Некоторых типичных особенностей роста

Бихромат калия К₂Сг₂0₇. Моноклинный. Сложная огранка. Интересен как вещество, которое обнаруживает свою истинную симметрию (отсутствие центра симметрии) благодаря особенностям роста кристаллов: одна из пар противо­положных граней резко отличается по дефектности, а одна из этих граней не растет при небольших пересыщениях. После выдержки раствора выше 50° С кристаллы растут при комнатной температуре более симметричными при отсут­ствии заметных изменений в структуре кристалла.

Бромат натрия NaBr Оз. Кубический. Комбинация двух тетраэдров, куба и ромбододекаэдра. Отмечается зависимость формы от пересыщения и темпе­ратуры. Наблюдается богатая скульптура (центры роста, концентрические слои роста — см. § 1.5) на грани большого тетраэдра, в отличие от скульптуры на грани малого тетраэдра. Видны зональность и секториальность по аномаль­ному двупреломлению. Под микроскопом обнаруживаются также оригиналь­ные включения раствора в виде пространственной решетки, спиралей и нитей. Травление граней тетраэдров выявляет дислокации, идущие от границ пира­мид роста.

Бромид калия КВг. Кубический. Огранка — куб. На подложке при росте в режиме свободной конвекции образует коробчатые (пустотелые) и стержне-образные кристаллы. Известны необычные двойники для кристаллов с такой симметрией в виде сростков пластинчатых кристаллов.

Дигидрофосфат калия КН₂Р0₄. Тетрагональный. Призма и пирамида. Часто образует вытянутые выклинивающиеся кристаллы (см. § 1.7). Характерно на­личие «мертвой области» в скоростях роста грани призмы (§ 1.7). Введение примесей изменяет облик кристаллов до игольчатого, но редко меняет огранку. Удобен для изучения процессов расщепления, которое легко проявляется для граней призмы. На этих же гранях — асимметрично расположенные ступенча­тые бугры роста. Иногда видны спирали роста (§ 1.5).

Йодноватая кислота НЮ₃. Ромбическая. Призма и тетраэдр. На гранях призмы наблюдаются своеобразные холмики роста, вытянутые непараллельно ребрам грани.

Карбонат меди основной (малахит) Cu ₂ (0 H)₂ CO ₃. Моноклинный. Выращи­вание осуществимо по методу встречной диффузии (§ 3.4) по реакции между Na₂C0₃ (или K₂CO₃) и CuS0₄. При этом можно наблюдать образование микро­скопических сферолитов.

Нитрат калия KN 0₃. До 130° С — ромбический (призмы, пинакоид, дипи-рамида), выше этой температуры — тригональный. Установлена зависимость ромбической формы от пересыщения и температуры; при больших пересыще­ниях— субпараллельные сростки. При больших пересыщениях, возникающих быстро, например при добавлении этилового спирта в раствор, возникают ром­боэдры тригональной фазы (согласно правилу ступеней Оствальда). Интересен для изучения секториального захвата включений раствора, которые при увели­чении размера кристалла переходят в открытые воронки на гранях (см. § 1.6), вплоть до образования футлярообразного кристалла.

Нитрат натрия NaNO ₃. Тригональный. Образует одну очень стабильную форму (ромбоэдр), в отличие от изоструктурного с ним кальцита. Интересен

188

для изучения диффузионного влияния на рост (образование толстых слоев на гранях, захват включений раствора, скелетный рост).

Нитрат свинца Pb(N0₃)₂. Кубический. Октаэдр, в подчиненном развитии — куб. Образует непрозрачные, фарфоровидные кристаллы. Добавление азотной кислоты приводит к росту прозрачных кристаллов (§ 1.7). Введение в незначи­тельных количествах примеси метиленового голубого ведет к изменению огранки на кубическую при секториальном захвате примеси красителя гра­нями куба.

Сульфат алюминия водный A1₂(S0₄)₃ • 16Н₂0. Моноклинный. Отмечалось образование крупных сферолитов.

Сульфат калия K₂S0₄. Ромбический. Богатство гранных форм. Вместо не­которых граней — кривые поверхности. Обычно наблюдается двойникование. Морфология двойников очень разнообразна. Зависимость двойникования от условий не изучена.

Сульфат калия-алюминия водный (AI — К квасцы) KA1(S0₄)₂• ^. 12H₂0. Кубический. Комбинация октаэдра, куба и ромбододекаэдра. Легко образует прекрасные кристаллы. Известна зависимость формы от пересыщения. На гра­нях октаэдра — хорошо различимые вицинальные пирамиды, иногда единичные, перекрывающие всю грань. Установлена зависимость вицинального рельефа от пересыщения. С вершинами вицинальных пирамид совпадают ямки травления. При больших пересыщениях — диффузионные площадные включения. На форму кристаллов влияют примеси соляной кислоты, буры и многих красителей.

Сульфат калия кислый — разные соли. По мере испарения растворителя, содержащего воду и серную кислоту, раствор, первоначально насыщенный суль­фатом калия, выделяет сначала кристаллы сульфата калия, а потом, по мере извлечения получающихся кристаллов, последовательно выделяет целую серию кристаллов кислых солей (как минимум четыре различные фазы, резко разли­чающиеся по форме).

Сульфат кальция-дигидрат (гипс) CaS0₄•2H₂0. Моноклинный. Комбина­ция призм и пинакоида. Можно получить микроскопические кристаллы путем химической реакции (§ 3.4), например, между СаС1₂ и Na₂S0₄. Наблюдается богатство морфологических особенностей: двойники по двум законам, расщеп­ление, закономерные сростки недвойниковой природы, сферолиты. двойниковые сферолиты.

Сульфат магния семиводный MgS0₄ • 7Н₂0. Ромбический. Призма и два тетраэдра. Увеличение пересыщения приводит к удлинению кристаллов, вплоть до появления игольчатых форм. Добавка буры приводит к укорачиванию кри­сталлов и приобретению ими тетраэдрического облика. На гранях призмы на­блюдается четкий вицинальный рельеф. Характерен секториальный захват вклю­чений раствора (площадных и точечных) по пирамидам роста тетраэдров.

Сульфат меди-пентагидрат CuS0₄•5H₂0. Триклинный. Богатая огранка. На форму кристаллов влияет примесь глицерина. Характерно секториальное рас­пределение включений раствора, расщепление некоторых граней.

Тартрат калия-натрия (сегнетова соль) KNaC₄H₄0₆• 4H₂0. Ромбический Не­сколько призм, пинакоид, иногда (с примесями) — тетраэдр. Вообще чувстви­телен к воздействию примесей. Легко проявляется секториальность. При под­ходящем освещении в кристаллах виден «дождь» — пучки светлых линий, обя­занных включениям посторонней твердой фазы в дислокационных каналах, иду­щих от центральных частей кристаллов к периферии.

Ферроцианид калия-тригидрат (желтая кровяная соль) K₄Fe(CN)₆ • 3Н₂О. Мо­ноклинный. Сложная огранка. Наблюдаются расщепление базисной грани (см. § 1.8), резко выраженные оптические аномалии при коноскопическом исследо­вании благодаря образованию политипных сростков.

Хлорат натрия NaC1O₃. Кубический. Куб с подчиненным ромбододекаэдром. При небольших пересыщениях дает хорошие кристаллы. Чувствителен к изме­нению пересыщения, что выражается в захвате включений раствора. Наблю­дается редкий тип включений, располагающихся цепочкой вдоль следа движе­ния ребра между гранью куба и ромбододекаэдра (§ 3.10). Удобен для изу­чения температурных аномалий скоростей поста.

Хлорид аммония NH₄C1. Кубический. Из чистых водных растворов образует ажурные скелеты практически при всех пересыщениях (рис. 1-22). При добавлении

189

 

примесей тяжелых металлов — воронкообразные кристаллы с кривыми поверхностями. Переход к образованию полногранных кристаллов является функцией количества таких примесей. Установлен захват указанных примесей с образованием аномально-смешанных кристаллов. Примесь формамида позво­ляет получить крупные прекрасные монокристаллы.

Хлорид бария-дигидрат ВаС1₂ • 2Н₂0. Ромбический. Сложная огранка. Об­разует пластинчатые кристаллы. Под микроскопом в скрещенных николях можно наблюдать образование двойников разного типа — механических и ростовых — непосредственно во время роста кристаллов.

Хлорид натрия NaCl. Кубический. Обычно куб. При введении примеси со­ляной кислоты, мочевины наблюдается появление грани октаэдра. Хорошие кристаллы размером больше 1 см³ получить затруднительно. Обычны захват включений раствора, расщепление, блочность. При добавлении в насыщенный раствор нескольких капель этилового спирта наблюдается возникновение иголь­чатых (нитевидных) и тонкопластинчатых кристаллов.

(Указанные для описанных веществ особенности роста наблюдаются при использовании реактивов стандартных квалификаций).

190

 

 

СПИСКИ ЛИТЕРАТУРЫ

ОБЩАЯ К РАЗНЫМ ГЛАВАМ

Бакли Г. Рост кристаллов. М., ИЛ, 1954. 406 с.

Вильке К.-Т. Выращивание кристаллов. Л., Недра, 1977. 600 с.

Матусевич Л. Н. Кристаллизация из растворов в химической промышлен­ ности. М., Химия, 1968. 304 с.

Пшеничное Ю. П. Выявление тонкой структуры кристаллов. М., Металлур­ гия, 1974. 528 с.

Современная кристаллография. Т. 3. Образование кристаллов / А. А. Чер­нов, Е. И. Гиваргизов, X. С. Багдасаров и др. М., Наука, 1980. 408 с.

Т рейву с Е. Б. Кинетика роста и растворения кристаллов. Л., Изд-во ЛГУ, 1979. 248 с.

Ульянова Т. П., Петров Т. Г., Пунин Ю. О. Морфология расщепления кри­ сталлов при росте (на примере дигидрофосфата калия, цитрата натрия и др.).— В кн.: Кристаллография и кристаллохимия. Л., Изд-во ЛГУ, 1973, вып. 2, с. 101—114.

Хейман Р. Б. Растворение кристаллов. Л., Недра, 1979. 272 с.

Штернберг А. А. О связи трещиноватости и морфологии кристаллов с при­ месями (гетерометрия). — Кристаллография, 1962, т. 7, вып. 1, с. 114—120.

Groth P. Chemische Krystallographie. Bd. 1—5. Leipzig, 1906—1919.

К ГЛАВЕ 1

Баларев Д. Строеж на реалнокристалните системи. София, Наука и изкуство, 1964. 266 с.

Бартон В., Кабрера Н., Франк Ф. Рост кристаллов и равновесная структура их поверхности. — В кн.: Элементарные процессы роста кристаллов. М., ИЛ, 1959, с. 11—109.

Белюстин А. В., Степанова Н. С. Особенности роста малодислокационных кристаллов KDP. — В кн.: Рост из низкотемпературных и гидротермальных рас­ творов. Реальная структура. Рост в твердой фазе. Тезисы 6 междунар. конф. по росту кристаллов. М., 1980, т. IV, с. 8—9.

Будевский Е., Бостанов В., Витанов Т. Электрокристаллизация и механизм электролитического осаждения серебра. — В кн.: Рост кристаллов. М., Наука, 1974, т. 10, с. 230—250.

Де Бур Я. X. Явления адсорбции. — В кн.: Катализ. Некоторые вопросы тео­рии и технологии органических реакций. М., ИЛ, 1959, с. 18—176.

Исследование тонких адсорбционных пленок раствора на гранях кристаллов методом ЯМР/В. В. Сипягин, А. А. Чернов, Э. И. Федин и др. — Кристаллогра­фия, 1976, т. 21, вып. 2, с. 370—380,

Карякина Т. А. Анализ дефектности кристаллов кварца. — Зап. Ленингр. горн, ин-та, 1974, т. 74, вып. 2, с. 8—73.

Козловский М. И. К вопросу о спиральном росте и растворении кристал­лов.— Кристаллография, 1958, т. 3, вып. 4, с. 483—487.

Костюкова Е. Я., Лютцау В. Г., Фишман Ю. М.- Рентгеновская дифракцион­ ная топография ростовых дефектов в кристаллах. — В кн.: Рост кристаллов. Ере­ ван, Изд-во Ереванск. ун-та, 1977, т. 12, с. 269—284.

Мищенко К П. Термодинамические свойства воды в растворах электроли­тов.—В кн.: Термодинамика и строение растворов. М., Изд-во АН СССР, 1959, с. 97—105,

191

 

Овруцкий А. М., Подолинский В. В. Изучение роста кристаллов нафталина и парадибромбензола в тонких слоях расплавов. — В кн.: Рост кристаллов. Ере­ван, Изд-во Ереванск. ун-та, 1975, т. 11, с. 293—298.

Овсиенко Д. Е. Зарождение центров кристаллизации в переохлажденных жидких металлах. — В кн.: Современные проблемы кристаллографии. М., Наука, 1975, с.'127—149.

Петров Т. Г. Влияние среды на рост азотнокислого калия из водных рас­творов.— Кристаллография, 1964, т. 9, вып. 4, с. 541—545.

Петров Т. Г. Теория информации и проблемы кристаллогенезиса. — В кн.: Процессы роста кристаллов и пленок полупроводников. Новосибирск, 1970, с. 61—72.

Портнов В. Н., Белюстин А. В. Влияние примесей на скорость роста граней алюмокалиевых квасцов из раствора. — Кристаллография, 1965, т. 10, вып. 3, с. 362—367.

Пунин Ю. О., Ульянова Т. П., Петров Т. Г. Образование макроблочности в кристаллах КС1 при малых пересыщениях. — В кн.: Кристаллография и кри­сталлохимия. Л., Изд-во ЛГУ, 1973, вып. 2, с. 97—100.

Трейвус Е. Б., Петров Т. Г. Проектирование кристаллических структур с по­мощью преобразования координат. — Зап. Всесоюз. минерал, о-ва, 1964, ч. 93, сер. 2, вып. 2, с. 197—203.

Франк Ф. К. Дискуссия. — В кн.: Новые исследования по кристаллографии и кристаллохимии. М., ИЛ, 1950, сб. 1, с. 140.

Хаджи В. Е. Образование дислокаций в процессе роста кристаллов квар­ца.— Минерал, сб. Львовск. геол. о-ва, 1966, № 20, вып. 3, с. 418—423.

Хокарт Р., Матье-Сико А. Ориентированные наросты и стабилизация куби­ческой (I), тетрагональной (II) и ромбической (III) модификаций нитрата аммония при обычных температурах. — В кн.: Новые исследования по кристал­лографии и кристаллохимии. М., ИЛ, 1950, сб. 2, с. 28—32.

Чернов А. А., Кузнецов В. А. Кинетика гидротермальной кристаллизации кварца в различных растворах и гипотеза адсорбционной пленки. — Кристал­лография, 1969, т. 14, вып. 5, с. 879—883.

Шабалин К.. В., Инюшкин Г. В. Влияние вращения монокристаллов на ско­рость их роста и образование «паразитных» кристалликов. — В кн.: Рост кри­сталлов. М., Наука, 1965, т. 6, с. 385—387.

ЭПР, структура растворов электролитов и электрохимическое генерирова­ние свободных радикалов / П. А. Загорец, В. И. Ермаков, А. Г.. Атанасянц, В. В. Орлов. — В кн.: Растворы, расплавы. М., ВИНИТИ, 1975, т. 1, с. 5—63.

Gulzow И. J. Wechselwirkungen zwischen Kristallmorphologie und perma-nenten Storungen wahrend des Wachstums von Kristallen. — Kristall und Tech-nik, 1966, Bd. 3, H. 1, S. 411—422.

Peibst H., Noack J. Ober die Wachstumsgeschwindigkeit und Keimbildungs-hauftigkeit von KG aus der Losung bei hohen Oberschreitungen. — Z. Phys. chem., Leipzig, 1962, Bd. 221, N 1/2, S. 115—120.

Stenike V. Losungs- und Wachstumsbehinderung in System KC1 —H₂0 durch Blockierung mit einer Deckschicht komplexer Cianide. — Z. fur anorg. und allge-meine Chemie, 1962, Bd. 317, H. 3-4, S. 186—203.

К ГЛАВЕ 2

Микроскопический метод изучения фазовых равновесий и кристаллизации / Т. Г. Петров, Ю. О. Пунин, Е. Б. Трейвус и др. — В кн.: Массовая кристалли­зация. М., ИРЕА, 1975, вып. 1, с. 9—17.

Review: Crystallisation. — Ind. Eng. Chem., v. 38, N 1, p. 18—19; War­ren L., McCabe, 1946, v. 40, N 1, p. 11—13; Grove C. S., Gray J. В., 1948, v. 41, p. 22—25; Grove C. S., Gray J. В., 1949, v. 42, p. 28—31; Grove C. S., Gray J. В., 1950, v. 43, p. 58—62; Grove C. S., Gray J. В., 1951, v. 44, p. 41—45; Grove C. S., Gray /. В., 1952, v. 45, p. 34—38; Grove C. S., Gray J. В., 1953, v. 46, p. 75; Grove C. S, Schoen H. M., Palermo I. A., 1954, v. 47, N 3, pt. II, p. 520—523; Palermo I. A., Grove C. S., Schoen H. M., 1955, v. 48, N 3, pt. II, p. 486—491; Palermo I. A., Grove C. S., Schoen H. M., 1956, v. 49, p. 470—475; Palermo 1. A._t Grove C. S., Schoen H. M., 1957, v. 50, p. 430—434; Schoen H. M., Grove C. S._t

192

1958, v. 51, p. 346—361; Grove С. S., Schoen H. M., 1959, v. 52, N 2, p. 173—177; Schoen H. M., 1960, v. 53, N 2, p. 155—158; Schoen H. M., 1961, v. 54, N 4, p. 57—62; Schoen H. M., Van der Bogaerde /., 1962, v. 56, N 10, p. 38—52; Palermo 1. A., Bennett G. F., 1964, v. 57, N 11, p. 68—74; Palermo I. A., Ben­nett G. F., 1965, v. 58, N 11, p. 67—89; Palermo /. A., Lin К. H., 1966, v. 60, N 4, p. 120; Palermo I. A._t 1968, v. 61, pt. I, N 10, p. 86—113, pt. II, N 11, p. 92—101, pt. Ill, N 12, p. 65—79; Reid R. C, Botsaris G. D._t Margolis G., Kir-wan D. J., Denk E. G., Ersan G. S., Tester /, 1969, v. 62, N 11, pt. I, p. 52—67, pt. II, N 12, p. 148—155; Reid R. C, Botsaris G. D., Margolis G., Kirwan D. J., Denk E. G., Ersan G. S., Tester J., Wong F., 1970.

К ГЛАВЕ З

Александрова М. В., Мокиевский В. А., Соболеев Ч. С. Получение затравоч­ных кристаллов KDP большого сечения. — Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1972, т. 8, № 2, с. 390.

Варикаш В. М. Выращивание кристаллов методом осмоса. — В кн.: Кристал­лизация жидкости. Минск, 1963, вып. 2, с. 25—27.

Венторф Р. X. Некоторые химические элементы. — В кн.: Теория и практика выращивания кристаллов. М., Металлургия, 1968, с. 190—212.

Гениш Г. Выращивание кристаллов в гелях. М., Мир, 1973. 112 с.

Исаков И. В. О простом способе исключения образования паразитных кри­сталлов при выращивании кристаллов из раствора. — Кристаллография, 1973, т. 18, № 5, с. 1111.

Кашпар Я., Барта Ч„ Нигринова Я. Новый метод выращивания кальцита без давления. — В кн.: Рост кристаллов. М., Наука, 1965, т. 6, с. 5—8.

Кидяров Б. И., Митницкий П. Л. Способ выращивания кристаллов LilOs из растворов в статических условиях. — Кристаллография, 1977, т. 22, вып. 5, с. 1113—1114.

Ковалевский А. Н. Исследование кинетики растворения и роста кристаллов. Автореф. канд. дис. Новосибирск, 1975. 20 с.

Кристаллизатор для выращивания методом испарения / А. Г. Карпенко, Л. М. Беляев, Б. В. Витовский, Г. Ф. Добржанский. — Кристаллография, 1961, т. 6, вып. 1, с. 146—147.

Мошкин С. В., Нардов А. В., Петров Т. Г. Методика изучения кристаллиза­ции труднорастворимых соединений. — Кристаллография, 1980, т. 25, № 6, с. 1307—1310.

Непомнящая В. Н., Штернберг А. А., Гаврилова И. В. Лабораторная мето­дика выращивания крупных ограненных кристаллов и ориентированных блоков сульфата лития. — В кн.: Рост кристаллов. М., Изд-во АН СССР, 1961, т. 3, с. 290—295.

Парвов В. Ф. Аппарат для выращивания кристаллов из водных растворов методом испарения растворителя. — Кристаллография, 1964, т. 9, вып. 4, с. 584—585.

Петров Т. Г., Трейвус Е. Б. К выращиванию кристаллов методом темпера­турного перепада в условиях свободной конвекции раствора. — Кристаллография, 1960, т. 5, вып. 3, с. 452—458.

Полукаров Ю. М., Семенова 3. В. Возникновение двойников роста при элек­трокристаллизации меди на поверхности грани (111) монокристалла меди.— Электрохимия, 1966, т. 2, вып. 2, с. 184—188.

Славнова Э. И. Об ячеистой структуре конвективного потока жидкости в вертикальном цилиндре круглого сечения. — Инж.-физ. журн., 1961, т. 4, № 8, с. 80—86.

Славнова Э. И. О свободной тепловой конвекции в водных растворах солей, заполняющих вертикальные трубы круглого сечения. — Инж.-физ. журн., 1963, т. 6, № 3, с. 106—109.

Степанова И. С. Метод концентрационной конвекции и применение его к вы­ращиванию кристаллов KDP. — Автореф. канд. дис. Горький, 1970. 22 с.

Сэмпсон Дж. Л., Ди-Пьетро М. А. Улучшенный кристаллизатор с испарением в замкнутом объеме. — Приборы для науч. исследований, 1963, т. 34, № 10, с. 83.

Ульянова Т. П., Пунин Ю. О., Петров Т. Г. Закономерности образования вто-

193

 

ричных субиндивидов при расщеплении кристаллов. — В кн.: Кристаллография и кристаллохимия. Л., Изд-во ЛГУ, 1974, вып. 3, с. 193—201.

Уокер А., Бюлер Э. Выращивание крупных кристаллов кварца. — В кн.: Новые исследования по кристаллографии и кристаллохимии. М., ИЛ, 1951, сб. 3, с. 143—159.

Шмид И., Соммер Ф. Гидро- и термомеханические условия в вертикальном цилиндрическом сосуде, f— В кн.: Рост кристаллов. М., Наука, 1967, т. 7, с. 346—349.

Hamid S. A. Die Zuchtung von KJ0₃.~J. Cryst. Growth, 1974, v. 22, N 4, S. 331—332.

Nicolau J. F. A crystallizer for growing large single crystals from solution under steady-state concentration convective conditions — Krist. und Technik, 1974, v. 9, N 12, p. 1331—1347.

Rouse L. M._t White E. A. D. Crystal growth by electrolitic concentration. — J. Crystal Growth, 1976, v. 34, N 2, p. 173—176.

Schlichta P J._t Knox R E. Growth of crystal by centrifugation. — J. Crystal Growth, 1968, v. 3—4, p. 808—813.

К ГЛАВЕ 4

Агбалян Ю. Г., Татевосян Л. С, Шархатунян Р. О. О возможности опре­ деления пересыщения раствора при выращивании кристаллов иодата лития. — Кристаллография, 1975, т. 20, вып. 4, с. 883—885.

Ковалевский А. Н. Прецизионный метод определения температуры насы­щения прозрачных растворов. — В кн.: Рост кристаллов. М., Изд-во АН СССР, 1957, т. 1, с. 337—340.

Куан-Хан-Ханг. Определение температуры насыщения растворов по изме­рению удельного сопротивления с четырехэлектродной установкой. — Вестн. ЛГУ, сер. геол. и геогр., 1966, № 6, вып. 1, с. 146—149.

Петров Т. Г., Касаткин А. П. Автоматический регулятор пересыщения рас­творов — регулирующий Ас-метр. — Изобретения. Открытия. Пром. образцы. Товарные знаки, 1974, № 14, с. 129—130, авт. свид. № 424048.

Рогачева Э. Д., Белюстин А. В. О соотношении правых и левых форм кри­сталлов MgS04 • 7НгО, образованных из водных растворов. — В кн.: Рост кри­сталлов. М., Наука, 1965, т. 5, с. 233—236.

Almedia S. P., Crouch Т. Н. Magnetic densimeter using an Mf sensing coil. — Rev. Sci. Instrum., 1971, v. 42, N 9, p. 1344—1348.

Hales J. H. An apparatus for accurate measurement of liquid densities over an extended temperature range.—J. Phys. and Sci. Instr., 1970, v. 3, N 11, p. 855—861.

Mullin /. W. The measurement of supersaturation.—Chem. Eng. (Gr. Brit.), 1972, N 261, p. 186—187, 193.

Torgesen J. L., Horton А. Т., Say lor C. P. Equipment for single crystal growth from aqueous solution. —J. Res. Nat. Bur. Stand. (USA), 1963, v. 67c, N 1, p. 25—32.

К ГЛАВЕ 5

Айвазян М. Т., Максуд ян Г. Е., Туманян С. С. К методике стабилизации тем­ ператур. — Докл. АН АрмССР, 1973, т. 57, № 1, с. 15—18.,

Берданов И. Т., Стадник П. Е. Регулятор температуры повышенной надеж­ности.— В кн.: Монокристаллы и техника. Харьков, 1973, вып. 1 (8), с. 182—185.

Парвов В. Ф. О выращивании кристаллов из раствора с применением специ­альной центробежной помпы в качестве мешалки. — Кристаллография, 1965, т. "10, № 2, с. 263.

Фиклистов Я. Н., Аксельруд Г. А. Кинетика массообмена при колебательном движении твердого тела в жидкости. — Докл. Львовск. политехи, ин-та. Химия и хим. технол., 1963, т. 5, вып. 1-2, с. 104—108.

ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ

Абсорбция 54

Автодеформация в кристаллах 58

Адсорбция 48

Атом межузельный 5

Блок мозаичный 8

Блочность 8

Вакансия 5

Вектор Бюргерса 6

Включение протогенетическое 12

— раствора площадное 43     точечное 43

— сингенетическое 12

— эпигенетическое 12 Воздействие рН на рост 53

Волны кинематические плотности ступеней 30

Время жизни частицы на поверхности 49

Всаливание 21

Выклинивание кристалла 52

Выращивание кристаллов гидротермальное 109

----- из раствора в расплаве 73

----- путем транспортных реакций 110

Вырост 52

Высаливание 21

Габитус кристалла 37

Гетерометрия 58

Градиент температуры 102

Граница двойниковая когерентная 10

----- некогерентная 10

— дислокационная (мозаичная) 8

— индукционная 8

Давление кристаллизационное 127 Движение раствора ламинарное 101

----- турбулентное 101

Двойник зарождения 60

— магнитный 8

— механический 8

— полисинтетический 8

— превращения 8

— прорастания 10

— роста 9

— слипания 9

— срастания 10

— электрический 8 Декорирование дислокаций 7

 

Дендрит (дендритное образование, дендритная форма) 59 Дефект абсорбционный 121

— адсорбционный 121

— двумерный 8

— диффузионный 121

— нульмерный 5

— одномерный 5

— трехмерный 12

— упаковки 10 Диаграмма кинетическая 57

— полярная поверхностной энергии 11

----- скоростей роста 38

Дислокации, выявление 7 Дислокация винтовая 6

— краевая б

— смешанная 6 Домен 8

Зародыш двумерный 36 —критический 24

— трехмерный 24

Зарождение кристаллов гетерогенное 24

----- гомогенное 23

Затравка 148

Зона «мертвая» 49

Излом 28

Изоморфизм совершенный 19

Кинетика роста 38

----- диффузионный лимит 40

----- кинетический лимит 39

----- смешанная 40

Конвекция раствора вынужденная 42

----- естественная (свободная) 41

----- концентрационная 110

-----  тепловая 100

Конус (бугор) роста 30

Коэффициент извлечения вещества 103

Коэффициент распределения примеси неравновесный (эффективный) 56

--------- равновесный 54

— растворимости температурный 41 Кристалл аномально-смешанный 58 паразитический 25

— скелетный вершинный 43

----- реберный 43

Кристаллизация массовая 4

Место приложения (см. Точка роста) Метасоматоз 94

Метод выращивания кристаллов 72 Методика выращивания 73 Механизм (модель) Кабреры 49

— роста двумерными зародышами 36
дислокационный 30

----- нормальный 28

----- трехмерными зародышами 38

Модификация метода выращивания 73 Мозаичность (см. Блочность) Облако Коттрелла 7 Область диффузионная 40

— заторможенного роста (см. Зона «мертвая») —кинетическая 39

— лабильная, пересыщенных растворов 23

— метастабильная, пересыщенных растворов 23

196

— смешанная (смешанной кинетики) 40
Облик кристалла 37

Огранка кристалла 37 OD-кристаллы (OD-структуры) 11 Отжиг кристалла 7 «Охрупчивание» кристаллов 61 Параметр управляющий 73 Перегрев раствора 25 Перекристаллизация 134 Переохлаждение раствора 24 Перепад температур внешний 102

--- внутренний 102

Пересыщение абсолютное 21

— относительное 21

Пирамида вицинальная (вициналь) 30

— (сектор) роста грани 57 Плавка зонная 136 Плавление инконгруэнтное 3 Поверхность вицинальная 12

— индукционная (см. Граница индукционная)

— кристалла 11

— несингулярная 12

— сингулярная 12 Политипизм (политипия) 10 Потенциал химический 22

Правила растворимости (правила Шредера) 141 Правило Панета 53 Примесь 18

— активная (поверхностно-активная) 19

— изоморфная 19 Принцип Кюри 43 Произведение растворимости 22 Процесс стационарный 22 Расплав 13

Раствор 13 Растворимость 19

— разные выражения 138
Растворитель 16, 18
Расщепление кристалла 58
Регенерация кристалла 34

Режим динамический (см. Конвекция раствора вынужденная)

— молекулярной диффузии 41 Рельеф грани потенциальный 27 Рост антискелетный 52

— послойный (слоистый, тангенциальный) 29

— скелетный 43

Сетка дислокационная 8

Сила движущая кристаллизации (химическое сродство) 21

Скорость диффузии удельная 41

— конвекции естественной 104

— роста кристалла 21, 22

--------- аномалии температурные 17

Слой пограничный адсорбционный 17
----- гидродинамический 41

------ диффузионный 40

—роста (см. Ступень роста)

Сольватация 14

Спираль роста 30

Срастание синтаксическое 11

Сродство химическое (см. Сила движущая кристаллизации)

Строение кристалла зональное 57

----- секториальное 57

— — субсекториальное 58

Ступень роста 30

Субиндивид 58

Субсекториальность (см. Строение кристалла субсекториальное)

Сферолит 59

—двойниковый 59

Термостатирование активное 162

—пассивное 161

Точка роста 28

Травление кристаллов 7

Трещиноватость кристаллов 61

Ус (нитевидный кристалл) 37

Фантом 149

Форма кристалла округлая (см. Рост антискелетный)

Холмик роста (см. Конус роста)

Центр кристаллизации 25

—роста 34

Частокол Кабреры 49

Штриховка вицинальная 32

— диффузионная 44

— комбинационная 32

Элемент структуры кристалла (строительная частица) 5 Энергия активации 23

— поверхностная 11

— потенциальная 27 Эпитаксия 54 Ямка травления 7

 

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие............................................................................................................. 3

Глава 1. Основные представления теории роста кристаллов из рас­
творов   ..................................................................................................... 5

1.1. Строение реального кристалла..................................................................................................... —

1.2. Среда кристаллизации................................................................. 13

1.3. Растворимость и движущая сила кристаллизации.. 19

1.4. Зарождение кристаллов............................................................ 23

1.5. Механизмы роста кристаллов 27

1.6. Процесс объемной диффузии при росте кристалла.. 39

1.7. Роль сильно адсорбирующихся примесей при кристалли­зации.............................................................................................. 48

1.8. Захват примесей растущим кристаллом           ... 54

Глава 2. Подготовка к выращиванию кристаллов........................................ 62

2.1. Сбор сведений, необходимых для выращивания кристал­лов......................................................................................................... —

2.2. Предварительное ознакомление с ростом кристаллов дан­ного вещества......................................................................................... 65

Глава 3. Способы (методы) и методики выращивания кристаллов            70

3.1. Основы классификации способов выращивания кристаллов —

3.2. Кристаллизация при изменении температуры раствора    74

3.3. Кристаллизация при испарении растворителя...              81

3.4. Кристаллизация при химической реакции в условиях встречной диффузии..................................................................... 87

3.5. Кристаллизация при рециркуляции растворителя.. 94

3.6. Кристаллизация при тепловой конвекции раствора,. 100

3.7. Кристаллизация при концентрационной конвекции рас­твора......................................................................................................... НО

3.8. Кристаллизация при вынужденной конвекции раствора                                                                                 114

3.9. Выбор метода выращивания кристаллов   116

3.10. Пути управления качеством кристалла при его росте 121

Глава 4. Приемы работы............................................................................................................................... 132

4.1. Контроль качества и очистки исходных веществ...       —

4.2. Приготовление раствора....................................................................................................... 138

4.3. Определение растворимости   140

4.4. Определение температуры насыщения раствора... 142

4.5. Затравочные кристаллы и способы их получения  .. 148

4.6. Кристаллоносцы и способы монтажа затравок..   150

 

4.7. Обращение с выращенным кристаллом 155

4.8. Идентификация кристаллов 156

Глава 5. Техническое оснащение лаборатории................................................................................................................................. 158

5.1. Помещение лаборатории —

5.2. Оборудование общего назначения 159

 

5.3. Термостаты........................................................................................................ 161

5.4. Устройства для автоматического изменения температуры                                                                                  167

5.5. Устройства для создания относительного движения кри­сталл— раствор................................................................................................. 170

5.6. Приборы для фильтрования и фильтрация.... 177

5.7. Обработка кристаллов 180

5.8. Материалы, применяемые в кристаллизационной практике                                                                                   182

Заключение.................................................................................................................................. 186

Приложения  ........................................................................................................................... 188

Списки литературы..................................................................      ....................................................................................... 191

Предметный указатель. _н...................................................................................................................................... 195