Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...
Топ:
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного хозяйства...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов...
Техника безопасности при работе на пароконвектомате: К обслуживанию пароконвектомата допускаются лица, прошедшие технический минимум по эксплуатации оборудования...
Интересное:
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Что нужно делать при лейкемии: Прежде всего, необходимо выяснить, не страдаете ли вы каким-либо душевным недугом...
Дисциплины:
2018-01-14 | 225 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
В процессе эксплуатации интегральной микросхемы резисторы работают в цепях как постоянного, так и переменного токов, поэтому необходимо знать, каково комплексное сопротивление пленочного резистора токам высокой частоты. Резистор, имея конечные геометрические размеры, кроме активного сопротивления обладает собственными индуктивностью и емкостью. Полная эквивалентная схема пленочного резистора показана на рис. 3, а. Анализ такой схемы громоздок. Достаточно точно изменение сопротивления пленочного резистора можно описать по приближенной эквивалентной схеме (рис. 3, б), где R - сопротивление резистора постоянному току; СП - собственная емкость с учетом емкости контактных площадок; LП - собственная индуктивность резистора.
Реальные конструкции пленочных резисторов имеют паразитные индуктивности до десятков наногенри и паразитные емкости до единиц пикофарад. Следовательно, есть смысл индуктивную составляющую
учитывать для резисторов малых номиналов, когда шунтирующим действием паразитной емкости можно пренебречь (рис. 3, в). Для высокоомных резисторов можно пренебречь индуктивной составляющей сопротивления, но учитывать шунтирующее действие паразитной емкости (рис. 3, г). При этом следует отметить, что для большинства резисторов (особенно типа "меандр") комплексное сопротивление носит емкостной характер.
Для низкоомных резисторов верхняя частота, до которой можно не учитывать паразитную индуктивность, определяется по формуле
Для высокоомных резисторов, где следует учитывать паразитную емкость, верхняя граничная частота определяется как
Величины собственных значений паразитной ёмкости резистора Сп и индуктивности Ln зависят от конструкции резистора и контактных площадок и точно могут быть определены после выбора конструкции.
|
Проектирование резисторов сложной формы
Установлено, что электрическое поле в резисторах сложной формы ("меандр", "змейка" и т.д.) неравномерно. Наибольшего значения градиент плотности тока достигает в местах излома или изгиба резистивной пленки. Неравномерность электрического поля приводит к изменению сопротивления пленочного резистора. В связи с этим расчет сопротивления резисторов сложной формы по длине геометрической средней линии является неточным.
Для расчета размеров резисторов сложной формы (например, изображенных на рис. 1, б, д) резистивная полоска условно разбивается на прямоугольные участки и элементы сопряжения типа изображенных на рис. 4, сопротивление которых рассчитывается по формулам
R = 2,55 R□ (тип А) (14)
Выбор материала диэлектрика
Проектирование однослойных ТПК следует начинать с выбора типа конструкции и материала диэлектрической пленки (см. табл. 4). При этом необходимо учитывать номинальное значение емкости, требования к стабильности, условия эксплуатации и технологичность изготовления ТПК. Для выбранного материала определяются технологические и эксплуатационные характеристики:
- диэлектрическая проницаемость диэлектрика;
Епр - электрическая прочность материала диэлектрика, В/см;
- температурный коэффициент емкости конденсатора;
- относительное изменение емкости во времени, %.
|
|
Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...
Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!