История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
Топ:
История развития методов оптимизации: теорема Куна-Таккера, метод Лагранжа, роль выпуклости в оптимизации...
Особенности труда и отдыха в условиях низких температур: К работам при низких температурах на открытом воздухе и в не отапливаемых помещениях допускаются лица не моложе 18 лет, прошедшие...
Интересное:
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Дисциплины:
2018-01-05 | 239 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
2 Обоснуйте диаграмма напряжений и при передаче большого перепада запирающей полярности.
Дополнительная литература
1. Ногин В.Н. Аналоговые электронные устройства. - М.: Радио и связь". I992. С.105-115.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЫ ЧАСТЬ
Цель работы: проверка основных положений теории эмиттерного и истокового повторителей.
Краткое описание схемы лабораторного макета
Макет состоит из двух частей - эмиттерного и истокового повторителей. Эмиттерный повторитель выполнен на транзисторе типа МП40. Ток покоя транзистора выбран около 3 мА. По постоянному току он включен по схеме эмиттерной стабилизации. Резистор R3 включен для имитации внутреннего сопротивления эквивалентного генератора входного сигнала транзистора. При подключении генератора сигналов к гнездам 1-2 напряжение на базу подается через резистор R3. Переключатель SA1 позволяет подключить резистор внешней нагрузки R5(тогда общее сопротивление нагрузки транзистора по переменному току = 300 Ом) либо конденсаторы С4 и С5, имитирующие емкости нагрузки. Повторитель в области нижних частот не исследуется, поэтому можно считать, что разделительные конденсаторы C1-C3 для переменного тока представляют практически короткое замыкание.
Истоковый повторитель собран на кремниевом полевом транзисторе КП103М с n-р переходом и каналом типа р. Ток покоя выбран около 2 мА. Для переключения RГ применен выключатель S1. При замыкании тумблера S2 сопротивление нагрузки транзистора переменному току уменьшается до 2,5 кОм.
Рис.13. Схема лабораторного макета
1. Исследование эмиттерного повторителя
1. Снятие АЧХ в области верхних частот при резистивно-емкостной нагрузке
|
1. Подключить к гнездам 1-3 эмиттерного повторителя выход высокочастотного генератора сигналов Г4-102, а к гнёздам 4 – 6 вольтметр ВЗ-41, включенный на предел измерения 30 мВ
2. Включить источник питания макета и измерительные приборы.
3. Переключателем SA1 включить емкость нагрузки Cн = 820 пФ
4. Установить частоту генератора Г4-102А 0,1 МГц, а его выходное напряжение по вольтметру В3-41 равным 10 мВ (по 30- мВ-й шкале). Перекинув входной штеккер вольтметра с гнезда 6 на гнездо 5, замерить выходное напряжение, сразу же вычислить коэффициент передачи повторителя К и занести в табл.1 по прилагаемой форме. Затем вольтметр снова подключить к гнезду 6.
5. Повторить измерения на остальных частотах (табл.1).
Сн = 820 пФ
Таблица 1
f, МГц | 0,1 | 0,3 | 0,7 | 1,5 | 2,5 | ||||
K |
3. Включить емкость нагрузки Сн = 0,05 мкФ и аналогично предыдущему заполнить таблицу по форме 2.
Сн = 0,05 мкФ
Таблица 2
f, МГц | 0,1 | 0,15 | 0,2 | 0,25 | 0,3 | 0,4 |
K |
7. Включить Сн= 0 и заполнить табл. по форме 3
Сн= 0
Таблица 3
f, МГц | 0,1 | 0,5 | ||||
K |
8. Построить на одном и том же рисунке в полулогарифмическом масштабе все три частотные характеристики K(f).
|
|
Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!