Археология об основании Рима: Новые раскопки проясняют и такой острый дискуссионный вопрос, как дата самого возникновения Рима...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
Топ:
Методика измерений сопротивления растеканию тока анодного заземления: Анодный заземлитель (анод) – проводник, погруженный в электролитическую среду (грунт, раствор электролита) и подключенный к положительному...
Эволюция кровеносной системы позвоночных животных: Биологическая эволюция – необратимый процесс исторического развития живой природы...
Установка замедленного коксования: Чем выше температура и ниже давление, тем место разрыва углеродной цепи всё больше смещается к её концу и значительно возрастает...
Интересное:
Мероприятия для защиты от морозного пучения грунтов: Инженерная защита от морозного (криогенного) пучения грунтов необходима для легких малоэтажных зданий и других сооружений...
Распространение рака на другие отдаленные от желудка органы: Характерных симптомов рака желудка не существует. Выраженные симптомы появляются, когда опухоль...
Влияние предпринимательской среды на эффективное функционирование предприятия: Предпринимательская среда – это совокупность внешних и внутренних факторов, оказывающих влияние на функционирование фирмы...
Дисциплины:
2017-12-20 | 243 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
По разрешению преподавателя включите установку. Нагретым жалом термозонда кратковременно и осторожно касайтесь хрупкого кристалла во избежание его повреждения. Одновременно фиксируйте направление отклонения (отброс вправо или влево) стрелки гальванометра (табл. 2.6).
1.3. Проведя анализ схемы, заполните таблицу 2.6 и определите тип носителей кристалла для:
а) трех произвольных одиночных образцов, установленных на стенде;
б) для модели, имитирующей диод и содержащей один p - n -переход;
в) для модели, имитирующей транзистор (два p - n -перехода).
1.4. Выключите установку.
1.5. Сделайте заключение о типе материала. Зарисуйте зонную диаграмму данных полупроводниковых структур, отметив примерное положение уровня Ферми Е ф.
Таблица 2.6
Определение типа носителей с помощью термозонда
Условие эксперимента | Возможные результаты испытаний | Образцы | |||||||
№1 | №2 | №3 | диод | транзистор | |||||
Термозонд касается электрода | Верхнего или нижнего | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? |
Термозонд связан с клеммой гальванометра | Связан с "+" или с ″–″ клеммой | Связан с "+" клеммой | |||||||
Стрелка индикатора отклонилась | По часовой стрелке или против нее | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? |
На "+" клемму прибора подается потенциал | "-" или "+" | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? |
Основные носители | Электроны или дырки | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? |
Неосновные носители | То же | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? |
Полупроводник | Донорный или акцепторный | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? |
Исследования по методу Холла
Определение типа основных носителей в датчике Холла
Установите произвольные значения тока I п через датчик и индукции В (например, I п = 50 – 100 mA; В = 0,05 Тл – по графику на стенде). Используя последовательность операций, представленных в таблице 2.7, определите тип основных носителей в датчике Холла.
|
Таблица 2.7
Определение типа носителей по методу Холла
Условие эксперимента | Результат испытаний |
Ток между холловскими электродами направлен по одной из осей (рис. 1, б) | Укажите направления осей координат |
Электроны двигаются в направлении | Укажите ось |
Дырки двигаются в направлении | Укажите ось |
С учетом направления тока в соленоиде и намотки катушки вектор индукции В имеет направление | Укажите ось |
Сила Лоренца направлена | Укажите ось |
Основные носители накапливаются на холловском электроде | Верхнем или нижнем |
Стрелка вольтметра, фиксирующего ЭДС Холла, отклоняется | По часовой стрелке или против нее |
На "+"клемму прибора подается потенциал | "+" или "-" |
Основные носители заряда | p или n |
Неосновные носители заряда | p или n |
Полупроводник | Донорный или акцепторный |
2.2. Зарисуйте зонную диаграмму данного полупроводника, отметив примерное положение уровня Ферми.
Исследование вольтамперной характеристики датчика
Для этой цели при комнатной температуре t 0 снимите данные для построения вольтамперной характеристики датчика Холла (при произвольном направлении тока) при значении индукции В, равной нулю (при отключенном токе катушки индуктивности) (табл. 2.8).
Таблица 2.8
Параметр датчика b =? мм; d =? мм; l =? мм | ||||
U, B | ? | ? | 8 – 10 точек | ? |
I, mА | ? | ? | 8 – 10 точек | ? |
Расчетные значения: R ср =? кОм; G ср =? Ом–1; r =? Омм; g =?Ом–1м–1 |
2.4.Определение микропараметров кристалла датчика Холла
Задачей исследования является определение удельного сопротивления r, проводимости g, концентрации n и подвижности m носителей кристалла.
2.5. По данным таблицы 2.8 постройте ВАХ - зависимость тока от напряжения в линейном масштабе. Графически определите среднее значение сопротивления кристалла R ср и его проводимость G ср = 1/ R ср.
По формулам (2.22) – (2.29) и известным параметрам кристалла (на стенде) рассчитайте величины r и g образца.
|
Определение зависимости ЭДС Холла от величины тока
Установите произвольное значение тока катушки I к и поддерживайте его постоянным в течение опыта. Определите значение индукции В пографику, приведенному на стенде. Снимите и постройте зависимость ЭДС Холла U x от тока I п в кристалле при фиксированном значении индукции В (табл. 2.9).
Таблица 2.9
I к =? мА; В =? Тл | ||||
U п, В | ? | 6 – 8 точек | ? | ? |
I п, mA | ? | ? | ? | ? |
U x, мВ | ? | ? | ? | ? |
N = n ср ± D n, м-3 | ? | |||
m = mср ± Dm, м2/Вс | ? |
2.7. С помощью полученных данных по формулам (2.22) – (2.29) определите среднее значение концентрации носителей n ср и их подвижность mср.
2.8*. Рассчитайте погрешности концентрации носителей D n ср и подвижности Dmср.
|
|
Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!