................ 27

3. Оперативные запоминающие устройства............................................... 31

Список использованных источников............................................................ 35

Приложения................................................................................................... 36

Приложение А. ХХХХ.000106.001 Э3. Усилитель низкой частоты. Схема электрическая принципиальная................................................................. 36

Приложение Б. ХХХХ.000217.001 Э3. Фильтр нижних частот. Схема электрическая принципиальная......................................................................................... 36

Приложение В. ХХХХ.000217.002 Э3. Фильтр верхних частот. Схема электрическая принципиальная................................................................. 36

Приложение Г. ХХХХ.000217.003 Э3. Полосно-пропускающий фильтр. Схема электрическая принципиальная................................................................. 36

Приложение Д. ХХХХ.000217.004 Э3. Полосно-заграждающий фильтр. Схема электрическая принципиальная................................................................. 36

 

Задание

Таблица 2 — Исходные данные для разработки линейных усилителей низкой частоты

Параметр	Номер варианта
усилителя	6
Амплитуда входного напряжения, мВ	10
Амплитуда выходного напряжения, В	6
Сопротивление нагрузки, Ом	2800
Диапазон звуковых частот:
Fн, Гц	40
Fв, кГц	25
Допустимые частотные искажения	1,44
Температура окружающей среды, °С	25

 

Таблица 5 — Исходные данные для расчета активных фильтров

Номер	Данные для расчета ФНЧ и ФВЧ					ППФ и РФ
варианта	ТХ	c, дБ	ПФ	d, дБ	fс,МГц	К	fн,МГц	fв,МГц	К
17	Бт	1,414	2	1,5	1,5	10	0,8	0,9	25

Примечание к таблице 5.

В таблице 5 использованы следующие условные обозначения и сокращения:

ТХ — тип амплитудно-частотной характеристики фильтра:

Бт — характеристика Баттерворта;

Бс — характеристика Бесселя;

Чб — характеристика Чебышева;

c — коэффициент затухания фильтра;

ПФ — порядок фильтра;

d — неравномерность амплитудно-частотной характеристики;

f_с — частота среза фильтра нижних частот (ФНЧ) ФНЧ или фильтра верхних частот (ФВЧ);

f_н и f_в — соответственно, верхняя и нижняя частоты среза режекторного фильтра (РФ) или полосно-пропускающего фильтра (ППФ);

К — коэффициент усиления.

 

 

Таблица 6 — Исходные данные для цифрового элемента или устройства

 

Номер варианта	Цифровое устройство
17	Оперативные запоминающие устройства (ОЗУ).

 

Расчёт усилителя

Таблица 2 — Исходные данные для разработки линейных усилителей низкой частоты

Параметр	Номер варианта
усилителя	6
Амплитуда входного напряжения, мВ	10
Амплитуда выходного напряжения, В	6
Сопротивление нагрузки, Ом	2800
Диапазон звуковых частот:
Fн, Гц	40
Fв, кГц	25
Допустимые частотные искажения	1,44
Температура окружающей среды, °С	25

Предварительные расчёты

В качестве базового каскада для построения усилителя используем каскад с общим эмиттером (ОЭ), изображённый на рисунке 1.1.

 

R э

R к

R н

R 1

R 2

VT1

U вх

U вых

E пит

Ср

 

Рисунок 1.1 — Схема усилительного каскада с общим эмиттером

 

Напряжение питания найдём из соотношения

Полагая, что  имеет величину порядка 1 В, получим

Округляем в сторону увеличения до ближайшего стандартного значения по ГОСТ 29322–92:

По заданным параметрам усилителя выберем максимально допустимые значения напряжения коллектор-эмиттер U _кдоп

Найдём амплитуду тока в нагрузке:

Найдём величину тока покоя коллектора, полагая, что сопротивление коллекторного резистора равно сопротивлению нагрузки, а напряжение на коллекторе в рабочей точке равно половине напряжения питания:

Выберем максимально допустимые значения тока коллектора:

Исходя из требований по обеспечению уровня нелинейных искажений на верхней частоте усиления, находим сопротивление в цепи коллектора:

Предварительно считаем, что в усилителе будет два каскада, на каждый из которых придётся следующий коэффициент искажений:

Тогда

Вычисленное значение  представляет собой максимальное допустимое значение коллекторного сопротивления, обеспечивающего требуемые искажения на верхних частотах.

Расчёт каскадов

Так как ток нагрузки усилителя достаточно мал (около 2 мА) и значительно меньше допустимого тока коллектора выбранного транзистора, считаем, что нет необходимости в специальном мощном выходном каскаде. Поэтому оба каскада усилителя построим по одинаковым схемам.

Чтобы не усложнять конструкцию усилителя, будем считать, что оба каскада работают при одном напряжении питания, то есть

Так как согласно таблице 1.2 оба каскада получились аналогичными, в качестве активного элемента обоих каскадов берём транзистор КТ3102Е.

По таблице 1.2 имеем

Рабочую точку обоих каскадов возьмём с расчётом, что напряжение на коллекторе в режиме покоя составит

Тогда ток коллектора в режиме покоя

Ток базы:

Напряжение на базе:

Ёмкость входного разделительного конденсатора

Так как все три ёмкости получились близкими по значению, возьмём

Принципиальная схема усилителя приведена в приложении А.

 

 

Расчёт фильтров

Идеальная характеристика фильтра представляет собой ступенчатую функцию, которая в области пропускания имеет коэффициент передачи 1, а в области подавления — 0. Реально обеспечить такую характеристику невозможно, поэтому характеристики реальных фильтров только приближаются в большей или меньшей степени к идеальной.

При конструировании фильтров исходят из математических выражений, которые описывают характеристики реальных фильтров и удовлетворяют некоторым дополнительным условиям, например, максимальному спаду характеристики в области среза, максимальной гладкости характеристики в области пропускания и подавления и т.д. Существует несколько широко используемых характеристики фильтров (фильтры Баттерворта, Чебышева, Золотарёва). В большинстве случаев конструирование фильтра сводится к выбору нужной характеристики и реализации её с помощью стандартных схемотехнических решений. Этот процесс можно разбить на несколько стадий.

1. Выбирается тип характеристики и порядок фильтра. В данной работе тип характеристики (Баттерворта) и порядок (2) заданы в техническом задании, однако в общем случае выбор этих двух параметров требует технического обоснования.

2. Если порядок фильтра достаточно велик (превышает 3), то его трудно реализовать в виде одного каскада на операционном усилителе (ОУ), поэтому выражение для характеристики фильтра разбивается на сомножители, каждый из которых является характеристикой фильтра более низкого порядка и может быть реализован в виде однокаскадной схемы. В данной работе порядок фильтра равен 2, поэтому его можно построить в виде однокаскадной схемы.

3. Первоначально выбирается характеристика фильтра низких частот (НЧ) с указанной в задании частотой среза. Характеристики фильтров других типов — высоких частот (ВЧ), полосовой и режекторный — легко получаются путём соответствующих математических преобразований. В некоторых случаях математические преобразования не требуются, так как схемотехника фильтров позволяет менять их тип путём изменений в подключении пассивных элементов без пересчёта номиналов.

4. После декомпозиции характеристики фильтра каждая составляющая более низкого порядка реализуется в виде фильтрующего каскада на ОУ, после чего все каскады соединяются последовательно. Возможно включение дополнительных каскадов для обеспечения нужного входного и выходного сопротивления, предварительного усиления сигнала и т.д.

 

Фильтр нижних частот (ФНЧ)

Передаточная функция НЧ-фильтра Баттерворта n -го порядка имеет вид:

где  — безразмерный коэффициент,  — полином n -ной степени от p.

Характеристики различных фильтров табулированы и могут быть взяты из справочной литературы. В частности, характеристика фильтра Баттерворта 2-го порядка имеет вид

где  — постоянный коэффициент.

Справочник [10] даёт для фильтра Баттерворта 2-го порядка значение коэффициента

Это значение соответствует нормированному фильтру с частотой среза ω_с = 1 по уровню –3 дБ.

Коэффициент  равен коэффициенту передачи фильтра для постоянного сигнала (т.е. при частоте сигнала, стремящейся к нулю). В нашем случае

Следовательно, передаточная функция нормированного фильтра НЧ имеет вид

Разрабатываемый фильтр отличается от нормированного двумя параметрами:

1. Частотой среза ();

2. Коэффициентом затухания, для которого задана частота среза ().

Переведём заданный коэффициент затухания в безразмерные единицы:

Найдём, при какой частоте нормированный фильтр будет давать такое ослабление. Для этого найдём АЧХ фильтра, произведя в  замену

и найдя абсолютное значение полученной комплексной функции.

Раскрывая скобки и подставляя значения коэффициентов, получим

Откуда

Таким образом, чтобы получить затухание на частоте среза, равное 1,414 дБ, частота среза должна составлять k = 0,788 от частоты, на которой затухание составит 3 дБ. Следовательно, если частота среза задаётся по затуханию, отличному от 3 дБ, необходимо осуществить над передаточной функцией преобразование

Далее, чтобы частота среза фильтра соответствовала заданной  необходимо осуществить над передаточной функцией преобразование

Получим АЧХ фильтра

или

Графически полученная АЧХ для  показана на рисунке 2.1.

После указанных преобразований передаточная функция фильтра будет иметь вид

где

Для реализации каждого из звеньев ФНЧ воспользуемся схемой Саллен-Ки. Поскольку в полученном фильтре коэффициенты передачи по постоянному напряжению равны единице, применим вариант схемы Саллен-Ки, изображённый на рисунке 2.2.

 

Рисунок 2.1 — АЧХ фильтра нижних частот

 

С

DA2

DA1

R 1

R2

R

R

С

 

 

Рисунок 2.2 — Вариант схемы Саллен-Ки с единичным коэффициентом передачи по постоянному напряжению.

 

Передаточная функция этой схемы записывается в виде

Сравнивая это выражение с ранее полученными соотношениями, найдём:

Возьмём

тогда

Величину сопротивления R возьмём

Принципиальная схема фильтра приведена в приложении Б.

Фильтр верхних частот (ФВЧ)

В предыдущих разделах была получена передаточная функция ФНЧ с единичной частотой среза по уровню затухания

Фильтр верхних частот получается из этого выражения путём замены

Преобразуем выражение:

где

 

АЧХ полученного фильтра показана на рисунке 2.4.

Передаточная функция этой схемы записывается в виде

Преобразуем передаточную функцию к виду

где

 

Рисунок 2.4 — АЧХ ФВЧ

 

Для реализации ФВЧ воспользуемся схемой Рауха, изображённой на рисунке 2.5.

DA1

R1

C1

C1

C2

R2

 

 

Рисунок 2.5 — Реализация ФВЧ схемой Рауха

 

Так как максимальный коэффициент передачи в полосе пропускания (при частоте, стремящейся к бесконечности) равен 1, то

Тогда

Возьмём

тогда

Принципиальная схема фильтра приведена в приложении В.

 

Память динамического типа

Экономичный вид памяти. Для хранения разряда (бита) используется схема, состоящая из одного конденсатора и одного транзистора. Такой вид памяти, во-первых, дешевле (один конденсатор и один транзистор на 1 бит дешевле нескольких транзисторов триггера), и, во-вторых, занимает меньшую площадь на кристалле (там, где в SRAM размещается один триггер, хранящий 1 бит, можно разместить несколько конденсаторов и транзисторов для хранения нескольких бит). Но DRAM имеет и недостатки. Во-первых, работает медленнее, поскольку, если в SRAM изменение управляющего напряжения на входе триггера сразу очень быстро изменяет его состояние, то для того, чтобы изменить состояние конденсатора, его нужно зарядить или разрядить. Перезаряд конденсатора гораздо более длителен (в 10 и более раз), чем переключение триггера, даже если ёмкость конденсатора очень мала. Второй существенный недостаток — конденсаторы со временем разряжаются. Причём разряжаются они тем быстрее, чем меньше их электрическая ёмкость и больше ток утечки.

Именно из-за того, что заряд конденсатора динамически уменьшается во времени, память на конденсаторах получила своё название DRAM — динамическая память. Поэтому, дабы не потерять содержимое памяти, заряд конденсаторов периодически восстанавливается («регенерируется») через определённое время, называемое циклом регенерации (обычно 2 мс). Для регенерации в современных микросхемах достаточно выполнить циклограмму «чтения» по всем строкам запоминающей матрицы. Процедуру регенерации выполняет процессор или контроллер памяти. Так как для регенерации памяти периодически приостанавливается обращение к памяти, это снижает среднюю скорость обмена с этим видом ОЗУ.

 

Память статического типа

ОЗУ, которое не надо регенерировать (обычно схемотехнически выполненное в виде массива триггеров), называют статической памятью с произвольным доступом или просто статической памятью. Достоинство этого вида памяти — скорость. Поскольку триггеры являются соединением нескольких логических вентилей, а время задержки на вентиль очень мало, то и переключение состояния триггера происходит очень быстро. Данный вид памяти не лишён недостатков. Во-первых, группа транзисторов, входящих в состав триггера, обходится дороже, чем ячейка динамической памяти. Кроме того, группа транзисторов занимает гораздо больше площади на кристалле, чем ячейка динамической памяти, поскольку триггер состоит минимум из 2 вентилей (шести-восьми транзисторов), а ячейка динамической памяти — только из одного транзистора и одного конденсатора. Используется для организации сверхбыстродействующего ОЗУ, обмен информацией с которым критичен для производительности системы.

 

Типовая полупроводниковая БИС ОЗУ состоит из накопителя и схем обрамления. Накопитель Н представляет со­бой матрицу запоминающих элементов (ЗЭ) и предназначен для хранения информации.

В ка­честве ЗЭ полупроводниковых БИС ЗУ могут быть использованы статические триггеры. В схемы обрамления входят:

– адресная часть АЧ (строчные и столбцовые дешифраторы, фор­мирователи), предназначенная для выбора одного (или нескольких) ЗЭ в матрице в соответствии с кодом адреса на ее входах;

– числовая часть ЧЧ (усилители чтения-записи), с помощью которой производится передача информации от выбранного ЗЭ к информационному выходу при чтении и пере­дача ее от информационного входа к выбранному ЗЭ (в ОЗУ);

– блок местного управления БМУ, осуществляющий координацию работы всех узлов БИС ЗУ в режимах хранения, записи и чтения по пер­вичным управляющим сигналам (выбор кристалла (ВК), запись/чтение (ЗП/ЧТ) и др.).

Практически все БИС ЗУ можно разделить на два основных класса по типу применяемого в ЗЯ активного элемента:

– биполярные структуры;

– МОП-структуры.

 

Рисунок 3.1 —Полупроводниковая БИС ЗУ

 

Основным преимуществом биполярных структур перед МОП-струк­турами является их более высокое быстродействие. Биполярные струк­туры считаются перспективными для создания быстродействующих БИС ЗУ. Основные типы элементов, которые используются при изготовлении биполярных структур: транзисторно-транзисторные (ТТЛ), эмиттерно-связанные (ЭСЛ), инжекциионные (И²Л), тиристорные.

МОП-структуры используются для создания БИС ЗУ большой и сверх­большой емкости. Основные преимущества данных структур перед бипо­лярными – более высокая плотность эле-ментов в кристалле, большая экономичность (меньшее энергопотребление). Различают МОП-структуры на статических и динами­ческих ЭП. При построении статических МОП-структур используются преимущест­венно n-канальные МОП-транзисторы. Такие МОП-структуры, как и биполярные, характеризуются потреблением тока в режиме хранения. Это связано в тем, что одно из двух плеч триггера ЗЭ всегда проводит полный прямой ток. Уменьшить энергопотребление в режиме хранения можно путем увеличения сопротивления нагрузок плеч. Однако это сопряжено со снижением быстродействия БИС ЗУ.

Данное противоречие разрешается применением в МОП-структурах ЗЭ на КМОП-транзисторах (на комплементарных МОП-транзисторах). В каж­дом плече триггера ЗЭ на КМОП-транзисторах один из двух последова­тельно включенных транзисторов в режиме хранения заперт. Поэтому через оба плеча протекают лишь незначительные обратные токи р - n -переходов, и потребляемая в этом режиме мощность КМОП-БИС на два-три порядка меньше, чем у аналогичных МОП-БИС. Недостатком КМОП-структур является невысокая плотность ЗЭ. Этот недостаток устраняется при изготовлении КМОП-структуры на сапфировой изолирующей под­ложке. Кроме того, КМОП-структуры на сапфире обладают более высо­ким быстродействием и большей радиационной стойкостью. Однако они отличаются и большей стоимостью.

Для построения ОЗУ с сохра­нением информации при отключении питания разработаны структуры на основе МНОП-транзисторов и транзисторов с плавающим затвором. Об­щим свойством таких транзисторов является возможность управлять величиной их порогового напряжения. Транзистор может находиться в одном из двух состояний (с высоким или низким значением порогового напряжения). Поэтому его можно использовать в качестве ЗЯ.

 

 

Приложения

Приложение А. ХХХХ.000106.001 Э3. Усилитель низкой частоты. Схема электрическая принципиальная

Приложение Б. ХХХХ.000217.001 Э3. Фильтр нижних частот. Схема электрическая принципиальная

Приложение В. ХХХХ.000217.002 Э3. Фильтр верхних частот. Схема электрическая принципиальная

 

Приложение Г. ХХХХ.000217.003 Э3. Полосно-пропускающий фильтр. Схема электрическая принципиальная

Приложение Д. ХХХХ.000217.004 Э3. Полосно-заграждающий фильтр. Схема электрическая принципиальная

 

Вариант 6-17-17

 

Выполнил:

 

Группа:

 

Принял:

 

 

Йошкар-Ола

2018

 

 

СОДЕРЖАНИЕ

Задание............................................................................................................ 3

1. Расчёт усилителя........................................................................................ 5

1.1. Предварительный расчёт оконечного каскада................................... 5

1.2. Распределение коэффициентов усиления по каскадам..................... 10

1.3. Расчёт входного каскада.................................................................... 12

2. Расчёт фильтров....................................................................................... 15

2.1. Фильтр нижних частот (ФНЧ)........................................................... 16

2.2. Выбор операционных усилителей..................................................... 20

2.3. Фильтр верхних частот (ФВЧ).......................................................... 21

2.4. Полосно-пропускающий фильтр (ППФ)........................................... 23

2.5. Полосно-заграждающий фильтр (ПЗФ)............................................ 27

3. Оперативные запоминающие устройства............................................... 31

Список использованных источников............................................................ 35

Приложения................................................................................................... 36

Приложение А. ХХХХ.000106.001 Э3. Усилитель низкой частоты. Схема электрическая принципиальная................................................................. 36

Приложение Б. ХХХХ.000217.001 Э3. Фильтр нижних частот. Схема электрическая принципиальная......................................................................................... 36

Приложение В. ХХХХ.000217.002 Э3. Фильтр верхних частот. Схема электрическая принципиальная................................................................. 36

Приложение Г. ХХХХ.000217.003 Э3. Полосно-пропускающий фильтр. Схема электрическая принципиальная................................................................. 36

Приложение Д. ХХХХ.000217.004 Э3. Полосно-заграждающий фильтр. Схема электрическая принципиальная................................................................. 36

 

Задание

Таблица 2 — Исходные данные для разработки линейных усилителей низкой частоты

Параметр	Номер варианта
усилителя	6
Амплитуда входного напряжения, мВ	10
Амплитуда выходного напряжения, В	6
Сопротивление нагрузки, Ом	2800
Диапазон звуковых частот:
Fн, Гц	40
Fв, кГц	25
Допустимые частотные искажения	1,44
Температура окружающей среды, °С	25

 

Таблица 5 — Исходные данные для расчета активных фильтров

Номер	Данные для расчета ФНЧ и ФВЧ					ППФ и РФ
варианта	ТХ	c, дБ	ПФ	d, дБ	fс,МГц	К	fн,МГц	fв,МГц	К
17	Бт	1,414	2	1,5	1,5	10	0,8	0,9	25

Примечание к таблице 5.

В таблице 5 использованы следующие условные обозначения и сокращения:

ТХ — тип амплитудно-частотной характеристики фильтра:

Бт — характеристика Баттерворта;

Бс — характеристика Бесселя;

Чб — характеристика Чебышева;

c — коэффициент затухания фильтра;

ПФ — порядок фильтра;

d — неравномерность амплитудно-частотной характеристики;

f_с — частота среза фильтра нижних частот (ФНЧ) ФНЧ или фильтра верхних частот (ФВЧ);

f_н и f_в — соответственно, верхняя и нижняя частоты среза режекторного фильтра (РФ) или полосно-пропускающего фильтра (ППФ);

К — коэффициент усиления.

 

 

Таблица 6 — Исходные данные для цифрового элемента или устройства

 

Номер варианта	Цифровое устройство
17	Оперативные запоминающие устройства (ОЗУ).

 

Расчёт усилителя

Таблица 2 — Исходные данные для разработки линейных усилителей низкой частоты

Параметр	Номер варианта
усилителя	6
Амплитуда входного напряжения, мВ	10
Амплитуда выходного напряжения, В	6
Сопротивление нагрузки, Ом	2800
Диапазон звуковых частот:
Fн, Гц	40
Fв, кГц	25
Допустимые частотные искажения	1,44
Температура окружающей среды, °С	25

Предварительные расчёты

В качестве базового каскада для построения усилителя используем каскад с общим эмиттером (ОЭ), изображённый на рисунке 1.1.

 

R э

R к

R н

R 1

R 2

VT1

U вх

U вых

E пит

Ср

 

Рисунок 1.1 — Схема усилительного каскада с общим эмиттером

 

Напряжение питания найдём из соотношения

Полагая, что  имеет величину порядка 1 В, получим

Округляем в сторону увеличения до ближайшего стандартного значения по ГОСТ 29322–92:

По заданным параметрам усилителя выберем максимально допустимые значения напряжения коллектор-эмиттер U _кдоп

Найдём амплитуду тока в нагрузке:

Найдём величину тока покоя коллектора, полагая, что сопротивление коллекторного резистора равно сопротивлению нагрузки, а напряжение на коллекторе в рабочей точке равно половине напряжения питания:

Выберем максимально допустимые значения тока коллектора:

Исходя из требований по обеспечению уровня нелинейных искажений на верхней частоте усиления, находим сопротивление в цепи коллектора:

Предварительно считаем, что в усилителе будет два каскада, на каждый из которых придётся следующий коэффициент искажений:

Тогда

Вычисленное значение  представляет собой максимальное допустимое значение коллекторного сопротивления, обеспечивающего требуемые искажения на верхних частотах.

Распределение усиления по каскадам

Определим количество каскадов в усилителе.

Суммарный коэффициент усиления усилителя по напряжению составляет

Такой коэффициент усиления слишком велик для однокаскадного усилителя. Предположим, что усилитель двухкаскадный, и оба каскада имеют одинаковый коэффициент усиления.

Такой коэффициент усиления приемлем для одного каскада. Предварительно считаем, что усилитель будет двухкаскадным.

Коэффициент передачи по напряжению одиночного каскада вычислим как

где  — входное сопротивление каскада без учёта сопротивления базового делителя;  и — коэффициент усиления по току и сопротивление базы транзистора в i -м каскаде;  — сопротивления в цепи коллектора и эмиттера i -го каскада.

Коэффициент ослабления сигнала при передаче между каскадами равен

где  — сопротивление делителя, задающего рабочую точку каскада. Будем считать, что это сопротивление на порядок больше собственного входного сопротивления каскада:

поэтому

Тогда

Коэффициент ослабления при передаче с источника сигнала на вход первого каскада:

где  — выходное сопротивление источника сигнала.

Коэффициент ослабления при передаче с выхода второго каскада на нагрузку:

где  — сопротивление нагрузки.

Полный коэффициент передачи двухкаскадного усилителя

При подборе параметров каскадов необходимо учитывать, что из-за малого входного сигнала (10 мВ) необходимо обеспечить достаточно большое входное сопротивление в первом каскаде  чтобы не допустить ослабления сигнала на входе в первый каскад. Необходим также большой коэффициент усиления, чтобы на выходе первого каскада добиться значительной амплитуды сигнала и сделать последующие каскады некритичными к шумовым характеристикам.

Найдём требуемую предельную частоту усиления транзистора:

где  — коэффициент искажений на верхних частотах. Так как единственный источник высокочастотных искажений — инерционность транзистора, будем считать, что

Предполагая, что у выбранн