Напряжение на базах транзисторов VT1, VT2

 

U _Б1 = U _Б2 = - R₁* I _Б1 (8.2)

 

R1=4 Ом

Выбираем резистор R₁ по ряду Е24

I_Б3 = I_{K3 max}/h_21E = 0.075/20=3.8 mA (8.3)

 

РАСЧЕТ ОСТАВШИХСЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ СХЕМЫ

 

Сопротивления резисторов R₂, и R₃:

R ₂ = U _{БЭ 3} / (I _К1 - I _Б3) R ₂ = 3 / (4 -3.8) = 15 O м (8.4)

Выбираем резистор R₂ по ряду Е24

 

R ₃ = (U _Б1 - U _{БЭ 1} - U_{S 2}) / (I _К1 + I _К2). (8.5)

R ₃ = (2 - 0.7 +20) / (0.1 + 0.1) = 100 Ом.

Выбираем резистор R ₃ по ряду Е24

,

 

где k-коэффициент усиления предпоследней ступени.

 

=10 Ом (8.6)

Вибираем резистор R ₅ =50Ом по ряду Е24

 

Вибираем резистор R ₄ по ряду Е24

 

Определение емкости конденсаторов

 

, отсюда

 

Используя формулу ,

 

где  и  находим

 (9.1)

 

 

Выбираем конденсаторы по ряду Е24, типа К10-47 А с номинальным напряжением 100В.

 

, где  отсюда

 (9.2)

 

=2.8 мкФ

Выбираем конденсаторы по ряду Е24, типа К50-16 с номинальным напряжением 50В.

ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ ТИПА ПП2

 

 

	ПРИМЕЧАНИЯ 1.Использовать для платы стеклотекстолит СФ-1-35. 2.Плату изготовить химическим способом. 3.Шаг координатной сетки 2,54 мм. 4.Плата должна соответствовать.ГОСТ 23752-79. 5.Плату покрыть лаком НМЦ.

 

 

 ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ ТИПА ПП2

 

 

	ПРИМЕЧАНИЯ 1.Использовать для платы стеклотекстолит СФ-1-35. 2.Плату изготовить химическим способом. 3.Шаг координатной сетки 2,54 мм. 4.Плата должна соответствовать.ГОСТ 23752-79. 5.Плату покрыть лаком НМЦ.

 

ПЕРЕЧЕНЬ ЭЛЕМЕНТОВ

 

Обозначение	Наименование		Кол	Примеч.
	Резисторы
R1			1
R2			1
R3			1
R4			1
R5			1
R6	СП5-35А		1
R7			1
R8			1
R9			1
R10
R11
R12
R13
	КОНДЕНСАТОРЫ
С1	К10-47 А		1
С2	К50-16		1
С3	К10-47 А		1
	ТРАНЗИСТОРЫ
VT1	КТ3102Д	1		n-p-n
VT2	КТ3102Д	1		n-p-n
VT3	КТ911В	1		n-p-n
VT4	КТ3102Д	1		n-p-n
VT5	КТ807А	1		n-p-n
VT6	КТ216А	1		p-n-p
VT7	КТ817Б	1		n-p-n
VT8	КТ817Б	1		n-p-n

 

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

 

1. Скаржепа В.А.,Луценко А.Н. Электроника и микросхемотехника. ч.1.Электронные устройства информационной автоматики: Учебник/ Под общ. ред. А.А. щаКраснопрошиной.-К.: Ви шк., 1989.-431 с.

2. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника.Учеб. пособие для вузов. -М.: Высш.шк., 1991.-622 с.

3. Алексенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника.-М.: Радио исвязь, 1990.-496с.

4. Забродин Ю.С. Промышленная электроника. Учебник для вузов.-М.: Высш.шк.,1982.-496 с.

5. Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника / Под ред. В.А. Лабунцова.-М.: Энергоатомиздат, 1988.-320 с.

6. Руденко В.С., Сенько В.И., Трифонюк В.В. Основы промышленной электроники.- К.: Вища шк., 1985.-400 с.

7. Прянишников В.А. Электроника: Курс лекций.- СПб.6 КОРОНА принт, 1998.- 400 с.

 

    Справочники

 

1. Терещук Р.М., Терещук К.М., Седов С.А. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства. Справочник радиолюбителя.-К.: Наукова думка, 1988.

2. Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры: Справочник/ Г.С.Найвельт, К.Б.Мазель, Ч.И.Хусаинов и др., Под ред.Г.С.Найвельта.-М.: Радио и связь, 1985.- 576 c.

3. Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. Справочное руководство.- М.: 1983.

4. Пухальский Г.И., Новосельцева Т.Я. Проектирование дискретных устройств на интегральных микросхемах: Справочник.- М.: Радио и связь, 1990,-304 с.

5. Воробьев Н.И. Проектирование электронных устройств: Учеб. Пособие.- М.: Высш. шк. 1989, -223 с.

6. Александров К.К., Кузьмина Е.Т. Электротехнические чертежи и схемы.-

М.:Энергоатомиздат, 1990.- 288 с.

7. Партала О.Н. Радиокомпоненты и материалы: Справочник.-К.: Радіоаматор, М.: КубК-а, 1998, -720 с.

8. Бирюков С.А. Применение интегральных микросхем серии ТТЛ.-М.: «Патриот», МП «Символ-Р», Радио,1992.-120 с.

9. Бирюков С.А. Цифровые устройства на МОП-интегральных микросхемах.- М.: Радио и связь, 1996.-196 с.