Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...

Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...

Основные параметры тиристоров, ориентировочные значения

2017-11-21 266
Основные параметры тиристоров, ориентировочные значения 0.00 из 5.00 0 оценок
Заказать работу

Вверх
Содержание
Поиск

Характеризующие параметры

1. Напряжение в открытом состоянии постоянное (импульсное) при максимально допустимом прямом токе – (1...3 В).

2. Неотпирающее напряжение управления наибольшее напряжение, не вызывающее отпирания тиристора (типично 0,5 В).

3. Отпирающее напряжение управления необходимое для того, чтобы протекал отпирающий ток (типично 3–3,5 В; при Т = Тмин до 9 В).

4. Отпирающий ток – наименьший ток управления, необходимый для включения (для силовых типично 0,15–0,2 А; при Т = Тмин до 0,4 А).

5. Время включения – интервал времени после подачи управляющего импульса, в течение которого тиристор переключается из закрытого состояния в открытое (обычно фиксируется в момент, когда анодное напряжение понижается до 10% начального значения (единицы – десятки микросекунд).

6. Время выключения – минимальное время, в течение которого к тиристору должно прикладываться запирающее напряжение, чтобы при новом приложении положительного анодного напряжения он не включился (единицы – десятки микросекунд).

7. Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (20–1000 В/мкс).

8. Ток удержания (десятки – сотни миллиампер).

Предельные параметры

9. Напряжение в закрытом состоянии.

10. Максимально допустимый ток в открытом состоянии (средний, импульсный, действующий).

11. Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии (десятки – сотни А/мкс).

12. Рассеиваемая мощность Р (единицы — десятки ватт).

13. Температура перехода.


Глава 6. система обозначений полупроводниковых приборов

Отечественная система

Современная система обозначений отечественных ППП установлена ОСТ 11.336.919 81 «Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений». В основу системы обозначения положен буквенно-цифровой код, которая состоит из 5 элементов.

Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан прибор. Для приборов общегражданского применения используются буквы, являющиеся начальными буквами в названии материала. Для приборов специального применения (более жесткие требования, например, выше допустимая температура) вместо букв используются цифры от 1 до 4. Обозначения для первого элемента: германий – Г или 1; кремний – К или 2; соединения галлия (например, арсенид галлия) – А или 3; соединения индия (например, фосфид индия) – И или 4.

Второй элемент – буква, обозначает подкласс ППП. Обычно буква выбирается как первая буква названия прибора:

Диоды выпрямительные, универсальные, импульсные – Д

Стабилитроны – С

СВЧ-диоды – А

Варикапы – В

Излучающие диоды – Л

Оптопары – О

Динисторы – Н

Тиристоры – У

Транзисторы биполярные – Т

Транзисторы полевые – П

Третий элемент – цифра, в обозначении полупроводниковых приборов, определяет основные функциональные возможности прибора. По ней можно определить, например, рассеиваемую мощность, или предельную частоту, или максимальный ток – у различных подклассов приборов смысл этого символа различается.

Выпрямительные, универсальные, импульсные и ряд других диодов:

1 – выпрямительные диоды с прямым током менее 0,3 А;

2 – выпрямительные диоды с прямым током от 0,3 А до 10 А;

3 – прочие диоды (магнитодиоды, термодиоды и др.);

4 – импульсные диоды с временем восстановления более 500 нс;

5 – импульсные диоды с временем восстановления 150…500 нс;

6 – импульсные диоды с временем восстановления 30…150 нс;

7 – импульсные диоды с временем восстановления 5…30 нс;

8 – импульсные диоды с временем восстановления 1…5 нс;

9 – импульсные диоды с временем восстановления менее 1 нс

Стабилитроны:

  Uст Uст ≤ 10 В 10 В < Uст ≤ 100 В Uст > 100 В
Pрасс  
Pрасс ≤ 0,3 Bт      
0,3 Вт < Pрасс ≤ 5 Bт      
Pрасс > 5 Bт      

Транзисторы:

  fгр fгр ≤ 3 МГц 3 МГц < fгр ≤ 30 МГц fгр > 30 МГц
Pрасс  
Pрасс ≤ 0,3 Bт      
0,3 Вт < Pрасс ≤ 1,5 Bт      
Pрасс > 1,5 Bт      

Четвертый элемент – две либо три цифры, означает порядковый номер технологической разработки и изменяется от 01 до 999.

Пятый элемент – буква, в буквенно-цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами или сложных.

Примеры обозначения ППП:

2Д204В – кремниевый выпрямительный диод с постоянным и средним значением тока 0,3…10 А, номер разработки 04, группа В.

КС620А – кремниевый стабилитрон мощностью 0,5…5 Вт, с номинальным напряжением стабилизации более 100 В, напряжение стабилизации 120 В, группа А (подробнее об обозначении Uст).

КТ937А – кремниевый БТ, большой мощности, высокочастотный (с граничной частотой более 30 МГц), номер разработки 37, группа А.


Поделиться с друзьями:

Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...

Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...

Археология об основании Рима: Новые раскопки проясняют и такой острый дискуссионный вопрос, как дата самого возникновения Рима...

Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначен­ные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...



© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!

0.012 с.