Фототиристоры: конструкция, принцип действия, условные обозначения, ВАХ — КиберПедия 

Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначен­ные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...

Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...

Фототиристоры: конструкция, принцип действия, условные обозначения, ВАХ

2024-02-15 17
Фототиристоры: конструкция, принцип действия, условные обозначения, ВАХ 0.00 из 5.00 0 оценок
Заказать работу

3. Задача.  Определите h –параметры по входной характеристике транзистора ГТ325В соответствующей схеме с общим эмиттером для Uк = 1-20В и Iб =400 мкА.

 

Преподаватель: ________________О.Н. Мальцева

 

 

Государственное автономное профессиональное

образовательное учреждение Тюменской области

«Тюменский колледж транспортных технологий и сервиса»

  РАССМОТРЕНО:       на заседании  предметно-цикловой комиссии Протокол №____       от «___» _________2019 г. ________ И.А.Зорина ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 21 Дисциплина: «Электротехника» Специальность: 23.02.06 Техническая эксплуатация подвижного состава железных дорог   УТВЕРЖДАЮ:          Заместитель директора по учебно-производственной работе __________Н.Ф. Борзенко «___» ___________2019 г.  

Режимы работы полевого транзистора

Полупроводниковые магнисторы: конструкция, принцип действия, условные обозначения

3. Задача Определите h –параметры по выходной характеристике транзистора ГТ325В соответствующей схеме с общим эмиттером для Uк = 15В и Iб =600 мкА.

 

 

 

Преподаватель: ________________О.Н. Мальцева

 

 

Государственное автономное профессиональное

образовательное учреждение Тюменской области

«Тюменский колледж транспортных технологий и сервиса»

  РАССМОТРЕНО:       на заседании  предметно-цикловой комиссии Протокол №____       от «___» _________2019 г. ________ И.А.Зорина ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 22 Дисциплина: «Электроника и микропроцессорная техника» Специальность: 23.02.06 Техническая эксплуатация подвижного состава железных дорог   УТВЕРЖДАЮ:          Заместитель директора по учебно-производственной работе __________Н.Ф. Борзенко «___» ___________2019 г.  

Характеристика свойств полевого транзистора, включенного по схеме с общим истоком

Сглаживающие фильтры с пассивными элементами: емкостные, индуктивные. Принцип действия.

3. Задача. Определите крутизну характеристики полевого транзистора КП103Л, если при изменении напряжения на затворе на 2,5В ток стока изменился на 1,25 мА.

 

Преподаватель: ________________О.Н. Мальцева

 

Государственное автономное профессиональное

образовательное учреждение Тюменской области

«Тюменский колледж транспортных технологий и сервиса»

  РАССМОТРЕНО:       на заседании  предметно-цикловой комиссии Протокол №____       от «___» _________2019 г. ________ И.А.Зорина ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 23 Дисциплина: «Электроника и микропроцессорная техника» Специальность: 23.02.06 Техническая эксплуатация подвижного состава железных дорог   УТВЕРЖДАЮ:          Заместитель директора по учебно-производственной работе __________Н.Ф. Борзенко «___» ___________2019 г.  

Характеристика свойств полевого транзистора,  включенного по схеме с общим стоком

Однозвенные и многозвенные фильтры.

3. Задача. Определите коэффициент усиления усилительного каскада на полевом транзисторе КП105М при сопротивлении канала 6 кОм, если его крутизна характеристики равна 4,5 мА.

 

Преподаватель: ________________О.Н. Мальцева

 

Государственное автономное профессиональное

образовательное учреждение Тюменской области

«Тюменский колледж транспортных технологий и сервиса»

  РАССМОТРЕНО:       на заседании  предметно-цикловой комиссии Протокол №____       от «___» _________2019 г. ________ И.А.Зорина ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 24 Дисциплина: «Электроника и микропроцессорная техника» Специальность: 23.02.06 Техническая эксплуатация подвижного состава железных дорог   УТВЕРЖДАЮ:          Заместитель директора по учебно-производственной работе __________Н.Ф. Борзенко «___» ___________2019 г.  

Характеристика свойств полевого транзистора, включенного по схеме с общим затвором

Активные фильтры

3. Задача. Определите площадь p – n – перехода полупроводникового варикапа, имеющего общую зарядную электроемкость равную 75,6 пФ при ширине перехода 12 мкм, а значение диэлектрической проницаемости p – n – перехода принять равной трем.

 

 

Преподаватель:  ________________О.Н. Мальцева

 

\

 

 

Государственное автономное профессиональное

образовательное учреждение Тюменской области

«Тюменский колледж транспортных технологий и сервиса»

  РАССМОТРЕНО:       на заседании  предметно-цикловой комиссии Протокол №____       от «___» _________2019 г. ________ И.А.Зорина ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 25 Дисциплина: «Электроника и микропроцессорная техника» Специальность: 23.02.06 Техническая эксплуатация подвижного состава железных дорог   УТВЕРЖДАЮ:          Заместитель директора по учебно-производственной работе __________Н.Ф. Борзенко «___» ___________2019 г.  

Поделиться с друзьями:

Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...

История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...

Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...

Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...



© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!

0.011 с.