Однотактный усилитель малой мощности.

8 Ом

А

-30 В

+15 В

8 Ом

Режим работы по постоянному току выбирается таким образом, чтобы потэнциал точки А при отсутствии входного сигнала был равен 0, для исключения протекания постоянного тока через динамик. На небольшую мощность-класс А. Источник тока позволяет ограничить рассеиваемую мощность по сравнению с резистором коллекторной цепи VT1 и ВТО же время обеспечить большой ток базы VT2.

 

 

Двухтактный усилитель мощности (класса В).

-Uп

VT2

Rн

VT1

+Uп

Когда положительная полуволна на входе достигает напряжения для отпирания VT1 (0,6 В), последний открывается, ток от источника питания через транзистор протекает в нагрузку, выделяя на ней напряжение практически идентичное входному, VT2 при этом заперт.

При отрицательной полуволне отпирается VT2, VT1 закрыт отрицательным потенциалом.

При входном напряжении < 0,6В оба транзистора закрыты и напряжение на нагрузке отутствует.

Диоды находятся вблизи транзисторов и имеют с ними непосредственный тепловой контакт.

При использовании переменных резисторов, можно устанавливать положение рабочей точки исходя из требуемой экономичности и величины нелинейных искажений.

Недостаток: трудность согласованности температурных коэф-ов терморезисторов и транзисторов. Для поддержания одинаковой темп. терморезисторов, диодов и транзисторов их располагают на охладителях, в непосредственнной близости от корпусов транзисторов. С целью уменьшения влияния различия в пар-ах п-н-п и н-п-н транзистор в эммиторной цепи вводятся резисторы, создающие послед. ООС по току постоянному.

 

 

Составные транзисторы: схемы Дарлингтона и Шиклаи. Применение.

Составной транзистор Дарлингтона.

Параметры транзистора:

1. h₂₁’ = (h_21-1 + 1)* h_21-2 ≥ h_21-1* h_21-2;

2. U_бэ’ = U_бэ-1 + U_бэ-2 ≈ 1.2В;

3. U_{кэ нас}’ = U_{кэ нас-1} + U_{кэ нас-2} ≥ 0.1 + 0.6 = 0.7В.

Достоинства: высокий Ki.

Недостатки: большое напряжение насыщения, невысокое быстродействие, необходимость большого управляющего напряжения.

    R_б’ предотвращает открывание составного транзистора при повышении температуры кристалла из – за высокого h₂₁ (отводит часть тока от VT2).