Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...
Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
Топ:
Марксистская теория происхождения государства: По мнению Маркса и Энгельса, в основе развития общества, происходящих в нем изменений лежит...
Определение места расположения распределительного центра: Фирма реализует продукцию на рынках сбыта и имеет постоянных поставщиков в разных регионах. Увеличение объема продаж...
Основы обеспечения единства измерений: Обеспечение единства измерений - деятельность метрологических служб, направленная на достижение...
Интересное:
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Влияние предпринимательской среды на эффективное функционирование предприятия: Предпринимательская среда – это совокупность внешних и внутренних факторов, оказывающих влияние на функционирование фирмы...
Дисциплины:
2019-12-19 | 289 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
действие гальваномагнитных преобразователей основано на силовом влиянии магнитного поля на движущиеся электрические заряды. В преобразователях Холла и магниторезисторах поле действует на заряды, движущиеся в полупроводнике.
Чаще всего преобразователи Холла используют в виде плоской прямоугольной пластины из полупроводникового материала. Эффект Холла – электромагнитное явление, проявляющееся в появлении ЭДС (Е) на боковых гранях пластины при пропускании через нее тока I при помещении ее в магнитное поле индукции В (рис. 1.31), т. е.
, (1.40)
где Rх – постоянная Холла, Ом×м/Тл; h – толщина пластины.
В слабых полях, где В < 0,1 Тл, эта зависимость квадратичная, при В = (0,1 – 1) Тл – линейная:
, (1.41)
где g – чувствительность, которая указывается в паспорте на преобразователь.
Как правило, в процессе измерений ток I остается неизменным, и в этом случае вводят параметр магнитная чувствительность gm = E/B при номинальном токе. Магнитная чувствительность и номинальный ток также приводятся в паспорте на преобразователь. Абсолютное значение магнитной чувствительности колеблется в пределах 0,06 – 0,6 В/Тл. Рациональнее пользоваться удельной чувствительностью: k = gI, т. е. считать коэффициентом преобразования произведение чувствительности на ток. Это позволяет определить выходной сигнал при любых токах, а не только при номинальном.
Конструктивно преобразователи выполняют в виде пластин прямоугольной или крестообразной формы. Выпускаются кремниевые, германиевые и арсенид-галлиевые преобразователи Холла. Толщина преобразователя – около 0,2 мм, размеры активной части – от 1,8 ´ 0,6 до 6 ´ 3 мм. Габаритные размеры в слюдяных обкладках примерно вдвое больше.
|
Преобразователи Холла находят широкое применение при измерении слабых магнитных полей, а для измерения более сильных полей (В > 1 Тл), при которых наступает насыщение преобразователя Холла, применяют магниторезисторы. В магниторезисторах используется эффект Гаусса, который состоит в изменении электрического сопротивления полупроводника под действием магнитного поля. наиболее ярко он проявляется в магниторезисторах из антимонида индия (InSb) и арсенида индия (InAs) с параметрами, приведенными в табл. 1.2.
Таблица 1.2
Характеристика магниторезисторов
Характеристика | Тип магниторезистора | |
InSb | InAs | |
Сопротивление, Ом: | ||
при В = 0 | 0,5–200 | 0,5–200 |
при В = 1 Тл | 50–4000 | 1–400 |
Относительное изменение сопротивления при В, Тл: | ||
0,1 | 0,2–0,5 | 0,03–0,5 |
0,5 | 5–8 | 0,5–1,0 |
1,0 | 10–16 | 2–3 |
Магниторезисторы применяют в основном для измерения полей с индукцией выше 0,2 Тл, поэтому в неразрушающем контроле их не удается использовать для регистрации полей рассеяния дефектов. Они могут быть применены при измерении индукции намагничивающих полей. Схемотехническое решение – по принципу омметра, градиентометрическое.
|
|
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Двойное оплодотворение у цветковых растений: Оплодотворение - это процесс слияния мужской и женской половых клеток с образованием зиготы...
Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...
Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!