Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Топ:
Особенности труда и отдыха в условиях низких температур: К работам при низких температурах на открытом воздухе и в не отапливаемых помещениях допускаются лица не моложе 18 лет, прошедшие...
Определение места расположения распределительного центра: Фирма реализует продукцию на рынках сбыта и имеет постоянных поставщиков в разных регионах. Увеличение объема продаж...
Интересное:
Мероприятия для защиты от морозного пучения грунтов: Инженерная защита от морозного (криогенного) пучения грунтов необходима для легких малоэтажных зданий и других сооружений...
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Национальное богатство страны и его составляющие: для оценки элементов национального богатства используются...
Дисциплины:
2017-12-20 | 315 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Задачей является исследование серии входных характеристик, аналогичных представленным на рис. 4.3, а, 4.6, а. Обратим внимание, что исследуются серии характеристик I б(U бэ) при фиксированных значениях напряжения U кэ между коллектором и эмиттером.
Первоначально установите значение U кэ = 0. Изменяя напряжение U бэ от нулевого значения до (примерно) 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I б(U бэ)| U кэ = 0 (табл. 4.6).
Таблица 4.6
Параметр | U бэ, В | I э, мА | I к, мА | I б, мА |
U кэ =? | ? | ? | ? | |
? | ? | ? | ? | |
… | … | … | … | |
? | ? | ? | ? |
2.3. Установите значение U кэ = 10-12 В. Изменяя напряжение U бэ от нулевого значения до U бэ ≈ 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I б(U бэ)| U кэ = 10 (аналогично, табл. 4.6).
2.4. Установите значение U кэ = 15-17 В. Изменяя напряжение U бэ от нулевого значения до U бэ ≈ 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I б(U бэ)| U кэ = 15 (аналогично, табл. 4.6).
2.5. Постройте и объясните серию входных I б(U бэ)| U кэ характеристик (на одном графике).
Исследование выходных характеристик транзистора в схеме ОЭ
Задачей является исследование серии выходных характеристик, аналогичных представленным на рис. 4.3, б, 4.6, б. Исследуются серии характеристик I к(U кэ) при различных фиксированных значениях тока базы I б.
2.7. Первоначально установите U бэ = 0, так что I б = 0. Изменяя U кэ от нулевого значения до U кэ ≈ 20 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I к(U кэ)| I б = 0 (табл. 4.7). По мере изменения U кэ значение I б должно оставаться постоянным, и если значение изменяется, то регулируйте U бэ.
Таблица 4.7
Параметр | U кэ, В | I к, мА | I э, мА | Пара-метр | U кэ, В | I к, мА | I э, мА | Параметр | U кэ, В | I к, мА | I э, мА |
I б =?, мА | ? | ? | I б =?, мА | ? | ? | I б =?, мА | ? | ? | |||
? | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? | |||
… | … | … | … | … | … | … | … | … | |||
? | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? |
|
2.8. Установите произвольное значение тока I б базы. Изменяя U кэ от нулевого значения до U кэ ≈ 20 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения I к(U кэ)| I б (табл. 4.7). По мере изменения U кэ значение I б должно оставаться постоянным.
2.9. Установите следующее значение тока I б базы. Изменяя U кэ от нулевого значения до U кэ ≈ 20 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I к(U кэ)| I б (табл. 4.7). По мере изменения U кэ значение I б должно оставаться постоянным.
2.10. Постройте серию выходных характеристик I к(U кэ)| I б при различных токах базы.
2.11*. Исследование характеристики обратной связи в схеме ОЭ
Характеристика обратной связи U бэ(U кэ) в схеме ОЭ показывает, как необходимо изменять напряжение U бэ при возрастании напряжения U кэ, чтобы ток I б оставался постоянным.
Для исследования зависимости U бэ(U кэ) установите фиксированное значение тока базы I б, и, удерживая его постоянным по мере возрастания U кэ от 0 до 20…25 В, снимите значения U бэ (табл. 4.8).
Таблица 4.8
Параметры | I б =? мА | ||
U кэ, В | ? | 8-10 точек | ? |
U бэ, В | ? | ? | ? |
Коэффициент обратной связи mкб|ОЭ | ? |
2.12. Постройте характеристику обратной связи U бэ(U кэ) в схеме ОЭ и рассчитайте значение коэффициента обратной связи mкб| ОЭ .
Исследование характеристики передачи тока в схеме ОЭ
Для построения серии статических характеристик передачи тока I к(I б)| U кэ в схеме ОЭ первоначально установите произвольное фиксированное значение U кэ = 10…15 В и, изменяя ток I б, измеряйте значения тока коллектора I к (табл. 4.9).
Таблица 4.9
Параметры | U кэ =? В | |||
I б, мА | ? | 8-10 точек | ? | ? |
I к, мА | ? | ? | ? | ? |
bсред | ? |
2.14. Рассчитайте значение коэффициента передачи тока bсред по графику функции I к(I б): bсред =D I к/D I б.
2.15. Выключите установку.
Отчетные материалы
В лабораторной тетради представляются:
– заполненные таблицы;
– экспериментальные входные и выходные характеристики в схеме с общей базой (ОБ);
|
– экспериментальные входные и выходные характеристики в схеме с общим эмиттером (ОЭ);
– переходные характеристики в схемах ОБ и ОЭ;
– характеристики обратной связи в схемах ОБ и ОЭ;
– расчетные значения и зависимости коэффициента передачи тока a и b в разных схемах.
К защите представляется РГЗ с задачами по теме: ″Биполярные транзисторы″.
Тема 5. Полевые транзисторы
Лабораторная работа № 5.1
″Статические характеристики полевого транзистора″
Цель работы: исследование принципа работы и статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n- переходом (ПТУП).
Приборы и принадлежности: испытательный стенд, источники питания; схема с общим истоком на основе полевого транзистора КП302А.
|
|
Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...
Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!