Таксономические единицы (категории) растений: Каждая система классификации состоит из определённых соподчиненных друг другу...
Эмиссия газов от очистных сооружений канализации: В последние годы внимание мирового сообщества сосредоточено на экологических проблемах...
Топ:
Определение места расположения распределительного центра: Фирма реализует продукцию на рынках сбыта и имеет постоянных поставщиков в разных регионах. Увеличение объема продаж...
Оснащения врачебно-сестринской бригады.
Установка замедленного коксования: Чем выше температура и ниже давление, тем место разрыва углеродной цепи всё больше смещается к её концу и значительно возрастает...
Интересное:
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Распространение рака на другие отдаленные от желудка органы: Характерных симптомов рака желудка не существует. Выраженные симптомы появляются, когда опухоль...
Финансовый рынок и его значение в управлении денежными потоками на современном этапе: любому предприятию для расширения производства и увеличения прибыли нужны...
Дисциплины:
2017-09-28 | 273 |
5.00
из
|
Заказать работу |
Зависимость коэффициента усиления по току биполярного транзистора от частоты определяется параметрами его структуры и свойствами полупроводникового материала, из которого он изготовлен. Существование этой зависимости связано с двумя принципиально различными факторами:
а) процессами диффузионного движения носителей в базе транзистора от эмиттера к коллектору;
б) совокупным влиянием емкости коллекторного перехода и сопротивления базы.
Приборы с зарядовой связью.
ПЗС используются в быстродействующих запоминающих устройствах ЭВМ и в устройствах преобразования оптических сигналов в электрические. На рис. показана структура ячейки ПЗС. Элементы памяти, основанные на принципе полевого транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом, имеют не один, а несколько изолированных друг от друга затворов, расположенных достаточно близко друг к другу.
При отрицательном напряжении на k - ом затворе (UЗИ,k < 0) под последним скапливаются дырки, являющиеся неосновными носителями в полупроводнике пластины, а также и дырки, инжектированные истоком (или возникающие в результате генерации пар электрон-дырка при поглощении оптического излучения). Эту совокупность дырок под затвором называют пакетом. При соответствующем изменении напряжений на затворах пакеты перемещаются от истоку к стоку, осуществляя последовательное считывание или параллельную запись информации.
Билет № 44
Варикап.
Варикапы— это полупроводниковые диоды, в которых используется барьерная емкость p-n-перехода. Эта емкость зависит от приложенного к диоду обратного напряжения и с увеличением его уменьшается. Добротность барьерной емкости варикапа может быть достаточно высокой, так как она шунтируется достаточно высоким сопротивлением диода при обратном смещении.
Схематическое изображение варикапа
Вольт-фарадная характеристика варикапа (Рис.) – это основная характеристика данного прибора. График этой характеристики приведён на рис. 8. Из графика следует, что чем больше приложенное к варикапу обратное напряжение, тем меньше ёмкость варикапа.
Основные параметры варикапов:
UОБР – заданное обратное напряжение
СВ – номинальная ёмкость, измеренная при заданном обратном напряжении UОБР
КС – коэффициент перекрытия ёмкости, который определяется отношением ёмкостей варикапа при двух значениях обратного напряжения
UОБР.МАКС – максимально допустимое обратное напряжение
QB – добротность, определяемая как отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь
Дрейфовый транзистор.
Дрейфовый транзистор, транзистор, в котором движение носителей заряда вызывается главным образом дрейфовым полем. Это поле создаётся неравномерным распределением примесей в базовой области прибора. Оно ускоряет движение неосновных носителей заряда к коллектору, повышая коэффициент усиления и предельную рабочую частоту. Метод диффузии имеет несколько модификаций, по наименованию которых и различают типы Д. т.: диффузионно-сплавной, конверсионный, планарный, планарно-эпитаксиальный, меза. Д. т. изготовляют главным образом на основе монокристаллов германия и кремния. Д. т. применяют для усиления и генерирования колебаний с частотами от сотен кгц до нескольких Ггц и коммутации сигналов в электронных устройствах.
Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
Историки об Елизавете Петровне: Елизавета попала между двумя встречными культурными течениями, воспитывалась среди новых европейских веяний и преданий...
Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!