Электронный газ называется вырожденным, если
( - температура Ферми, - энергия Ферми)
1. , .
2. , .
3. , .
4. , .
2.
Электронный газ называется невырожденным, если
( - температура Ферми, - энергия Ферми)
1. в любом случае.
2. .
3. , .
4. , .
3.
Система является вырожденной, если
1. становится существенным квантование.
2. становится несущественным квантование.
3. подчиняется классической статистике.
4. подчиняется статистике Максвелла-Больцмана.
4.
Распределение электронов по уровням валентной зоны и зоны проводимости описывается функцией Максвелла-Больцмана...
1. только для металлов.
2. для вырожденных полупроводников и металлов.
3. для собственных полупроводников и металлов.
4. для большинства полупроводников (невырожденных).
5.
Распределение электронов по уровням валентной зоны и зоны проводимости описывается функцией Ферми-Дирака…
1. для вырожденных полупроводников и металлов.
2. для собственных полупроводников и металлов.
3. только для собственных полупроводников.
4. только для полупроводников р-типа.
6.
При обычных температурах электронный газ в металле остается
1. температур выше температуры Дебая.
2. температур ниже температуры Дебая.
3. температуры близкой к 0 К.
4. любых температур.
2.
По закону Дюлонга-Пти молярная теплоёмкость всех химически простых тел в кристаллическом состоянии:
1. одинакова и равна R.
2.одинакова и равна 3 R.
3. не одинакова.
4. одинакова и равна 5 R.
3.
Максимальная частота колебаний кристаллической решётки равна:
(где - температура Дебая.)
1. .
2. .
3. .
4. .
4.
Температура Дебая указывает для каждого вещества область
1. где становится не существенным квантование энергии колебаний.
2. где становится существенным квантование энергии колебаний.
3. где становится существенным поглощение электромагнитного излучения.
4. где становится существенным электромагнитное излучение.
5.
Фонон является
1. квантом света.
2. квантом звука (акустических колебаний).
3. квантом электромагнитной волны.
4. опечаткой в слове «фотон».
6.
Скорость фонона…
1. наибольшая в вакууме.
2. тем больше, чем больше плотность среды.
3. не зависит от плотности среды
4. наибольшая в воздухе.
9.Д. Теплоёмкость (дополнительные вопросы)
1.
Молярная теплоемкость металлов Cm при низких температурах T (ниже температуры Дебая) равна
(θ - температура Дебая)
1. Cm ~ θ/ T.
2. Cm = 3 R.
3. Cm ~ T /θ.
4. Cm ~ (T /θ)3.
2.
Молярная теплоемкость металлов, при температуре выше температуры Дебая, имеет значение, близкое к…
( - универсальная газовая постоянная)
1. и значительно больше молярной теплоемкости диэлектриков.
2. и значительно меньше молярной теплоемкости диэлектриков.
3. и близкое к значению молярной теплоемкости диэлектриков.
4. и значительно больше молярной теплоемкости диэлектриков.
10.Б. Физика твёрдого тела. Зонная теория (базовые вопросы)
1.
Зонная структура твердых тел обусловлена
1. наличием областей кристалла, состоящих из атомов разных типов.
2. наличием зон, где находятся только электроны, и зон, где находятся только атомные остовы.
3. наличием большого количества атомов.
4. наличием периодического потенциала кристаллической решетки.
2.
Носителями тока в полупроводниковых материалах являются…
1. только электроны.
2. протоны.
3. только дырки.
4. электроны и дырки.
3.
Полупроводник – вещество, основным свойством которого является ….
1. сильная зависимость удельной проводимости от воздействия внешних факторов (температуры, электрического поля, света и др.).
2. независимость удельной проводимости от воздействия внешних факторов (температуры, электрического поля, света и др.).
3. независимость сопротивления от воздействия внешних факторов (температуры, электрического поля, света и др.).
4. сильная зависимость удельной проводимости от температуры и независимость от воздействия остальных внешних факторов (электрического поля, света и др.).
4.
Причинами рассеяния носителей заряда в полупроводнике являются
1. тепловые колебания атомов и ионов кристаллической решетки.
2. рассеяние на примесях.
3. рассеяние на дефектах решетки (пустоты, трещины, дислокации и т.д.).
4. все ответы верны.
5.
Удельное сопротивление собственных полупроводников…
1. линейно убывает с ростом температуры.
2. линейно возрастает с ростом температуры.
3. не изменяется с изменением температуры.
4.экспоненциально убывает с ростом температуры.
6.
В полупроводнике с акцепторной примесью основным типом носителей электрического заряда являются …
1. дырки.
2. одновременно электроны и положительные ионы.
3. положительные ионы.
4. отрицательные ионы.
7.
В полупроводнике с донорной примесью основным типом носителей электрического заряда являются …
1. дырки.
2. одновременно электроны и положительные ионы.
3. положительные ионы.
4. электроны.
8.
Ширина запрещенной зоны твердотельного материала характеризует…
1. неопределенность координаты электронов. Измеряется в Дж.
2. минимальный геометрический размер объема, в пределах которого невозможно обнаружить электрон. Измеряется в метрах.
3. размер области материала, в которой не могут находиться более двух электронов. Измеряется в метрах.
4. минимальную энергию, необходимую для перевода электрона из валентной зоны в зону проводимости. Измеряется в Дж.
9.
В порядке убывания энергии активации, вещества располагаются:
1. первый свободный энергетический уровень.
2. последний занятый энергетический уровень.
3. уровень, вероятность заполнения которого равна 1 при Т = 0 К.
4. энергетический уровень, вероятность заполнения которого равна 0,5 при Т = 0 К.
12.
На рисунках а), б), в) изображены зонные диаграммы
10.Д. Физика твёрдого тела. Зонная теория (дополнительные вопросы)
1.
Энергия Ферми в некотором полупроводнике равна 1 эВ. Вероятность обнаружить в этом полупроводнике электрон с энергией 0,1 эВ при комнатной температуре…
1. значительно больше 50 %.
2. значительно меньше 50 %.
3. равна нулю.
4. равна 100%.
2.
Уровень Ферми в полупроводниках n-типа расположен в:
1. верхней половине запрещённой зоны.
2. нижней половине запрещённой зоны.
3. посередине запрещённой зоны.
4. валентной зоне.
3.
Уровень Ферми в собственных полупроводниках расположен в:
1. нижней половине запрещённой зоны.
2. верхней половине запрещённой зоны.
3. зоне проводимости или валентной зоне.
4. посередине запрещённой зоны.
4.
Уровень Ферми в полупроводниках р-типа расположен в:
1. нижней половине запрещённой зоны.
2. верхней половине запрещённой зоны.
3. посередине запрещённой зоны.
4. зоне проводимости.
5.
Вырожденный полупроводник – полупроводник (примесный) у которого уровень Ферми лежит …..
1. только в зоне проводимости.
2. в зоне проводимости или в валентной зоне.
3. только в валентной зоне.
4. посередине запрещённой зоны.
6.
Переход электрона из зоны проводимости в валентную зону называется:
Донором называется примесный атом или дефект кристаллической решётки, создающий в запрещённой зоне энергетический уровень...
1. свободной от электрона и способный захватить электрон из валентной зоны.
2. занятый в невозбуждённом состоянии электроном и способный отдать его в зону проводимости.
3. занятый в невозбуждённом состоянии электроном и способный отдать его в валентную зону.
4. свободной от электрона и способный захватить электрон из зоны проводимости.
8.
В полупроводнике с донорной примесью основным типом носителей электрического заряда являются …
1. дырки.
2. одновременно электроны и положительные ионы.
3. положительные ионы.
4. электроны.
9.
Направленное движение носителей заряда в объёме полупроводника под действием электрического поля называется:
На рисунке процессы генерации носителей тока изображены стрелками…
(где уровни энергии Ес свободной зоны, Ed доноров, Ea акцепторов, Ev валентной зоны)
1. 1, 2.
2. 1, 2, 3.
3. 4, 5.
4. 6, 4.
13.
На рисунке процессы рекомбинации носителей тока изображены стрелками…
(где уровни энергии Ес свободной зоны, Ed доноров, Ea акцепторов, Ev валентной зоны)
1. 1, 2.
2. 1, 2, 3.
3. 4, 5.
4. 4, 5, 6.
11.1.Б. p - n переход (базовые вопросы)
1.
При прямом включении p-n–перехода к нему должна быть приложена следующая полярность:
1. к дырочному полупроводнику - положительный потенциал, к электронному - отрицательный. При этом высота потенциального барьера для основных носителей возрастает.
2. к дырочному полупроводнику - положительный потенциал, к электронному - отрицательный. При этом высота потенциального барьера для основных носителей уменьшается.
3. к дырочному полупроводнику - отрицательный потенциал, к электронному - положительный. При этом высота потенциального барьера для основных носителей возрастает.
4. к дырочному полупроводнику - отрицательный потенциал, к электронному - положительный. При этом высота потенциального барьера для основных носителей уменьшается.
2.
Прямое напряжение на p-n–переходе…
1. ограничено только э.д.с. внешнего источника тока.
2. всегда постоянно.
3. всегда на много больше обратного напряжения.
4.ограничено контактной разностью потенциалов p-n – перехода.
3.
Для выпрямительного диода в рабочем режиме между прямым током () и обратным () имеется соотношение:
1. .
2. .
3. .
4. .
4.
В электронно-дырочном переходе при совпадении направления внешнего электрического поля и диффузионного электрического поля контактная разность потенциалов...
1. уменьшается, ток через преходный слой увеличивается.
2. увеличивается, ток через преходный слой увеличивается.
3. уменьшается, ток через преходный слой уменьшается.
4. увеличивается, ток через преходный слой уменьшается.
5.
Величина потенциального барьера при прямом включении электронно-дырочного перехода определяется:
(где - контактная разность потенциалов, - прямое напряжение, - обратное напряжение)
1. .
2. .
3. .
4. .
6.
Величина потенциального барьера при обратном включении электронно-дырочного перехода определяется:
(где - контактная разность потенциалов, - прямое напряжение, - обратное напряжение)
1. .
2. .
3. .
4. .
11.2.Б. Контактные явления в полупроводниках (базовые вопросы)
1.
Переходный слой с существующим в нём диффузионным электрическим полем между двумя различными по химическому составу полупроводниками называется
1. при протекании тока через цепь, составленную из разнородных металлов или полупроводников в одних спаях происходит выделение, а в других – поглощение теплоты.
2. под действием света электроны могут переходить из валентной зоны на уровни примеси.
3. при образовании замкнутой цепи из двух спаев и их неодинаковой температуре в цепи течёт электрический ток.
4. под действием света электроны могут переходить с примесных уровней в зону проводимости.
3.
Эффект Пельтье заключается в том, что....
1. при протекании тока через цепь, составленную из разнородных металлов или полупроводников, в одних спаях происходит выделение, а в других – поглощение теплоты.
2. при образовании замкнутой цепи из двух спаев и их неодинаковой температуре, в цепи течёт электрический ток.
3. под действием света электроны могут переходить из валентной зоны на уровни примеси.
4. под действием света электроны могут переходить с примесных уровней в зону проводимости.
11.2.Д. Контактные явления в полупроводниках (дополнительные вопросы)
1.
Образование замкнутой цепи из двух спаев и их неодинаковая температура приводят…
1. к образованию избытка электронов вблизи холодного конца и недостатка их вблизи горячего конца.
2. к образованию избытка электронов вблизи горячего конца и недостатка их вблизи холодного конца.
3. к одинаковой концентрации электронов вблизи холодного и горячего конца.
4. к уменьшению концентрации электронов.
2.
При образовании замкнутой цепи из двух спаев и их неодинаковой температуре в цепи течёт электрический ток. Термоэлектродвижущая сила обусловлена:
1. только зависимостью уровня Ферми от температуры.
2. только диффузией электронов (или дырок).
3. только увлечением электронов фононами.
4. зависимостью уровня Ферми от температуры, диффузией электронов (или дырок) и увлечением электронов фононами.
12.Б. Протонно-нейтронная модель ядра атома (базовые вопросы)
1.
Атомное ядро состоит из…..
1. протонов и нейтронов.
2. протонов и электронов.
3. нейтронов и электронов.
4. нейтронов и позитронов;
2.
Вещества, имеющие одинаковый атомный номер, но разные массовые числа, называются…
Ядро атома имеет положительный заряд + Ze. Буквы Z и е обозначают…
1. Z – число протонов в ядре; е – заряд протона.
2. Z – число заряженных частиц в атоме; е – заряд каждой частицы.
3. Z – число нуклонов, е – заряд.
4. Z – число электронов в ядре, е – заряд электрона.
4.
Зарядовое число атомного ядра – это…
1. число нуклонов в ядре.
2. число протонов, входящих в состав ядра.
3. число нейтронов в ядре.
4. суммарное число протонов и нейтронов в ядре.
5.
Число нейтронов (N) в ядре можно выразить через зарядовое (Z) и массовое (A) число:
1. N = A + Z.
2. N = A – Z.
3. N = A · Z.
4. N = A (1 – Z).
6.
Массовое число атомного ядра – это…
1. число нейтронов в ядре.
2. число протонов, входящих в состав ядра.
3. порядковый номер химического элемента в периодической системе химических элементов Д.И. Менделеева.
4. суммарное число протонов и нейтронов в ядре.
7.
В центре атома находится положительно заряженное ядро, диаметр которого не превышает…
1.10–4–10–5 м.
2. 10–14–10–15 м.
3. 10–6–10–7 м.
4. 10–11–10–12 м.
8.
К нуклонам относятся:
1. протоны и электроны.
2. нейтроны и электроны.
3. альфа- и бэта-частицы.
4. протоны и нейтроны.
9.
Изотопы данного элемента отличаются друг от друга…
1. числом нейтронов в ядре.
2. числом протонов в ядре.
3. числом электронов.
4. только периодом полураспада.
10
Условное обозначение атомного ядра имеет вид: , здесь Х – символ химического элемента; А – массовое число; Z – зарядовое число. Ядра с одинаковыми Z, но разными А называются …
Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Историки об Елизавете Петровне: Елизавета попала между двумя встречными культурными течениями, воспитывалась среди новых европейских веяний и преданий...
2021-06-24
129
- температура Ферми, 
- энергия Ферми)
, 
.
2. 
, 
.
4. 
.
- температура Дебая.)
.
2. 
.
3. 
.
4. 
.
- универсальная газовая постоянная)
и значительно больше молярной теплоемкости диэлектриков.
2. 
и значительно больше молярной теплоемкости диэлектриков.
На рисунке процессы генерации носителей тока изображены стрелками…
(где уровни энергии Ес свободной зоны, Ed доноров, Ea акцепторов, Ev валентной зоны)
На рисунке процессы рекомбинации носителей тока изображены стрелками…
(где уровни энергии Ес свободной зоны, Ed доноров, Ea акцепторов, Ev валентной зоны)
) и обратным (
) имеется соотношение:
.
2. 
.
3. 
.
4. 
.
- контактная разность потенциалов, 
- прямое напряжение, 
- обратное напряжение)
.
3. 
.
4. 
.
, здесь Х – символ химического элемента; А – массовое число; Z – зарядовое число. Ядра с одинаковыми Z, но разными А называются …
?
?
?
?
