Изготовление биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией

Этапы изготовления структуры транзистора. Особенности технологии изготовления.

42Изготовление биполярных ИМС с комбинированной изоляцией (Изопланар)

Технологическая последовательность операций изготовления транзисторных структур на примере конструкций «Изопланар I» и «Изопланар II». Их отличительные особенности.

43 Изготовление биполярных ИМС с комбинированной изоляцией (Полипланар)

Последовательность технологических операций. Особенности конструкций. Требования к кристаллографической ориентации кремниевых пластин.

44Полевые транзисторы

Полевые транзисторы с индуцированным и встроенным каналами. Особенности их изготовления и работы. Подзатворный диэлектрик. Особенности его получения.

45Принцип работы МОП транзистора

Рассмотрение условий появления инверсионного слоя при подаче напряжения на затвор, а также изменение геометрии инверсионного слоя при подаче напряжения на сток-исток транзистора. Рассмотрение вольтамперной характеристики МОП транзистора.

46Основные этапы формирования микросхем на полевых транзисторах

Формирование областей полевого транзистора. Формирование подзатворного диэлектрика. Изготовление затвора полевого транзистора из разных материалов.

47Изготовление толстооксидных МОП-ИМС

Эксплуатационная необходимость изготовления толстооксидных р- и n- канальных транзисторов. Способы формирования толстого оксида. Достоинства и недостатки данной конструкции Образование паразитных транзисторов.

48Технология изготовления МОП-ИМС двойной диффузией

Достоинства и недостатки тонкооксидных и толстооксидных МОП – ИМС. Пути улучшения электрических характеристик на примере ИМС изготовленной двойной диффузией. Технологические особенности ее изготовления.

49Технология изготовления комплементарных ИМС

Комплементарная ИМС, как один из способов увеличения степени интеграции, быстродействия и надежности приборов. Особенности технологии изготовления.

Особенности МОП-ИМС с малыми геометрическими размерами

Эффект короткого канала. Пути решения проблем, вызванных эффектом короткого канала.

Применение ионного легирования при изготовлении МОП – приборов

Создание самосовмещенных затворов. Подгонка порогового напряжения. Создание обедненных МОП – приборов.

Технология изготовления МОП-ИМС с кремниевыми затворами

Достоинства конструкции ИМС с кремниевыми затворами. Пути и методы уменьшения сопротивления кремниевого затвора, применением силицидов и полицидов.

Легирование пленок поликристаллического кремния

Особенности технологии легирования пленок поликристаллического кремния.

54Пленки поликристаллического кремния, легированного фосфором и бором

Кинетика процесса осаждения пленок поликристаллического кремния, легированного фосфором и бором. Особенности воспроизведения топологического рисунка поверхности пленки, легированной фосфором и бором.

Создание затворов из поликристаллического кремния, легированного германием

Вещества, используемые для осаждения пленок поликристаллического кремния и германия. Структурные свойства полученных пленок.

56Запоминающие устройства на МОП – транзисторах

Конструкция и технология изготовления запоминающих устройств, изготовленных по МОП - технологии Элементная база ПЗУ. Топология ПЗУ. Принцип работы ПЗУ на МОП транзисторах.

57 Запоминающий элемент с плавающим затвором и накопительным конденсатором

Конструкция и технология элемента памяти с плавающим затвором и накопительным конденсатором.

58Поверхность полупроводника

Свойства поверхности полупроводника. Переходные слои от кремния к диоксиду кремния.

Металлизация структур

Требования к омическим контактам, токоведущим дорожкам и контактным площадкам. Технология и особенности металлизации структур.

Подготовка полупроводниковых структур к сборке

Контроль готовых структур по электропараметрам. Приклеивание пластин к адгезионному носителю. Требования к процессу разделения пластин на кристаллы. Алмазное и лазерное скрайбирование пластин и подложек. Скрайбирование пластин алмазным резцом. Особенности процесса, достоинства и недостатки.

 

61 Методы ориентированного разделения пластин

Разделение пластин на кристаллы с сохранением их ориентации. Особенности технологического процесса. Достоинства и недостатки дисковой резки. Ломка пластин. Разделение пластин без использования дальнейшей ломки