Геометрические и электрические параметры полупроводниковых приборов и интегральных микросхем — КиберПедия 

Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...

Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...

Геометрические и электрические параметры полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

2017-11-16 263
Геометрические и электрические параметры полупроводниковых приборов и интегральных микросхем 0.00 из 5.00 0 оценок
Заказать работу

П 4.1. Полупроводниковые диоды

Применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов установлены ГОСТ 25529-82 «Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров».

В табл. П4.1 приведены сведения об области применения и основных параметрах некоторых полупроводниковых диодов:

· U пр –постоянное значение прямого напряжения при заданном прямом токе полупроводникового диода;

· U обр (U имп) – максимально допустимое постоянное (U об) или импульсное (U имп) обратное напряжение на диоде;

· I пр (I имп) – максимально допустимый постоянный (I пр) или импульсный (I имп) прямой ток через диод;

· I обр.макс – обратный ток диода при предельном обратном напряжении;

· F макс – максимальная рабочая частота диода;

· T макс – максимальная температура окружающей среды.

Наименование прибора

ГД107, ГД113, 2Д235, ГД401, КД407, 2Д420, КД503, ГД507, ГД508, КД923, 2В110, 2В117, 2В119, КВ136, 2С108А-Р, 2С133АДГ, КС133А, 2С139А, КС139А, 2С147АДГ, КС147А, 2С156А,В,Г, КС156А, 2С168А, КС168А, КС415А, 2С117, 2С123

Вид корпусов приборов приведен на рис. П4.1

Корпус

Наименование прибора

2Д102,КД103, КД104

Корпус

Наименование прибора

2Д108, 2Д207, КД411, 2Д416, 2В105, 2С401А, 2С401БС, 2С408, 2С501АС, 2С501Б, 2С501БС

Корпус

 

Рис. П4.1. Вид корпусов приборов

 

 

Таблица П4.1-Полупроводниковые диоды  
Наименование прибора Область применения U пр, В U обр (U имп),В I пр, А I обр. макс, мА F макс, кГц (МГц)
  КД 102А   Выпрямительный диод для работы в приемной и усилительной аппаратуре     0,1 0,1  
КД 103А Выпрямительный диод для работы в приемной и усилительной аппаратуре     0,1 0,5  
КД 202А Выпрямление переменного тока с частотой до 5 кГц          
КД 209Г Выпрямительный диод     0,2    
КД 212А Выпрямление переменного тока повышенной частоты          
КД 213А Выпрямление переменного тока повышенной частоты          
КД 226Д Работа в приемной, усилительной и другой аппаратуре на частотах питающего напряжения до 50 кГц          
КД 2997А Выпрямление переменного тока на частотах до 100 кГц          
Продолжение таблицы П4.1
КД 2998А Выпрямительный диод с барьером Шоттки для выпрямления переменного тока на частотах 10-200 кГц 0,6        
КД 2999А Выпрямление переменного тока на частотах до 100кГц          
КД 407А Для работы в схемах ВЧ детекторов и коммутационных схемах -   0,05 0,0005 tи ≤10, мкс
КД 411А Импульсный диод для телевизионной аппаратуры       0,1 tи ≤20, мкс
КД 503А Переключающее устройство наносекундного диапазона     0,02 0,04 tи ≤10, мкс
КД 509А Импульсное устройство 1,1   0,1 0,05 tи ≤10, мкс
КД 510А Импульсное устройство 1,1   0,1 0,05 (200)
КД 518А Импульсное устройство     0,1 0,05 (50)
КД 522А Импульсное устройство 1,1   0,1 0,005 (100)
2Д528 Диоды с накоплением заряда для формирования импульсов пикосекундного диапазона в измерительной аппаратуре     0,015 - (3000)

 

П4.2 Стабилитроны

Применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров стабилитронов установлены ГОСТом 25529-82 «Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров».

В табл. П4.2 приведены сведения об области применения и основных параметрах некоторых полупроводниковых стабилитронов:

· U cт.ном. - номинальное напряжение стабилизации стабилитрона (значение напряжения стабилитрона при протекании тока стабилизации);

· Ic т.ном. – номинальный ток стабилизации стабилитрона(значение постоянного тока, протекающего через стабилитрон в режиме стабилизации);

· P макс. – Максимально допустимая мощность, рассеиваемая на стабилитроне;

· U cт.макс (U cт.мин ) – максимальное (минимальное) напряжение стабилизации стабилитрона;

· R cт – дифференциальное сопротивление стабилитрона (дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона);

· αcт – температурный коэффициент стабилизации стабилитрона. (Отношение относительного изменения тока стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающей среды при неизменном токе стабилизации);

· I cт.макс (I cт.мин )максимальный(минимальный) ток стабилизации стабилитрона.


Таблица П4.2-Параметры стабилитронов
Тип прибора Назначение U ст, В т.мин, В U cт.макс,, В R ст, Ом α×10-2, %/°С I ст.мин,, мА I cт.макс, мА P макс, мВт
Д808 Стабилизация напряжения     8,5          
Д809 Стабилизация напряжения     9,5          
Д810 Стабилизация напряжения     10,5          
Д811 Стабилизация напряжения         9,5      
Д813 Стабилизация напряжения   11,5     9,5      
2С102А Источник опорного напряжения   5,1 4,84 5,36   ±1      
КС107А Стабистор и для целей термокомпен-сации 0,7 0,63 0,77   -34      
КС133А Стабилизация напряжения 3,3 2,97 3,63   -11      
КС156А Стабилизация напряжения 5,6 5,04 6,16   ±5      
КС170А Стабилизатор, двусторонний ограничитель   6,43 7,59   ±1      
2С211Е Импульсный стабилитрон для стабилизации импульсного напряжения   10,5 11,6   9,5      
КС215Ж Стабилизация в области малых токов (от 0,5мА) и стабилизация импульсных напряжений   13,5 16,5     0,5 8,3  
2С291А Стабилизация напряжения           0,5 2,7  
                     

П4.3. Тиристоры

 

Применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквен­ные обозначения параметров тиристоров установлены ГОСТом 20332-84 «Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров».

В табл. П4.3 приведены сведения об основных параметрах некоторых импульсных тиристоров:

U о.с - постоянное напряжение в открытом состоянии (падение напряжения на тиристоре в открытом состоянии);

u .и.ос - импульсное напряжение в открытом состоянии (наибольшее мгновенное значение напряжения в открытом состоянии, обусловленное импульсным током в открытом состоянии заданного значения);

I от.у - отпирающий постоянный ток управления (наименьший постоянный
ток управления тиристора, необходимый для включения тиристора);

U от.у - отпирающее постоянное напряжение управления (постоянное напряжение управления тиристора, соответствующее отпирающему постоянному току управления тиристора);

t вкл - время включения (интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим током);

t выкл - время выключения (наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора после внешнего переключения основных цепей понизится до нуля, и моментом, в который определенное основное напряжение проходит через нулевое значение без переключения тиристора);

I .изс - повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии (импульсный ток в закрытом состоянии, обусловленный повторяющимся импульсным напряжением в закрытом состоянии);

I .и. об - повторяющийся обратный импульсный ток (обратный ток, обусловленный повторяющимся импульсным обратным напряжением);

I з. с - постоянный ток в закрытом состоянии (ток в закрытом состоянии при определенном прямом напряжении);

I обр. - постоянный обратный анодный ток;

I макс. ср.ос- максимальный средний ток в открытом состоянии (максимальное среднее за период значение тока в открытом состоянии тиристора);

I. макс.о.с. - максимальный постоянный ток в открытом состоянии;

u п.з.с - повторяющееся импульсное напряжение взакрытом состоянии

(наибольшее мгновенное значение напряжения в закрытом состоянии,
прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения);

u п.обр -повторяющееся постоянное обратное напряжение (наибольшее
мгновенное значение обратного напряжения, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения);

dU с.з/ dU кр- критическая скорость нарастания напряжения в закрытом стоянии (наибольшее значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое).

Виды корпусов приборов представлены на рис. П4.2

Наименование прибора КУ103

а) Корпус

б) Наименование прибора КУ112А

 

Корпус

Рис.П4.2. Вид корпусов прибора

Таблица П4.3- Основные параметры некоторых импульсных тиристоров

Тип прибора U ос.и. (U ос),В I у..от, мА U у.от, В t вкл, мкс t выкл, мкс I зс.и, I об.и (I зс.и, I обр), мА I с.ср. макс (I ос. макс),А U зс.п (U обр.п), В dU зс dU кр, В/мкс
2У103В - -   0,15 - - -   -
2У101А 2,25   (8)     0,5 0,075    
2У104А       0,29 (2,5) 0,5 0,1    
2У107А 1,5 (0,02) (0,55) -   - 0,1    
КУ112А 2,4 (0,2) (0,8) 1,2   (0,01) 0,32    
2У201А     -   (100)        
2У205А       (0,5) (45) (5)   (400) -
2У229А (50) - - 0,15   2,5 2,5    
2У703В     - -          

Поделиться с друзьями:

Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...

Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...

Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьше­ния длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...

Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...



© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!

0.02 с.