Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...
Топ:
Определение места расположения распределительного центра: Фирма реализует продукцию на рынках сбыта и имеет постоянных поставщиков в разных регионах. Увеличение объема продаж...
Устройство и оснащение процедурного кабинета: Решающая роль в обеспечении правильного лечения пациентов отводится процедурной медсестре...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов...
Интересное:
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Дисциплины:
2022-12-20 | 59 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Устройство: сток Dn/p, затвор Gn/p, исток Sn/pи общий вывод подложки Bn/p, показано на рис. 1.2. В n-канальных МОП транзисторах полупроводниковая основа с p-легированием служит подложкой, а ее вывод обозначается как Bn. В p-канальном МОП транзисторе - с n-легированием. Вывод такой подложки обозначена как Bp.
Рис. 1.2 Схема интегрального МОП транзистора
КМОП.
Называют КМОП схемами (комплементарными металло-оксидными полупроводниковыми схемами), поскольку в них имеются комплементарные МОП транзисторы. В n- или p-канальных МОП структурах (предшественниках КМОП схем) в соответствии с наименованием изготавливались либо n-, либо p-канальные МОП транзисторы.
Вольт-амперные характеристики МОП-транзисторов
МОП транзисторыв n- и p-канальном исполнении. Их графические условные обозначения вместе с упрощенными характеристиками показаны на рис. 1.3, где напряжение затвор–исток UGS и сток–исток UDS, ток стока ID и пороговое напряжения Uth.
Рис. 1. 3 Условные обозначения и упрощенные ВАХ МОП транзистора.
Семейство выходных характеристик.
Задавая на n-канальном МОП транзисторе разные напряжения затвор–исток UGS и измеряя ток стока ID как функцию напряжения сток–исток UDS, получим семейство выходных характеристик (рис. 1.4). Ток стока протекает только, когда UGS превышает пороговое напряжение Uth; при этом различают две области:
Рис. 1.4 Семейство выходных характеристик n - канального МОП транзистора
в
в
в (1.1)
Для МОП транзистора:
Семейство передаточных характеристик.
В области насыщения ток стока зависит преимущественно от UGS. Если построить график ID для различных значений UDS, соответствующих области насыщения, как функцию UGS, получим семейство передаточных характеристик, представленное на рис. 1.5.При UGS<Uth ток не протекает, поскольку в этой ситуации (отсечка) канал запирается на всей своей длине.
|
Рис. 1.5 Передаточные характеристики n - канального МОП транзистора
Входные характеристики.
Входные характеристики в виде зависимости тока затвора IG от напряжения UGS. В нормальном режиме ток затвора отсутствует либо является пренебрежимо малым. В МОП транзисторах без защиты от перегрузок по напряжению ток затвора появляется только при пробое оксида кремния из-за чрезмерного напряжения и разрушения самого транзистора.
Удельная крутизна.
Удельная крутизна характеристики K является мерой наклона передаточной характеристики полевого транзистора. У n-канального МОП транзистора имеет место:
где µn~0,05…0,07 м2/Вс – подвижность носителей заряда в канале. C'ox– погонная емкость оксида затвора; W и L – ширина и длина затвора (рис. 1.6). Затвор вместе с подстилающим кремнием образует плоский конденсатор площадью A = WL, пластины которого отстоят одна от другой на толщину оксидного слоя dox:
Рис. 1.6 Геометрические параметры МОП транзистора
|
|
Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...
Двойное оплодотворение у цветковых растений: Оплодотворение - это процесс слияния мужской и женской половых клеток с образованием зиготы...
Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!