Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Топ:
Марксистская теория происхождения государства: По мнению Маркса и Энгельса, в основе развития общества, происходящих в нем изменений лежит...
Выпускная квалификационная работа: Основная часть ВКР, как правило, состоит из двух-трех глав, каждая из которых, в свою очередь...
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного...
Интересное:
Финансовый рынок и его значение в управлении денежными потоками на современном этапе: любому предприятию для расширения производства и увеличения прибыли нужны...
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Влияние предпринимательской среды на эффективное функционирование предприятия: Предпринимательская среда – это совокупность внешних и внутренних факторов, оказывающих влияние на функционирование фирмы...
Дисциплины:
2017-11-17 | 292 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Проектируемое устройство основано на кремниевом транзисторе КТ208Л. Транзистор типа КТ208Л - кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор, предназначенный для использования в импульсных, усилительных и других схемах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,7 г.
1) Электрические параметры:
Наименование | Обозна- чение | Значения | Режимы измерения | |||||
min | типов-ое | max | ,В | , мА | , мА | f, кГц | ||
Обратный ток коллектора, мкА | UКБ max | |||||||
Обратный ток эмиттера, мкА (при ) | ||||||||
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер, В | 0,4 | |||||||
Напряжение насыщения база- эмиттер, В | 1,5 | |||||||
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при нормальной рабочей температуре: при Тс= +125 0С: при Тс= - 600С: | h21Э | 20 | 0,27 0,27 0,27 | |||||
Модуль коэффициента передачи тока на высоких частотах | /h21Э/ | 4,5 | 0,27 | |||||
Емкость коллекторного перехода, пФ | ||||||||
Емкость эмиттерного перехода, пФ (при Uэ=0,5 В) | ||||||||
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц | fгр |
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Тс=+250…+125 0С.
- Постоянный ток коллектора, А. | 0,3 |
IК max - Импульсный ток коллектора, А (Гарантируется h 21Э ≥ 6, ≤0.7 B, ≥0.1 A) | 0,5 |
IБ max – постоянный ток базы, А | 0,1 |
UКБ max - Постоянное напряжение коллектор-база, В (При понижении Тс от +150 до -600С значения UКБ max, UКЭ max уменьшаются по линейному закону до 10 В для групп А-В; до 25 В для групп Г-Е; до 40 В для групп Ж-К; до 55 В для групп Л,М. UЭБ max уменьшится линейно до 15 В для групп Ж-M) | |
UКЭ max - Постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rб£100 Ом),В (При понижении Тс от +150 до -600С значения UКБ max, UКЭ max уменьшаются по линейному закону до 10 В для групп А-В; до 25 В для групп Г-Е; до 40 В для групп Ж-К; до 55 В для групп Л,М. UЭБ max уменьшится линейно до 15 В для групп Ж-M) | |
UЭБ max - Постоянное напряжение эмиттер-база, В (Гарантируется h 21Э ≥ 6, ≤0.7 B, ≥0.1 A) | |
PК max - Постоянная рассеиваемая мощность, мВт | |
Допустимая температура окружающей среды, 0С | -600…+1250С |
|
Рис. 1. Схема цепи питания и стабилизации
режима работы транзистора
Описание схемы:
Входной сигнал U ВХ подается на базу транзистора через конденсатор С Б. Усиленный сигнал U ВЫХ снимается с резистора R К и через конденсатор С К подается в нагрузку. Конденсатор С Б исключает влияние источника сигнала на режим работы транзистора по постоянному току. Конденсатор С К исключает влияние нагрузки на режим работы транзистора по постоянному току.
Конденсаторы С Б и С К называют переходными или разделительными. В первом случае подчеркивается их роль по переменному току,а во втором случае – по постоянному току. Режим работы транзистора по постоянному току задается делителем напряжения в цепи базы R Б1, R Б2 и сопротивлением R Э в цепи эмиттера. Делитель напряжения должен быть достаточно низкоомным, чтобы возможные в процессе эксплуатации изменения тока базы транзистора (например, при изменении температуры окружающей среды, смене транзистора и т. п.) не приводили к заметному изменению напряжения на базе транзистора. На практике ток делителя I Д = E/ (R Б1 + R Б2) выбирают в 3÷10 раз больше тока базы. Чем больше ток делителя, тем стабильнее будет режим работы транзистора по постоянному току, но тем меньше будет входное сопротивление каскада и больше потребляемый ток. Резистор R Э служит для стабилизации режима работы транзистора. Стабилизирующее действие резистора R Э объясняется тем, что падение напряжения на нем является напряжением отрицательной обратной связи. Конденсатор в цепи эмиттера С Э устраняет обратную связь по переменному току, что предотвращает снижение коэффициента усиления.
|
|
|
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Адаптации растений и животных к жизни в горах: Большое значение для жизни организмов в горах имеют степень расчленения, крутизна и экспозиционные различия склонов...
Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!