Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
Топ:
Когда производится ограждение поезда, остановившегося на перегоне: Во всех случаях немедленно должно быть ограждено место препятствия для движения поездов на смежном пути двухпутного...
Отражение на счетах бухгалтерского учета процесса приобретения: Процесс заготовления представляет систему экономических событий, включающих приобретение организацией у поставщиков сырья...
Проблема типологии научных революций: Глобальные научные революции и типы научной рациональности...
Интересное:
Влияние предпринимательской среды на эффективное функционирование предприятия: Предпринимательская среда – это совокупность внешних и внутренних факторов, оказывающих влияние на функционирование фирмы...
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Лечение прогрессирующих форм рака: Одним из наиболее важных достижений экспериментальной химиотерапии опухолей, начатой в 60-х и реализованной в 70-х годах, является...
Дисциплины:
2017-11-16 | 217 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Основными для МДП -транзисторов являются стоковая характеристика Ic=f(Uc) при Uз = const и стоко-затворная характеристика Ic= f(Uc) при Uc = const
Функциональные параметры МДП-транзисторов: рабочие напряжения затвора Uз и стока, Uc; рабочий ток стока, Ic; крутизна, S; дифференциальное сопротивление канала (сопротивление канала на крутом участке ВАХ), Rк; пороговое напряжение, U0; время переключения, tпер.
Рабочие напряжения для МДП-транзистора при известной критической напряженности электрического поля ограничивают верхний предел легирования подложки и допустимую толщину подзатворного диэлектрика.
Рабочий ток стока определяется параметрами материалов и выбранными размерами и должен удовлетворять эксплуатационным требованиям. (либо по остаточному напряжению на открытом транзисторе U0, или по мощности рассеяния).
Крутизна ВАХ транзистора S характеризует усилительные свойства S = dIc/dUз.
Сопротивление канала открытого транзистора Rк определяется как дифференциальный параметр Rк = 1/(dIc/dUc) в области Uс < Ucнас при Uз = const
Быстродействие МДП-транзистора определяется временем пролета носителей заряда в канале Тпк и временем заряда/разряда паразитных емкостей транзистора. Сумма Тпк + Tk= tпер
12. Назовите характерные отличия конструкций и функциональных параметров диодов с барьером Шоттки интегральных микросхем в сравнении с диодами на основе p-n-перехода?
Диод Шоттки— полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода, как у обычных диодов).
Отличительная особенность диодов Шоттки - это то, что он выполнен в одном слое, в следствии этого происходит уменьшение размеров структуры. Работа диода осуществляется на основных носителях, плотность тока насыщения Ioш в контактах Шоттки на (3—5) порядков превышает аналогичный параметр классических p-n-переходов, поэтому напряжение спрямления переходов Шоттки примерно в два раза ниже, чем у классических переходов, что расширило спектр схемотехнических решений для микроэлектронных устройств.
|
Достоинства:
- В то время, как обычные кремниевые диоды имеют прямое падение напряжения около 0,6—0,7 вольт, применение диодов Шоттки позволяет снизить это значение до 0,2—0,4 вольт.
- Барьер Шоттки также имеет меньшую электрическую ёмкость перехода, что позволяет повысить рабочую частоту.
Недостатки:
- при кратковременном превышении максимального обратного напряжения диод Шоттки необратимо выходит из строя (КЗ — короткое замыкание), в отличие от кремниевых диодов, которые переходят в режим обратного пробоя, и при условии непревышения рассеиваемой на диоде максимальной мощности, после падения напряжения диод полностью восстанавливает свои свойства.
- Напряжение пробоя не контролируется и имеет большой разброс (10-50В);
- Шоттки характеризуются повышенными (относительно обычных кремниевых диодов) обратными токами, возрастающими с ростом температуры кристалла. U обр = 20-50 В, определяется физической природой и расчету не подлежит.
Характеризуется повышенным сопротивлением базы
U спрямления представляет собой часть ВАХ, где прямая линия проводится через точку Iраб, 0.1 Iраб
|
|
Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!