Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
Топ:
Генеалогическое древо Султанов Османской империи: Османские правители, вначале, будучи еще бейлербеями Анатолии, женились на дочерях византийских императоров...
Эволюция кровеносной системы позвоночных животных: Биологическая эволюция – необратимый процесс исторического развития живой природы...
Оценка эффективности инструментов коммуникационной политики: Внешние коммуникации - обмен информацией между организацией и её внешней средой...
Интересное:
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Берегоукрепление оползневых склонов: На прибрежных склонах основной причиной развития оползневых процессов является подмыв водами рек естественных склонов...
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Дисциплины:
2017-12-13 | 499 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
1. Задание: Исследовать параметры полупроводниковых диодов
Порядок выполнения работы:
1.1. Запустите программу EWB 5.12.
1.2. Соберите схему для исследования параметров полупроводниковых диодов:
1.2.1. Из библиотеки компонентов источников питания Sources на поле поместите источник заданного напряжения и заземление – .
1.2.2. Из библиотеки пассивных элементов Basic на поле поместите резистор , подстроечный резистор и ключ .
1.2.3. Из библиотеки индикаторных устройств Indicators поместите амперметры и вольтметры .
1.2.4. Из библиотеки Diodes на поле поместить диод .
1.2.5. Соедините все компоненты по схеме. Установите необходимые параметры компонентов:
1.3. Снимите вольтамперные характеристики диода, меняя значение подстроечного резистора от 0% до 100% через интервал 20% Увеличение можно производить нажатием клавиши «R», уменьшение – «Shift+R». Шаг увеличения/уменьшения можно задать.
1.3.1. Исследуйте прямую ветвь диода. Для переключения ключа используйте клавишу Space (Пробел).
1.3.2. Исследуйте обратную ветвь диода.
1.3.3. Полученные данные занесите в таблицу (точность измерения – два знака после запятой):
Прямая ветвь | Обратная ветвь | ||
I, мА | U, мВ | I, мкА | U, В |
1.4. Постройте график вольтамперной характеристики.
1.5. Измените температуру работы диода (для этого щелкните два раза на диоде и в появившемся окне «Diode Properties» выберите закладку «Analysis Setup» установите температуру равную 60° С) и повторите пункты 1.3. и 1.4.
2. Задание: Исследовать параметры стабилитрона {модуль 1 глава 1.4}.
2.1. Соберите схему для исследования параметров стабилитрона.
Схема аналогична схеме для исследования параметров полупроводникового диода. Из библиотеки Diodes на рабочее поле поместите стабилитрон:
|
2.2. Снимите вольтамперные характеристики стабилитрона, меняя значение подстроечного резистора от 0% до 100% через интервал 20%:
2.2.1. Исследуйте прямую ветвь стабилитрона. Для переключения ключа используйте клавишу Space (Пробел).
2.2.2. Исследуйте обратную ветвь стабилитрона.
2.2.3. Полученные данные занесите в таблицу (точность измерения – два знака после запятой):
Прямая ветвь | Обратная ветвь | ||
I, мА | U, мВ | I, мА | U, В |
2.3. Постройте график вольтамперной характеристики стабилитрона.
2.4. Измените температуру работы стабилитрона и повторите пункты 2.2. и 2.3.
3. Задание: Исследовать параметры транзистора {модуль 1 глава 1.5}.
3.1. Из библиотеки транзисторов Transistors поместите на поле p-n-p транзистор . Соберите схему для исследования параметров транзистора:
3.2. Снимите семейство входных и выходных характеристик биполярного транзистора, меняя значение подстроечного резистора от 0% до 100% через интервал 20%. Полученные данные занесите в таблицу (точность измерения два знака после запятой):
Uкб=12 В (R2=100%) | Uкб=7,2 В (R2=60%) | Uкб=2,4 В (R2=20%) | Uкб=0 В (R2=0%) | ||
Iэ=19,69 мА (R1=100%) | |||||
Iэ=9,35 мА (R1=80%) | |||||
Iэ=3,24 мА (R1=40%) | |||||
Iэ=0 мА (R1=0%) | |||||
Iк, мА | Iк, мА | Iк, мА | Iк, мА | Uэб, мВ |
3.3. Построить графики входных и выходных характеристик транзистора:
IЭ=f(UЭБ) при UКБ=const
IК=f(UКБ) при IЭ=const
3.4. По характеристикам транзистора определить его параметры h11б и h21б при Uкб=0 В и Iэ = 3,24 мА.
3.5. Изменить температуру работы транзистора и повторите пункты 3.2. – 3.4.
4. Содержание отчета.
4.1. Таблицы результатов измерений п. 1.3. (для разных температур работы диода).
4.2. График ВАХ диода п. 1.4. (для разных температур работы диода).
4.3. Таблицы результатов измерений п. 2.2. (для разных температур работы стабилитрона);
|
4.4. График ВАХ стабилитрона п. 2.3. (для разных температур работы стабилитрона).
4.5. Таблицы результатов измерений п. 3.2. для разных температур работы транзистора.
4.6. Графики п. 3.3. для разных температур работы транзистора.
4.7. Решение задания п. 3.4.
|
|
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!